BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit ● BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA) ● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC1) Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm ● BPX 65: high photosensitivity ● BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA) ● Hermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 oC1) Anwendungen ● schneller optischer Empfänger mit groβer Modulationsbandbreite Applications ● Fast optical sensor of high modulation bandwidth Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package BPX 65 Q62702-P27 BPX 66 Q62702-P80 18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (2/10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically sealed package, solder tabs 2.54 mm (2/10”) lead spacing, anode marking: projection at package bottom 1) 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us. Semiconductor Group 342 10.95 BPX 65 BPX 66 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –40 ... +80 oC Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) TS 230 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Ptot 250 mW Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 10 (≥ 5.5) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.25 ... 2.55 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 40 Grad deg. Semiconductor Group 343 LxW BPX 65 BPX 66 Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit IR 1 (≤ 5) 0.15 (≤ 0.3) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VL 320 (≥ 270) mV Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current IK 10 µA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 12 ns Durchlaβspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 pF Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL TCV –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IK Temperature coefficient of IK TCI 0.2 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm NEP 3.3 x 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit D* 3.1 x 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 344 Dunkelstrom Dark current BPX 65: VR = 20 V BPX 66: VR = 1 V BPX 65 BPX 66 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 20 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 345