SANYO 5HN01N

注文コード No. N 6 6 3 8
5HN01N
No. N 6 6 3 8
82200
新
5HN01N
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
unit
50
± 20
V
V
0.1
0.4
A
A
PD
Tch
0.4
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
min
50
max
unit
V
10
± 10
µA
µA
2.4
V
mS
7.5
10.5
Ω
Ω
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=50V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 16V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=50mA
1
85
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=50mA, VGS=10V
ID=30mA, VGS=4V
5.8
7.5
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
6.2
4.4
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
1.5
120
pF
pF
pF
次ページへ続く。
外形図 2178
(unit：mm)
5.0
4.0
5.0
4.0
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.45
0.5
0.6
2.0
0.45
0.44
14.0
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1
1.3
2
1 : Source
2 : Drain
3 : Gate
3
1.3
SANYO：NP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
82200 TS IM ◎祝田 TA-2035 No.6638-1/4
5HN01N
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ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
〃
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
min
typ
max
unit
10
11
ns
ns
〃
〃
105
75
ns
ns
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=100mA
1.40
0.21
nC
nC
Qgd
VSD
IS=100mA, VGS=0
0.34
0.85
1.2
nC
V
単体品名表示：YC
スイッチングタイム測定回路図
10V
0V
VDD=25V
VIN
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
D
ID=50mA
RL=500Ω
VOUT
G
5HN01N
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
ID -- VGS
0.20
VDS=10V
3.0
V
0.16
10
.0V
ドレイン電流, ID -- A
0V
ドレイン電流, ID -- A
6.
4.
0.08
0.06
0.04
2.5V
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.02
VGS=2.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
1.0
RDS(on) -- VGS
12
Ta=25°C
11
10
9
50mA
8
ID=30mA
7
6
5
4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
IT00042
9
10
IT00044
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
Ta=
--25°C
75°C
25°
C
0.18
0V
8 .0
V
0.10
1
4
5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
2
3
IT00043
RDS(on) -- ID
100
VGS=10V
7
5
3
2
10
Ta=75°C
25°C
--25°C
7
5
3
2
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
ドレイン電流, ID -- A
2
3
IT00045
No.6638-2/4
VGS=4V
7
5
3
2
25°C
Ta=75°C
10
7
5
--25°C
3
2
1.0
0.01
2
3
5
7
2
0.1
ドレイン電流, ID -- A
10
=4V
V GS
,
10V
mA
S=
=30
, VG
ID
A
50m
I D=
8
6
4
2
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT00047
IF -- VSD
3
VGS=0
2
25°C
2
25°C
Ta= --
0.1
75°C
7
5
3
0.1
7
5
3
2
2
0.01
0.01
2
3
5
7
2
0.1
ドレイン電流, ID -- A
0.01
0.4
3
td(off)
100
7
5
tf
3
2
tr
10
7
5
td(on)
0.8
0.9
1.1
1.0
3
2
1.2
IT00049
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
7
5
VDD=25V
VGS=10V
3
2
0.7
0.6
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT00048
SW Time -- ID
1000
7
5
0.5
25°C
--25°C
3
Ta= 7
5°C
5
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
12
周囲温度, Ta -- °C
VDS=10V
7
スイッチングタイム, SW Time -- ns
RDS(on) -- Ta
14
IT00046
yfs -- ID
1.0
f=1MHz
3
2
10
7
5
Ciss
3
2
Coss
Crss
1.0
7
5
3
2
1.0
0.01
0.1
2
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
0
0.1
IT00050
5
10
15
20
25
30
35
40
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
45
50
IT00051
PD -- Ta
0.5
VDS=10V
ID=0.1A
9
0.4
8
許容損失, PD -- W
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- ID
100
Ciss, Coss, Crss -- pF
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
5HN01N
7
6
5
4
3
2
0.3
0.2
0.1
1
0
0
0
0.3
0.6
0.9
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.2
1.5
IT00052
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT02383
No.6638-3/4
5HN01N
取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
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PS No.6638-4/4