2.05 R 1.95 SFH 4510 SFH 4515 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) GaAs Infrared Emitters (950 nm) (3.2) -0.1...0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing GEO06968 SFH 4510 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode/ Collector 4.5 3.9 8.0 7.4 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.05 R 1.95 2.7 2.4 Chip position 2.54 mm spacing Cathode/ Collector (3.2) -0.15...0.15 15.5 14.7 6.0 5.4 GEO06969 SFH 4515 4.5 3.9 7.7 7.1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process ● Suitable for surface mounting (SMT) ● Available on tape and reel ● Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 ● High reliability ● Spectral match with silicon photodetectors Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/ SFH 3505 ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger ● ● ● ● Anwendungen ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern ● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers ● Remote control for steady and varying intensity Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4510 Q62702-P1798 SFH 4515 Q62702-P1821 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), schwarzes EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung. 5 mm LED package (T 1 3/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see package outline. Semiconductor Group 2 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 85 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF (DC) 100 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 150 mW 300 K/W Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm2 each Semiconductor Group 3 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 14 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.30 (≤ 1.5) 2.30 (≤ 2.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 22 mW Semiconductor Group 4 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ 0.3 nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie typ Ie min 50 ≥ 25 mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ 450 mW/sr Semiconductor Group 5 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity OHRD1938 100 10 2 A OHR01551 ΙF Ιe Ι e 100 mA % Ι rel Max. permissible forward current IF = f (TA) 80 OHF00387 120 mA 100 10 1 80 60 60 10 0 40 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 nm 1000 λ Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR01554 10 1 0 10 -2 10 -3 1060 OHR00860 tp Ι F mA 5 A D= tp T ΙF D = 0.005 10 0 T 0.01 0.02 10 -1 10 3 5 0.1 0.05 0.2 10 -2 0.5 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp 8 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 OHF00265 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 6 60 80 100 120 1998-11-12