3LP03M 注文コード No. N 8 1 5 4 3LP03M P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・高静電耐量 (TYP300V) [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧(*1) ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) VDSS VGSS ID IDP 許容損失 チャネル温度 PD Tch 条件 定格値 unit − 30 − 10 V V − 0.25 −1 A A 0.15 150 W ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 (*1) : 本製品は、ゲート酸化膜保護用 G-S 間 Di が片側となっているため、回路設計において御注意下さい。 ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs VGS= − 8V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 100µA VDS= − 10V, ID= − 120mA ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 ID= − 120mA, VGS= − 4V ID= − 60mA, VGS= − 2.5V 入力容量 RDS(on)3 Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr td(off) tf ターンオフ遅延時間 下降時間 単体品名表示:XG 条件 min 定格値 typ max − 30 unit −1 V µA −1 − 1.4 µA V 1.5 2.0 1.9 2.8 Ω Ω ID= − 10mA, VGS= − 1.5V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 4.0 40 8.0 Ω pF 8 4.5 pF pF 指定回路において 指定回路において 9.5 5 ns ns 指定回路において 指定回路において 15 13 ns ns − 0.4 0.24 0.4 S 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22805PE TS IM ◎川浦 TA-101199 No.8154-1/4 3LP03M 前ページより続く。 総ゲート電荷量 Qg VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA 定格値 typ 0.8 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA 0.3 0.2 ダイオード順電圧 VSD IS= − 250mA, VGS=0 項目 記号 条件 外形図 unit : mm min unit max nC nC nC − 0.9 − 1.2 V スイッチングタイム測定回路図 2158A VDD= --15V 0.3 0.15 3 0.2 0.425 VIN 0V --4V ID= --120mA RL=125Ω 0 to 0.1 1.25 2.1 VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% 0.425 1 2 0.65 0.65 0.3 0.9 2.0 G 0.6 1 : Gate 2 : Source 3 : Drain 3LP03M P.G 50Ω S SANYO : MCP --0.15 --0.45 Ta= --0.40 --0.35 --0.30 --0.25 VGS= --1.5V --0.10 --0.20 25° C --0.10 Ta= 75° C --25° C --0.15 --0.05 --0.05 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --0.9 Ta=25°C 4.5 4.0 ID= --120mA 3.5 3.0 --60mA 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --0.5 --9 --10 IT08162 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT07653 RDS(on) -- VGS 5.0 0 --1.0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω VDS= --10V 75° C --25° C 0V -2 .5 V V ドレイン電流, ID -- A --0.20 --2.0 --3. --6.0 --4.5V --4. V 0V --3. 5V ドレイン電流, ID -- A --0.25 ID -- VGS --0.50 25° C ID -- VDS --0.30 --3.5 IT07654 RDS(on) -- Ta 4.0 3.5 3.0 5V 2.5 I D= 2.0 A, --60m = --2. VGS V = --4.0 , V GS A 120m I D= -- 1.5 1.0 0.5 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 周囲温度, Ta -- °C 80 100 120 140 IT07656 No.8154-2/4 3LP03M yfs -- ID 1.0 5 VGS=0 3 2 2 5 --2 a= °C C 5° T 7 0.1 °C 25 7 5 --0.1 7 5 3 2 3 --0.01 7 5 2 3 Ta=7 5°C 25°C --25°C 3 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S 7 IF -- VSD --1.0 7 5 VDS= --10V 2 0.01 --0.001 --0.001 2 3 5 7--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 IT07657 ドレイン電流, ID -- A Ciss, Coss, Crss -- pF 10 td(on) 7 tr 5 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 IT07658 Ciss 40 30 20 10 3 5 3 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 総ゲート電荷量, Qg -- nC 0.8 VGS= --2.5V 3 Ta=75°C 2 --25°C 25°C 1.0 7 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 --1.0 IT08165 --15 --20 --25 --30 IT08163 RDS(on) -- ID 5 VGS= --4V 3 2 Ta=75°C 25°C --25°C 1.0 7 5 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 ドレイン電流, ID -- A IT07661 RDS(on) -- ID 5 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω VGS -- Qg 0 --5 IT07659 VDS= --10V ID= --0.25A --3.5 0 7 ドレイン電流, ID -- A --4.0 Coss Crss 0 2 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω スイッチングタイム, SW Time -- ns --0.6 50 td (off) tf 2 --0.1 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --0.4 Ciss, Coss, Crss -- VDS 60 VDS= --15V VGS= --4V 2 --0.2 ダイオード順電圧, VSD -- V SW Time -- ID 3 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 0 7 --1.0 IT08164 RDS(on) -- ID 7 VGS= --1.5V 5 Ta=75°C --25°C 25°C 3 2 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 --1.0 IT08166 No.8154-3/4 3LP03M PD -- Ta 0.20 許容損失, PD -- W 0.15 0.10 0.05 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT07665 取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8154-4/4