Symbol MULTILED® 2.5 mm x 5 mm, Partly Diffused LU B371 Besondere Merkmale ● ● ● ● nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher Betriebszustände durch Farbwechsel von rot auf grün möglich beide Farben getrennt ansteuerbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06721 ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● ● ● colorless, partly diffused package 2.54 mm lead spacing high signal efficiency possible by color change of the LED indication of different operation modes is possible by color change of the LED from red to green both colors can be controlled separately solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission LU B371-FJ super-red / green colorless clear super-red / green partly diffused LU B371-GK Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code 1.0 … 8.0 Q62703-Q2048 1.6 … 12.5 Q62703-Q2049 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 4.0 (LU B371 - FJ), ≤ 2.0 (LU B371 - GK). 1) Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 4.0 (LU B371 - FJ), ≤ 2.0 (LU B371 - GK). 1) In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 1 11.96 LU B371 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 40 1) mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 1) A Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 140 1) mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 K/W 1) 1) Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebenen Grenzen nicht überschreiten. With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed the specified limits. Semiconductor Group 2 LU B371 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values super-red green Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 628 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 45 25 nm 2ϕ 100 100 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz (typ.) C0 12 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 450 200 ns ns Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 LU B371 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LU B371 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LU B371 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LU B371 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06721 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Mittlerer Lötspieß Cathode mark: Middle solder lead Semiconductor Group 7