2SK2433 注文コード No. N 8 3 5 3 2SK2433 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・低電圧駆動。 ・面実装に対応し、工数低減およびセットの高密度 , 小型化が可能となる。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 記号 VDSS VGSS ID ドレイン電流 （パルス） 許容損失 IDP PD チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 条件 定格値 unit V 60 ± 20 30 V A 120 40 A W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% Tc=25℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 min 定格値 typ max ドレイン・ソース降伏電圧 ゲート・ソース降伏電圧 V(BR)DSS V(BR)GSS ID=1mA, VGS=0V IG= ± 100µA, VDS=0V ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS=60V, VGS=0V VGS= ± 16V, VDS=0V ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=15A ID=15A, VGS=10V ID=15A, VGS=4V 30 40 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 1900 500 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 VDS=20V, f=1MHz 指定回路において 100 15 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 指定回路において 指定回路において 30 335 ns ns 下降時間 ダイオード順電圧 tf VSD 指定回路において IS=30A, VGS=0V 225 1.0 ドレイン・ソース間オン抵抗 60 ± 20 unit 1.0 16.0 V V 100 ± 10 µA µA 2.0 V S 40 55 mΩ mΩ 27.0 1.5 ns V 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 62005QA MS IM ◎川浦 TB-00001456 No.8353-1/3 2SK2433 外形図 unit : mm スイッチングタイム測定回路図 7002-001 VDD=30V VIN 10V 0V 0.4 0.2 8.2 7.8 6.2 3 ID=15A RL=2Ω VOUT VIN 0.6 D G 1.0 2.54 1 2 0.7 1.2 4.2 8.4 10.0 PW=10µs D.C.≦1% 2SK2433 0.3 0.6 1.0 2.54 P.G 5.08 6.2 5.2 S 1 : Gate 2 : Source 3 : Drain 7.8 2.5 10.0 6.0 50Ω SANYO : ZP ID -- VDS ID -- VGS 60 VDS=10V 2.5V 0 0 2 4 6 8 10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V yfs -- ID 順伝達アドミタンス, yfs -- S 2 VDS=10V 100 7 5 3 = Tc 2 --25 °C C 25° 5°C 7 10 7 5 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン電流, ID -- A 5 0 7 100 2 ITR02138 2 1 3 25°C 4 6 5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V ITR02136 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 75° C Tc= 10 25 °C Tc 10 20 =7 5°C 20 30 °C 3.0V 40 --25 30 --25° C 50 3.5V ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A 40 4.0V VG S =5.0 V 4.5 V 50 ITR02137 RDS(on) -- VGS 70 Tc=25°C ID=15A 60 50 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 12 14 ITR02139 No.8353-2/3 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 2SK2433 RDS(on) -- Tc 70 Ciss, Coss, Crss -- VDS 10000 7 5 f=1MHz 60 Ciss, Coss, Crss -- pF 3 =4V , VGS 50 A 15 I D= 40 =10V A, V GS 5 I D=1 30 20 10 --40 0 40 80 120 ケース温度, Tc -- °C Coss 5 3 2 Crss 100 7 5 160 0 7 tf 2 100 7 5 tr 3 2 td(on) 10 5 7 2 1.0 3 5 7 10 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 ITR02142 PD -- Tc 50 100 7 5 3 2 16 20 24 28 32 ITR02141 ASO IDP=120A ＜10µs 10 ID=30A 10 0µ s 1m s 10 10 ms 0m DC s op er ati on 10 7 5 µs Operation in this area is limited by RDS(on). 3 2 1.0 7 5 3 2 7 5 3 3 2 ドレイン電流, ID -- A 3 12 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V VDD=30V VGS=10V td (off) 5 8 4 ITR02140 SW Time -- ID 1000 スイッチングタイム, SW Time -- ns 1000 7 3 2 0 --80 2 Ciss 2 Tc=25°C パルス 0.1 1 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 5 7 100 IT09824 許容損失, PD -- W 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100 ケース温度, Tc -- °C 120 140 160 IT09809 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8353-3/3