SFH 2801 SFH 2801 fmx06406 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Si-PIN Fotodiode ● Niedrige Sperrschicht- und GehäuseKapazitäten ● Kurze Schaltzeit ● Niedriger Dunkelstrom ● Kathode galvanisch getrennt vom Gehäuse Features ● Si-PIN-photodiode ● Low junction and low package capacitance ● Fast switching times ● Low dark current ● Cathode electrically isolated from case Anwendungen ● Optischer Sensor mit großer ModulationsBandbreite ● Datenübertragung bis zu 565 Mbit/s Applications ● Optical sensor of high modulation bandwidth ● Data communication up to 565 Mbit/s Typ Type Bestellnummer Ordering Code Stecker/Flansch Connector/Flange SFH 2801 Q62702-P3018 TO-18, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötanschlüsse im 2.54 mm Raster (1/10") TO-18, plane glass window, hermetically sealed package solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10") Semiconductor Group 1 1998-10-06 SFH 2801 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Isolationsspannung zum Gehäuse Isolation voltage to case VIS 100 V Betriebs- und Lagertemperaturbereich Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 125 °C Löttemperatur (Wellen-/Tauchlötung) (Lötstelle 2 mm von Bodenplatte entfernt bei Lötzeit t ≤ 10 s) Soldering temperature (wave/dip soldering) in 2 mm distance from base plate (t ≤ 10 s) TS 260 °C Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Sλ850 Sλ950 0.55 (≥ 0.45) 0.45 A/W A/W ti; tf 1 ns C0 C1 C12 C20 13 7 3.3 3 pF pF pF pF Dunkelstrom Dark current VR = 20 V, E = 0 ID 1 (≤ 5) nA Semiconductor Group 2 Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity λ = 850 nm λ = 950 nm Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 Ω, VR = 50 V, λ = 850 nm Sperrschicht-Kapazität bei f = 1 MHz Junction capacitance at f = 1 MHz VR = 0 V VR = 1 V VR = 12 V VR = 20 V Wert Value Einheit Unit 1998-10-06 SFH 2801 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm NEP 3.3 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze Detection limit VR = 20 V, λ = 850 nm D* 3.1 × 1012 cm · √Hz W Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP TC 0.2 %/K Isolationsstrom Isolation current VIS = 100 V I18 0.1 (≤ 1) nA Semiconductor Group 3 1998-10-06 SFH 2801 Relative spectral sensitivity S = f (λ) S rel Photocurrent IP = f (E) OHF00460 100 % 90 ΙP OHF00462 10 2 µA 80 10 1 70 60 10 0 50 40 30 10 -1 20 10 0 400 600 800 10 -2 10 -3 nm 1000 L Dark current IR = f (VR) ΙR 10 -2 10 -1 mW/cm2 E 10 1 Dark current IR = f(TA) E = 0, VR = 20 V OHF00463 10 2 nA ΙR OHF00464 10 3 nA 10 2 10 1 10 1 10 0 10 0 10 -1 10 -1 10 -2 10 -2 10 -3 -50 10 -3 0 10 20 Semiconductor Group 30 40 V 50 VR 4 -25 0 25 50 75 ˚C 100 TA 1998-10-06 SFH 2801 Dark current IR = f(VR) ΙR Junction capacity C = f(VR) E = 0, f = 1 MHz 10 5 nA OHF00465 10 4 125 ˚C 10 3 100 ˚C 10 2 75 ˚C 10 1 50 ˚C 10 0 25 ˚C 10 -1 0 ˚C C 10 8 6 4 -10 ˚C 10 OHF00466 12 pF 2 -2 10 -3 0 10 Semiconductor Group 20 V VR 0 -1 10 30 5 10 0 10 1 V 10 2 VR 1998-10-06