注文コードNo.N6 1 7 0 No. N 6 1 7 0 73099 新 LC75386NE-R LC75386NW CMOS LSI カー用電子ボリウム ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷは、ボリウム，バランス，フェダー，バス／トレブル，ラウドネス， 入力切換え，入力ゲインコントロールの各機能を、少ない外付け部品でコントロールできる電子ボリウム である。 特 長 ・ ボリウム ：0dB∼-79dB(1dBｽﾃｯﾌﾟ)，-∞の 81 ポジション。 L/ R別々にコントロールすることによりバランス機能となる。 ・ フェダー ：リア側あるいはフロント側出力を 16 ポジションにわたって減衰させることができる。 (0dB∼-2dB までは 1dBｽﾃｯﾌﾟ,-2dB∼-20dB までは 2dBｽﾃｯﾌﾟ,-20dB∼-30dB までは 10dB ｽﾃｯﾌﾟ,-45dB,-60dB,-∞の 16 ﾎﾟｼﾞｼｮﾝ) ・ バス／トレブル：各バンドとも 2dBステップ±12dBのコントロール。 ・ 入力ゲイン ：入力信号は、0dB∼+18.75dB(1.25dB ｽﾃｯﾌﾟ)の増幅ができる。 ・ 入力切換え ：L/R とも 6 入力の信号選択ができる。(5 つは、ｼﾝｸﾞﾙｴﾝﾄﾞ、1 つは、差動入力) ・ ラウドネス ：2dBステップボリウムのラダー抵抗の-32dB の位置からタップが出ており、CRの外付け 部品によりラウドネス動作ができる。 ・ バッファアンプ内蔵のため外付け部品が少ない。 ・ シリコンゲート CMOSプロセスにより内蔵スイッチから発生する切換えノイズが少ないため無信号時の 切換えノイズが小さい。 ・ ゼロクロス切換え回路内蔵のため有信号時の切換えノイズも小さい。 ・ VDD/2の基準電圧発生回路内蔵。 ・ 各コントロールは、シリアルデータ入力で行う。 [LC75386NE-R] 外形図 3190 (unit : mm) [LC75386NW] 12.0 10.0 17.2 1.6 14.0 1.6 1.0 48 1.0 33 1.25 1.25 0.15 49 1.25 32 0.5 0.8 12.0 10.0 49 17.2 14.0 64 17 3.0max 0.35 0.1 2.7 1 16 0.1 0.8 17 64 16 1 1.25 1.0 0.18 33 48 32 1.0 0.5 0.15 0.5 15.6 0.8 1.7max 外形図 3159 (unit : mm) SANYO : QIP64E 0.5 SANYO : SQFP64 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 ・CCBは、登録商標です。 ・CCBは、三洋電機のオリジナル･バス･フォーマットであり、バスのアドレスは全て三洋電機が管理しています。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 73099TS寿◎鈴木 B8-4186, 4075 No.6170-1/23 LC75386NE-R, 75386NW 絶対最大定格／Ｔａ＝２５℃，ＶS S＝０Ｖ 項 目 記 号 条 件 最 大 電 源 電 圧 VDDmax VDD 最 大 入 力 電 圧 VIN max 全入力端子 許 容 消 費 電 力 Pd max Ta≦85℃，基板取付け時 定 格 単 位 11 V VSS-0.3∼VDD+0.3 V (LC75386NE-R)500 (LC75386NW)420 mW 動 作 周 囲 温 度 Topr -40∼ +85 ℃ 保 存 周 囲 温 度 Tstg -50∼ +125 ℃ 許容動作範囲／Ta=25℃，VSS=0V 項 目 電 源 電 記 号 圧 VDD 条 件 min typ max 単 位 VDD 6.0 10.5 V 入力｢H｣レベル電圧 VIH CL,DI,CE,MUTE 4.0 VDD V 入力｢L｣レベル電圧 VIL CL,DI,CE,MUTE VSS 1.0 V VSS VDD Vp-p 入 力 振 幅 電 圧 VIN 入 力 パ ル ス 幅 TφW CL 1 μs セットアップ時間 Tsetup CL,DI,CE 1 μs ホ ー ル ド 時 間 Thold CL,DI,CE 1 μs 動 作 周 波 数 fopg CL 500 kHz 電気的特性／Ta=25℃，VDD=9V，VSS=0V 入力ブロック 項 目 入 力 抵 記 号 抗 Rin 端 子 名 条 件 min typ max 単 位 L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 30 50 70 kΩ L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 -1 0 +1 dB +16.5 +18.75 +21 dB ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ±0.6 dB L/R バランス ±0.5 dB 最 小 入 力 ゲ イ ン Ginmin 最 大 入 力 ゲ イ ン Ginmax BAL ボリウムブロック 項 目 記 号 端 子 名 条 件 LVRIN,RVRIN, ﾗｳﾄﾞﾈｽ OFF min 単 位 kΩ ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ±0.5 dB L/R バランス ±0.5 dB 力 抵 抗 Rvr 226 max 339 入 113 typ BAL トーンブロック 項 目 記 号 端 子 名 条 件 min typ ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr max 単 位 ±1.0 dB ﾊ ﾞ ｽ ｺ ﾝ ﾄ ﾛ ｰ ﾙ ﾚ ﾝ ｼ ﾞ Gbass max.boost/cut ±9 ±12 ±15 dB ﾄﾚﾌﾞﾙｺﾝﾄﾛｰﾙﾚﾝｼﾞ Gtre max.boost/cut ±9 ±12 ±15 dB L/R バランス BAL ±0.5 dB No.6170-2/23 LC75386NE-R, 75386NW フェダーブロック 項 目 入 力 抵 記 号 抗 Rfed 端 子 名 LFIN,RFIN min 25 ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr L/R バランス 条 件 typ max 50 単 位 100 kΩ 0dB∼ -2dB ±0.5 dB -2dB∼-20dB ±1 dB -20dB∼-30dB ±2 dB -30dB∼-60dB ±3 dB ±0.5 dB BAL 総合 項 目 記 号 全 高 調 波 歪 率 端 子 名 min typ max 単 位 THD(1) VIN= -10dBV,f= 1kHz 0.004 ％ THD(2) VIN= -10dBV,f= 10kHz 0.006 ％ 入 力 間 ｸ ﾛ ｽ ﾄ ｰ ｸ CT VIN= 1Vrms,f= 1kHz 80 88 dB L/R ｸﾛｽﾄｰｸ VIN= 1Vrms,f= 1kHz 80 88 dB Vomin(1) VIN= 1Vrms,f= 1kHz 80 88 dB Vomin(2) VIN= 1Vrms,f= 1kHz INMUTE,ﾌｪﾀﾞｰ∞ 90 95 dB VN(1) 全ﾌﾗｯﾄ, IHF-A ﾌｨﾙﾀ 5 10 μV VN(2) 全ﾌﾗｯﾄ, 20∼20kHzBPF 7 15 μV 33 40 mA 10 μA CT 最 大 絞 り 込 み 出 力 雑 音 電 圧 消 費 電 流 IDD 入力｢H｣レベル電流 IIH CL,DI,CE,VIN=9V 入力｢L｣レベル電流 IIL CL,DI,CE,VIN=0V -10 最 大 入 力 電 圧 VCL THD=1% RL=10kΩ 全ﾌﾗｯﾄ,fIN=1kHz 2.5 同 相 信 号 除 去 比 CMRR VIN=0dB,f=1kHz 45 μA 2.9 Vrms dB No.6170-3/23 LTOUT LF3C3 LF3C2 LF3C1 NC NC NC LF1C3 LF1C2 LF1C1 LTIN LVROUT LCOM LCT LSELO ピン配置図 LVRIN LC75386NE-R, 75386NW 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 L5P 49 32 LFIN L5M 50 31 LFOUT L4 51 30 LROUT L3 52 29 LAVSS L2 53 28 LZCLP L1 54 27 DVSS L6 55 26 CL VDD 56 25 DI ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ Vref 57 24 CE R6 58 23 MUTE ＬＣ７５３８６ＮＷ R1 59 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [LC75386NW] Pd max − Ta Pd max − Ta 1400 1200 許容消費電力, Pd max − mW 許容消費電力, Pd max − mW 1400 1000 IC単体 600 400 200 −20 基板サイズ：114.3×76.1×1.6t mm 基板材質：ガラスエポキシ 基板 114.3mm×76.2mm×1.5mm 基板付き 0 −40 (Top view) RTOUT 6 RF3C3 5 RF3C2 4 RF3C1 3 NC 2 NC 1 NC 17 RFIN RF1C3 R5P 64 RF1C2 18 RFOUT RF1C1 R5M 63 RTIN 19 RROUT RVROUT R4 62 RCOM 20 TIM RCT R3 61 RVRIN 21 RZCLP RSELO R2 60 [LC75386NE-R] 800 22 RAVSS 0 20 40 周囲温度, Ta − ℃ 60 80 100 1200 指定基板付き 1040 単体 500 1000 800 600 420 400 200 200 0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta − ℃ No.6170-4/23 22μF R5P 64 63 62 61 RVref 4 5 6 8 9 11 13 14 RF3C1 0.01 μF NC NC RF1C3 RF1C2 0.033 μF RF1C1 1 μF RVROUT RCOM 10μF Vref RCT RVRIN RSELO RVref Vref ・ LC75386NW 版について…LZCLP(pin28),RZCLP(pin21)は、NO CONNECT 端子である。 No.6170-5/23 15 33 16 [TREBLE fo=10000Hz] 12 NC 10 330pF [BASS fo=100Hz] 7 RVref RF3C2 68kΩ 4.7kΩ 0.1μF 3 ZERO CROSSDET 34 RF3C3 1M Ω 2 RVref LVref 35 LOGIC CIRCUIT ZERO CROSSDET 36 RVref 1μF 220pF 1 RVref ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻ CONTROL CIRCUIT ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻ 39 LVref R5M R4 60 LVref R3 59 58 57 56 55 LVref R2 R1 R6 Vref L6 54 Vref 53 LSELO L1 LVRIN 52 10μF LCOM Vref LCT L2 LVROUT LVref LTIN 51 10μF L3 38 NC LVref 37 NC L4 NC 50 49 LF1C1 40 1 μF 41 LF1C2 42 0.033 μF 43 LF1C3 44 LF3C1 45 0.01 μF 46 LF3C2 47 [TREBLE fo=10000Hz] LF3C3 48 [BASS fo=100Hz] 330pF L5M L5P 1μF 220pF 68kΩ 4.7kΩ 0.1μF LTOUT VDD 1μF×6 1M Ω 10μF NO SIGNAL TIMMER CCB INTERFACE 10μF LAVSS LROUT LFOUT LFIN RAVSS MUTE CE DI CL DVSS 17 18 19 20 RFIN RFOUT RROUT TIM 21 RZCLP 22 23 24 25 26 27 28 LZCLP 29 30 31 32 PA PA 1MΩ VDD 10μF 10μF VDD 47kΩ PA PA 0.033μF CE DI μCOM CL 10μF 10μF LC75386NE-R, 75386NW 等価回路／応用回路図 RTOUT RTIN 10μF LC75386NE-R, 75386NW 端子説明 端 子 名 端子 No. L1 L2 L3 L4 L6 R1 R2 R3 R4 R6 54 53 52 51 55 59 60 61 62 58 説 明 備 考 VDD ・ｼﾝｸﾞﾙｴﾝﾄﾞ入力端子 LVref RVref VDD L5M L5P R5M R5P 50 49 63 64 M ・差動入力端子 VDD P LVref RVref VDD LSELO RSELO 48 1 ・入力ｾﾚｸﾀ出力端子 VDD LVRIN RVRIN 47 2 ・2dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの入力端子 ・ﾛｰｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽで入力すること。 LVref RVref VDD LCT RCT 46 3 ・ﾗｳﾄﾞﾈｽ用端子。LCT(RCT)と LVRIN(RVRIN)間に高域補 償用の CR を接続し､LCT(RCT)と Vref 間に低域補償用 CR を接続する。 LCOM RCOM 45 4 ・2dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの出力端子。 ・切換えﾉｲｽﾞ低減のため C 結合で Vref 端子に接続する こと。 LTIN RTIN 43 6 VDD VDD ・ｲｺﾗｲｻﾞ入力端子。 No.6170-6/23 LC75386NE-R, 75386NW 端 子 名 端子 No. 説 明 LF1C1 LF1C2 LF1C3 RF1C1 RF1C2 RF1C3 42 41 40 7 8 9 ・ﾄｰﾝ回路低減用ﾌｨﾙﾀ構成のｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子。 LF1C1(RF1C1)∼LF1C2(RF1C2) LF1C2(RF1C2)∼LF1C3(RF1C3) 間にｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 LF3C1 LF3C2 LF3C3 RF3C1 RF3C2 RF3C3 36 35 34 13 14 15 ・ﾄｰﾝ回路高域用ﾌｨﾙﾀ構成のｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子。 LF3C1(RF3C1)∼LF3C2(RF3C2) LF3C2(RF3C2)∼LF3C3(RF3C3) 間にｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 NC NC NC NC NC NC 39 38 37 10 11 12 ・NC ﾋﾟﾝ。内部は何も接続されていない。 備 考 C2 C1 LVref RVref VDD C3 VDD LTOUT RTOUT 33 16 ・ｲｺﾗｲｻﾞ出力端子 LFIN RFIN 32 17 ・ﾌｪﾀﾞｰﾌﾞﾛｯｸ入力端子。 ・ﾛｰｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽでﾄﾞﾗｲﾌﾞすること。 LFOUT LROUT RFOUT RROUT 31 30 18 19 VDD VDD ・ﾌｪﾀﾞｰ出力端子。ﾌﾛﾝﾄ側/ﾘｱ側をそれぞれ別々に絞り 込める。減衰量は、L/R 同一。 VDD Vref 57 ・VDD/2 電圧発生部、電源ﾘﾌﾟﾙ対策として Vref∼AVSS 間(VSS)間に数 10μF 程度のｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 LVref RVref VDD 56 ・電源端子。 DVSS 27 ・ﾛｼﾞｯｸ系ｸﾞﾗﾝﾄﾞ端子。 LAVSS RAVSS 29 22 ・ｱﾅﾛｸﾞ系ｸﾞﾗﾝﾄﾞ端子。 No.6170-7/23 LC75386NE-R, 75386NW 端 子 名 端子 No. 説 明 備 考 LC75386NE-R のみ LZCLP RZCLP 28 21 VDD ・ｾﾞﾛｸﾛｽ検出回路の帯域制限端子。 ・ 通常はｵｰﾌﾟﾝにして使用すること。 ・ LC75386NW 版は、NO CONNECT 端子である。 LVref RVref VDD 23 ・外部ｺﾝﾄﾛｰﾙﾐｭｰﾄ端子。 ・この端子を VSS ﾚﾍﾞﾙにするとﾌｪﾀﾞｰﾎﾞﾘｳﾑﾌﾞﾛｯｸが強 制的に-∞に設定される。 TIM 20 ・ｾﾞﾛｸﾛｽ回路の無信号時のﾀｲﾏ端子。 ﾃﾞｰﾀをｾｯﾄしてから、ﾀｲﾏが完了するまでｾﾞﾛｸﾛｽ信号 が無い時、強制的にﾃﾞｰﾀをｾｯﾄする。 CL DI 26 25 ・ｺﾝﾄﾛｰﾙの為のｼﾘｱﾙﾃﾞｰﾀ及びｸﾛｯｸの入力端子。 CE 24 ・ﾁｯﾌﾟｲﾈｰﾌﾞﾙ端子。｢H｣→｢L｣になるﾀｲﾐﾝｸﾞで内部のﾗｯ ﾁにﾃﾞｰﾀが書き込まれ各ｱﾅﾛｸﾞｽｲｯﾁが動く。 ｢H｣ﾚﾍﾞﾙでﾃﾞｰﾀ転送がｲﾈｰﾌﾞﾙになる。 MUTE VDD VDD VDD LVROUT RVROUT 44 5 ・1dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの出力端子 No.6170-8/23 LC75386NE-R, 75386NW 内部等価回路 セレクタブロック等価回路図 L5P R3=22.65k LSELO R4=25k LVref L5M 0dB R2=25k 6.702k 1.25dB R1=22.65k 5.804k L6 2.50dB 50k 5.026k 3.75dB LVref 4.532k L4 5.00dB 50k 3.769k 6.25dB LVref 3.264k L3 7.50dB 50k 2.826k 8.75dB LVref 2.447k L2 10.0dB 50k 2.119k 11.25dB LVref 1.835k L1 12.5dB 1.589k 50k 13.75dB LVref IN MUTE SW 1.376k 15.0dB 1.192k 16.25dB ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ 1.032k LVref 0.894k 18.75dB Rch も同一 単位(抵抗値：Ω) 5.774k LVref No.6170-9/23 LC75386NE-R, 75386NW ２ｄＢボリウムブロック等価回路図 LVRIN 41.139k 32.678k 25.957k 20.618k 16.378k ・ﾀｯﾌﾟ上の ﾄｰﾀﾙ抵抗 195kΩ 13.009k 10.334k 8.208k 6.520k ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW 5.179k 4.114k 3.268k 2.596k 2.062k 1.638k 1.301k LCT 6.344k 5.040k 5.750k 4.003k 3.180k 2.526k 2.006k 1.594k ・ﾀｯﾌﾟ下の 1.266k 1.006k ﾄｰﾀﾙ抵抗 0.799k 30.847kΩ 0.634k 0.504k 0.400k 0.318k 0.253k 0.201k 0.159k 0.127k 0.101k 0.080k 0.063k 0.050k 0.040k 0.154k 0dB -2dB LCH 1dB ﾌﾞﾛｯｸへ -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -22dB -24dB -26dB Rch も同一 単位(抵抗値：Ω) -28dB -30dB -32dB -34dB -36dB -38dB -40dB -42dB -44dB -46dB -48dB -50dB -52dB -54dB -56dB -58dB -60dB -62dB -64dB -66dB -68dB -70dB -72dB -74dB -76dB -78dB -∞dB LVref No.6170-10/23 LC75386NE-R, 75386NW １ｄＢボリウムブロック等価回路図 LCH 2dB ﾌﾞﾛｯｸから LVROUT 0dB 5.438k -1dB ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW 44.564k 単位：Ω ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ RCH も同一 -∞dB Vref ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW LCOM トーンブロック等価回路図 LTIN 50k LVref 5.1k 0.711k 8dB 1.751k 6dB 3.595k LVref 1k LVref 68k 4dB 10.977k LF1C2 LF1C3 10dB 1.015k 8dB 1.751k 6dB 3.595k 4dB 10.977k LF3C1 68k 10dB 1.015k 12dB 0.648k LVref 0.648k 1k 12dB LVref 0.711k LF1C1 LTOUT 5.1k LF3C2 LF3C3 単位：Ω No.6170-11/23 LC75386NE-R, 75386NW フェダーボリウムブロック等価回路図 S1 LFIN 5.437k LFOUT 0dB -1dB 4.846k -2dB 8.169k S2 S3 S4 LROUT -4dB 6.489k -6dB 5.154k -8dB 4.094k -10dB FADER=｢1｣で S2、S3 がｵﾝ FADER=｢0｣で S1、S4 がｵﾝ 3.252k -12dB 2.583k -14dB 2.052k -16dB 1.630k -18dB 1.295k -20dB 3.419k -30dB 1.300k -45dB 0.231k -60dB 0.050k 単位：Ω ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ -∞dB LVref ﾒｲﾝﾎﾞﾘｳﾑ 1dBSTEP に-∞ﾃﾞｰﾀを送った場合 S1、S2 がｵｰﾌﾟﾝとなり S3、S4 が同時ｵﾝとなる。 No.6170-12/23 LC75386NE-R, 75386NW コントロール系タイミングおよびデータフォーマット CE DI B0 B1 B2 B3 A0 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D38 D39 D40 D41 D42 D43 ∼ ∼ CL ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷをコントロールするには、ＣＬ，ＤＩ，ＣＥ端子に規定のシリアルデータ を入力する。データの構成は、全５２ビットで、アドレス８ビット、データ４４ビットからなる。 1μs 1μs 1μs min min min CE 1μs min ∼ ∼ ∼ ∼ 1μs min CL ∼ ∼ DI 1μs ≦ TDEST 1) アドレスコード(B0∼A3) ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷは、８ビットのアドレスコードを持ち、三洋のシリアルバス CCB 対応の LSI と 共通仕様することができる。 アドレスコード (LSB) B0 1 B1 0 B2 0 D1 0 0 1 1 0 0 1 1 D2 0 0 0 0 1 1 1 1 B3 0 A0 0 A1 0 A2 0 A3 1 (81HEX) 2) 制御コード割り当て 入力切換え制御 D0 0 1 0 1 0 1 0 1 D3 L1 L2 L3 L4 L5 L6 設 定 (R1) (R2) (R3) (R4) (R5) (R6) 設 定 LSI ﾃｽﾄ用：通常時は、使用 しないこと LSI のﾃｽﾄ用ﾋﾞｯﾄ：通常時はかならず 0 を設定すること No.6170-13/23 LC75386NE-R, 75386NW 入力ゲイン制御 D4 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 D5 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D6 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 D7 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 動 作 0dB +1.25dB +2.50dB +3.75dB +5.00dB +6.25dB +7.50dB +8.75dB +10.0dB +11.25dB +12.5dB +13.75dB +15.0dB +16.25dB +17.5dB +18.75dB No.6170-14/23 LC75386NE-R, 75386NW ボリウム制御 D8 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D15 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 動 作 1dB STEP 0dB -1dB 2dB STEP 0dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -22dB -24dB -26dB -28dB -30dB -32dB -34dB -36dB -38dB -40dB -42dB -44dB -46dB -48dB -50dB -52dB -54dB -56dB -58dB -60dB -62dB -64dB -66dB -68dB -70dB -72dB -74dB -76dB -78dB MUTE -∞ INMUTE No.6170-15/23 LC75386NE-R, 75386NW トーン制御 D16 D24 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 D17 D25 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 D18 D26 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 D19 D27 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 バス トレブル +12dB +10dB +8dB +6dB +4dB +2dB 0dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB D20 0 D21 0 D22 0 D23 0 設 定 0 に設定する D30 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 D31 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0dB -1dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -30dB -45dB -60dB -∞ フェダーボリウム制御 D28 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 D29 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 動 作 チャネル選択制御 D32 0 1 0 1 D33 0 0 1 1 設 定 L/R 同時，ｲﾆｼｬﾙ設定ﾓｰﾄﾞ RCH LCH L/R 同時 フェダー リア／フロント制御 D34 0 1 設 定 ﾘｱ ﾌﾛﾝﾄ No.6170-16/23 LC75386NE-R, 75386NW ラウドネス制御 D35 0 1 設 定 OFF ON ゼロクロス制御 D36 0 1 D37 0 1 設 定 ｾﾞﾛｸﾛｽ検出によりﾃﾞｰﾀ書き込み ｾﾞﾛｸﾛｽ検出動作停止(CE の立下りでﾃﾞｰﾀ書き込み) ゼロクロス信号 検出ブロックの制御 D38 0 1 0 1 D39 0 0 1 1 D40 0 0 0 0 D41 0 0 0 0 設 定 ｾﾚｸﾀ ﾎﾞﾘｳﾑ ﾄｰﾝ ﾌｪﾀﾞｰ テストモード制御 D42 0 D43 0 設 定 LSI のﾃｽﾄ用のためかならず 0 を設定する No.6170-17/23 LC75386NE-R, 75386NW 使用上の注意 (1) 電源投入時におけるデータ送信について ・電源投入時、内部のアナログスイッチの状態は不定である。データをセットするまでは、ミューティング等の 対策を外部で行うこと。 ・電源投入時、各ブロックのバイアスを短時間で安定させるために一度イニシャル設定データを送信すること。 ① イニシャル設定モードから初期データ設定までの時間 ・VDD=6V 以上になってから、イニシャル設定データを送信すること。 ・LCOM 端子、RCOM 端子が VREF レベルに安定してから、初期データを設定すること。 LCOM 端子、RCOM 端子に接続されているｺﾝﾃﾞﾝｻが VREF ﾚﾍﾞﾙまでﾁｬｰｼﾞされるまでの時間 1/2 VDD ﾚﾍﾞﾙ VREF VDD=9V(TYP) VDD=6V VDD ﾃﾞｰﾀ ｲﾆｼｬﾙ設定 ﾓｰﾄﾞ 初期ﾃﾞｰﾀ LCH 側 初期ﾃﾞｰﾀ RCH 側 ｲﾆｼｬﾙ設定 ﾓｰﾄﾞ解除 ② イニシャル設定モードの設定方法 D32，D33 を 00 に設定すると、内蔵イニシャル設定用 SW がオンし、急速充電モードに設定される。 この時、他のデータ(D0∼D31，D34∼D43)は Lch/Rch 同時に設定されるので、各ブロックの状態設定も同時に 行うことができる。 ③ イニシャル設定モード解除の方法 D32，D33 が 00 以外、すなわち通常の Lch/Rch チャネル指定を行えば、内蔵イニシャル設定用 SW がオフし、 急速充電モードを解除できる。 (2) ゼロクロス切換え回路の動作説明 LC75386NE-R/NW は、ｾﾞﾛｸﾛｽｺﾝﾊﾟﾚｰﾀの信号検出場所を切換えられる機能を有し、データを更新するブロックに 最適な検出場所を選択できる。基本的には、データを更新するブロックの直後の信号をゼロクロスコンパレー タに入力すれば切換えノイズを最小にできるので、その都度検出場所を切換える必要がある。 また、信号振幅がゼロクロスコンパレータの検出感度以下(数 mVrms)になった場合(ボリウムをしぼった状態) は、ゼロクロスタイマオーバフローによる書込みを行うよりも、ボリウムブロックの前すなわちセレクタブロ ックの出力でゼロクロスを検出した方が切換えノイズを小さくできる。例えば、ボリウムブロックの入力振幅 が 1Vrms の場合、ボリウムを-40dB 以下に設定すると 10mVrms 以下となるので、セレクタブロック出力で検出 した方が、切換えノイズを小さくできる。 セレクタ ボリウム トーン フェダー スイッチ ゼロクロス コンパレータ LC75386NE-R/NW ゼロクロス検出回路 No.6170-18/23 LC75386NE-R, 75386NW (3) ゼロクロス切換え制御方法 ゼロクロス切換えの制御方法は、ゼロクロス制御ビットをゼロクロス検出モードに設定(D36,D37=0)し、検出ブ ロック(D38,D39,D40,D41)を指定してからデータを送信する。これらの制御ビットは、データ転送直後、すなわ ちCE の立ち下がりに同期して先にラッチされるので、ボリウム等のデータを更新する際は一回のデータ転送で モ ードの設定およびゼロクロス切換え動作を行うことができる。以下に、ボリウムブロックのデータを更新す る際の制御例を示す。 D36 0 D37 0 D38 1 D39 0 D40 0 D41 0 ボリウムブロック 設定 ゼロクロス検出 モード設定 (4) ゼロクロスタイマの設定 入力信号がゼロクロスコンパレータの検出感度以下になった場合、あるいは低周波信号のみが入力されている 場合には、ゼロクロスを検出できない状態が続き、その間データがラッチされなくなる。 ゼロクロスタイマは、このようにゼロクロスを検出できない状態において強制的にラッチする時間を設定する タイマで、確実にゼロクロスを検出できる下限周波数を考慮に入れて決定する。 例えば、25ms に設定する場合 T=0.69CR C=0.033μF とすると 25×10-3 R= ≒1.1MΩ 0.69×0.033×10-6 となる。 (5) シリアルデータ転送に関する注意事項 ① CL，DI，CE 端子に伝送される高周波ディジタル信号がアナログ信号系に飛び込まないように、これらの信号ラ インはグランドパターンでガードするか、シールド線による伝送を行うこと。 ② LC75386NE-R/NW のデータフォーマットは、アドレス 8 ビット，データは 44 ビットである。データを 8 の倍数 で送信する場合( 4 8 ビットを送信する場合)、図 1 のようなデータの送り方をすること。 LC75386NE-R/NW の 8 の倍数によるデータの受信方法 X X X ﾀﾞﾐｰﾃﾞｰﾀ X D0 D1 D2 D3 入力切換え制御 ･･･････ D36 D37 D38 D39 D40 D41 D42 D43 ﾃｽﾄﾓｰﾄﾞ制御 X：don t care ③ CCB 転送時本 IC は、CE の立ち上がりでアドレスの一致検出を行っているが、この時CL は必ず｢L｣レベルにし て立ち上げること。 No.6170-19/23 LC75386NE-R, 75386NW 出力レベル特性 20 VDD=9V,VSS=0V,VIN= 0 dBV オーバーオール 入力＝L1,出力＝LF OUT 設定：0dB∼-54dBポジション(-2dBステップ) 10 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 -42 -44 -46 -48 -50 -52 -54 0 レベル − dB -10 -20 -30 -40 -50 -60 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1k 2 3 5 7 10k 2 3 5 7 100k 3 5 7 10k 2 3 5 7 100k 周波数,f − Hz ラウドネス特性 20 VDD=9V,VSS=0V,VIN= 0 dBV オーバーオール 入力＝L1,出力＝LF OUT 設定：0dB∼-54dBポジション(-2dBステップ) 10 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 -42 -44 -46 -48 -50 -52 -54 0 出力レベル − dBV -10 -20 -30 -40 -50 -60 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1k 2 周波数,f − Hz No.6170-20/23 LC75386NE-R, 75386NW メインボリウムステップ特性 -10 減衰量 − dB -20 20 VDD=9V VSS=0V VIN= 0 dBV f=1kHz 18 16 出力レベル − dB 0 -30 -40 -50 -60 12 10 8 6 4 -80 2 -∞ -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 0 0 VDD=9V VSS=0V VIN=-20dBV f=1kHz 14 -70 -90 ゲインステップ特性 2 4 6 ステップ − dB 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 V -20 1.0 7 5 VDD=9V VSS=0V VIN=0dBV f=1kHz 全高調波ひずみ率, THD − ％ フェダーボリウム減衰量 − dB -10 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -∞ -70 -60 -50 -40 -30 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 12 14 16 18 20 -20 -10 0 3 2 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 V THD - 周波数特性 VDD=9V,VSS=0V,VIN=-10dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT 80kHzローパスウェイト 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 0.001 10 2 3 5 7100 2 3 5 7 1k 2 3 5 710k 2 3 5 7100k 周波数,f − Hz ステップ − dB 入 力 ゲ イ ン 部 10 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 入 力 ゲ イ ン 部 フェダーボリウムステップ特性 0 8 ステップ − dB フ ェ ダ ー 部 V 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 THD METER No.6170-21/23 LC75386NE-R, 75386NW 3 2 THD - 電源電圧特性 THD - 入力レベル特性 1.0 7 5 VDD=9V,VSS=0V 80kHzローパスウェイト VR=0dBポジション 0.1 7 5 f=2 f= 3 2 全高調波ひずみ率, THD − ％ 全高調波ひずみ率, THD − ％ 1.0 7 5 1k 0kH z Hz 0.01 7 5 3 2 0.001 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 VSS=0V 80kHzローパスウェイト 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 0.001 4 VI N=0d BV, f=20 kHz VI N= 1 0 0d d B V BV , f=2 V 0kHz , f= IN = 1 -10 kH z dB V, f=1 kH z V IN = 5 6 入 力 ゲ イ ン 部 0 -5 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 THD METER 入 力 ゲ イ ン 部 バス特性 0 VDD=9V,VSS= 0V,VIN=-20dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT -5 8 9 10 11 12 13 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 THD METER フ ェ ダ ー 部 トレブル特性 VDD=9V,VSS=0V,VIN=-20dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT -10 レベル − dB レベル − dB -10 -15 -20 -25 -15 -20 -25 -30 -30 -35 -35 -40 10 7 電源電圧 − V 入力レベル, VIN − dBV 2 3 5 7100 2 3 5 7 1k 2 3 周波数,f − Hz 5 7 10k 2 3 5 7100k -40 10 2 3 5 7100 2 3 5 7 1k 2 3 5 7 10k 2 3 5 7100k 周波数,f − Hz No.6170-22/23 LC75386NE-R, 75386NW 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替および外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 Y184 PS No.6170-23/23