DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Dioden Sätze mit Allzweckdioden Small Signal Diode Arrays Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse 80 V 24 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Dimensions / Maße in mm "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Type Typ see page 22 s. Seite 22 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] DAN 801 80 80 DAP 801 80 80 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation TA = 25/C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb TU = 25/C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFAV IFAV 100 mA 1) 25 mA 1) IFAV IFAV 100 mA 1) 25 mA 1) IFSM 500 mA 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 364 28.02.2002 DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Forward voltage Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 10 mA VF < 1.0 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25/C VR = 20 V IR < 25 nA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 85 K/W 1) 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 365