ETC U7001BG

U7001BG
CT2 Front End IC
Description
U7001BG is a monolithic GaAs transmit/ receive front
end with power amplifier, low noise amplifier and
antenna switch. It is specially designed for operation in
CT2 band and suitable for a frequency range of 839 MHz
to 952 MHz with external matching.
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Features
Benefits
D
D
D
D
D
D
D
D Extended talk time due to low power consumption and
Low supply voltage 3.6 V typical (min. 2.7 V)
high PAE
High power added efficiency (typ. 40%)
D Few external components and very small package
Low power consumption in receive mode
save space
Power down control pin for low noise amplifier
Gain control of power amplifier
Low noise amplifier
Optional high output power 50 mW @ 5 V supply
voltage
D SSO20 plastic package
Block Diagram
PA Ctrl
12
PA In
LNA /SW VDD
LNA Ctrl
LNA Out
8
VDD(PA) PA Out
14
16
SW TX
17
SW Ctrl
2
18
PA
Switch
7
20
SW Ant
3
6
LNA
4
1
5,9,10,11,13,15,19
94 8824
LNA In
SW RX
GND
Figure 1. Block diagram
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
1 (11)
Preliminary Information
U7001BG
Pin Description
SW RX
1
20
SW Ant
SW Ctrl
2
19
GND
LNA Ctrl
3
18 SW TX
LNA In
4
17
GND
5
PA Out
16 PA VDD2
U7001BG
LNA Out
6
15 GND
LNA/SW VDD
7
14
PA In
8
13 GND
GND
9
12
GND
10
PA VDD1
PA Ctrl
11 GND
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pin
1
2
3
4
5,9,10,
11,13
15,19
6
7
8
12
14
16
17
18
20
Symbol
SW RX
SW Ctrl
LNA Ctrl
LNA In
GND
Function
Switch RX output
Switch control input
LNA control input
Low noise amplifier input
Ground
LNA Out
LNA/SW
VDD
PA In
PA Ctrl
PA VDD1
PA VDD2
PA Out
SW TX
SW Ant
LNA output
LNA & Switch power supply
voltage
Power amplifier input
PA control input
PA power supply voltage 1
PA power supply voltage 2
PA output
Switch TX input
Switch antenna output
94 8825
Absolute Maximum Ratings
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Parameters
Pins 7, 14 and 16
Pins 4, 8, 18 and 20
Pins 2, 3 and 12
Supply voltages
Input voltages
Control voltages
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDD
Vi
VC
Tch
Tstg
Value
+7
0 to VDD
0 to VDD
125
– 40 to + 125
Unit
V
V
V
°C
°C
Thermal Resistance
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Operating Range
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ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
Channel ambient
Parameters
SSO20
Symbol
Rthch
Value
140
Unit
K/W
Supply voltage
Parameters
Pin 7
Symbol
LNA/SW
VDD
VDD
Tamb
Value
2.7 to 5.25
Unit
V
2.7 to 5.25
– 40 to + 85
V
°C
Supply voltage
Pins 14 and 16
Ambient temperature range
2 (11)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
U7001BG
Electrical Characteristics Low Noise Amplifier (LNA)
Test conditions (unless otherwise specified): VDD = 3.3 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W, fRF = 866 MHz
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
W
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Supply current
Supply current
Test Conditions / Pins
Pin 7
@ VDD = 2.9 V, Pin 7
@ VDD = 2.9 V, Pin 7;
LNA Ctrl = 0 V:
LNA“off”
Frequency range
Pin 4
Linear power gain
Pins 4 and 6
Noise figure
Pins 4 and 6
Compression
Pins 4 and 6
Third order input intercept Pins 4 and 6
point
Isolation
Pins 6 and 4
(from output to input)
Input impedance
Pin 4
Output impedance
Pin 6
LNA control voltage
Pin 3: LNA Mode “off”
Pin 3: LNA Mode “on”
Symbol
VDD
Is
Is
Min.
2.9
Typ.
3.6
3.5
0.5
Max.
5.25
5.0
Unit
V
mA
mA
f
Gp
NF
P_1dB
IIP3
839
952
– 29
– 19
866
14
2.0
– 27
– 17
MHz
dB
dB
dBm
dBm
IsolLNA
20
25
50
LNA Ctrl
VDD–0.5
50
100
0.0
VDD
2.5
dB
0.5
V
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 2.9 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Supply current
Supply current
Test Conditions / Pins
Pin 7
@ VDD = 2.7 V, Pin 7
@ VDD = 2.7 V, Pin 7;
LNA Ctrl = 0 V:
LNA“off”
Frequency range
Pin 4
Linear power gain
Pins 4 and 6
Noise figure
Pins 4 and 6
Compression
Pins 4 and 6
Third order input intercept Pins 4 and 6
point
Isolation
Pins 6 and 4
(from output to input)
Input impedance
Pin 4
Output impedance
Pin 6
LNA control voltage
Pin 3: LNA Mode “off”
Pin 3: LNA Mode “on”
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
Symbol
VDD
Is
Is
Min.
2.9
Typ.
3.6
3.0
0.5
Max.
5.25
4.0
Unit
V
mA
mA
f
Gp
NF
P_1dB
IIP3
839
952
– 29
– 19
866
12
2.0
– 28
– 18
MHz
dB
dB
dBm
dBm
IsolLNA
20
25
50
LNA Ctrl
VDD–0.5
50
100
0.0
VDD
2.5
dB
0.5
V
3 (11)
Preliminary Information
U7001BG
Electrical Characteristics Power Amplifier
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 5.0 V, PA Ctrl = 5 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System Impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Supply current
Supply current
Frequency range
Linear power gain
Power response
Output Power
Input matching
Output matching
Power added efficiency
Test Conditions / Pins
Pins 14 and 16
Pins 14 and 16
Pin 12
Pin 8
Pins 8 and 17
@ Pin = – 14 dBm
At 3 dB gain compression;
Pin 17
Pins 17 and 12
Pout = Poutmax
Pout = Poutmax – 16 dB
Pout = Poutmin
Pins 12 and 17
90% Poutmax
10% Poutmax
At 3 dB gain compression
Pins 17 and 8
(from output to input)
Pin 8
Pin 17
Pin 17
Input impedance
Output impedance
Pin 8
Pin 17
Gain control range
Gain control voltage
Gain control voltage
Gain control voltage
Switching time
Turn on time
Turn off time
Harmonic levels
Isolation
Symbol
VDD1,2
Is
I Ctrl
f
Gp
Min.
2.7
839
34
Typ.
3.6
33
5.0
866
36
Pout
17
18
Gc
PA Ctrl
PA Ctrl
PA Ctrl
30
33
4.5
1.2
0.0
Max.
5.25
40
6.0
952
Unit
V
mA
mA
MHz
dB
dBm
VDD
dB
V
V
V
ms
ms
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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h
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ton
toff
IsolPA
VSWRin
VSWRout
– 18
20
1.9 : 1
PAE
Zin
Zout
4 (11)
Preliminary Information
2
5
– 25
25
dBc
dB
1.6 : 1
2.0 : 1
40
%
50
50
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
U7001BG
Electrical Characteristics Power Amplifier
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 3.6 V, PA Ctrl = 3.6 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Supply current
Supply current
Frequency range
Linear power gain
Power response
Output Power
Input matching
Output matching
Power added efficiency
Test Conditions / Pins
Pins 14 and 16
Pins 14 and 16
Pin 12
Pin 8
Pins 8 and 17
@ Pin = – 14 dBm
At 3 dB gain compression;
Pin 17
Pins 17 and 12
Pout = Poutmax
Pout = Poutmax – 16 dB
Pout = Poutmin
Pins 12 and 17
90% Poutmax
10% Poutmax
At 3 dB gain compression
Pins 17 and 8
(from output to input)
Pin 8
Pin 17
Pin 17
Input impedance
Output impedance
Pin 8
Pin 17
Gain control range
Gain control voltage
Gain control voltage
Gain control voltage
Switching time
Turn on time
Turn off time
Harmonic levels
Isolation
Symbol
VDD1,2
Is
I Ctrl
f
Gp
Min.
2.7
839
32
Typ.
3.6
30
5.0
866
35
Pout
15
17
Gc
PA Ctrl
PA Ctrl
PA Ctrl
30
33
2.9
1.2
0.0
Max.
5.25
36
6.0
952
Unit
V
mA
mA
MHz
dB
dBm
VDD
dB
V
V
V
ms
ms
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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h
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
ton
toff
IsolPA
VSWRin
VSWRout
– 18
20
1.9 : 1
PAE
Zin
Zout
2
5
– 25
25
dBc
dB
1.6 : 1
2.0 : 1
45
%
50
50
5 (11)
Preliminary Information
U7001BG
Electrical Characteristics Power Amplifier
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 2.7 V, PA Ctrl = 2.7 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Supply current
Supply current
Frequency range
Linear power gain
Power response
Output Power
Gain control range
Gain control voltage
Gain control voltage
Gain control voltage
Switching time
Turn on time
Turn off time
Harmonic levels
Isolation
Test Conditions / Pins
Pins 14 and 16
Pins 14 and 16
Pin 12
Pin 8
Pins 8 and 17
@ Pin = –15 dBm
At 3 dB gain compression;
Pin 17
Pins 17 and 12
Pout = Poutmax
Pout = Poutmax – 16 dB
Pout = Poutmin
Pins 12 and 17
90% Poutmax
10% Poutmax
At 3 dB gain compression
Pins 16, 8
(from output to input)
Pin 8
Pin 16
Pin 16
Pin 8
Pin 16
Symbol
VDD1,2
Is
I Ctrl
f
Gp
Min.
2.7
839
30
Typ.
3.6
25
4.5
866
32
Pout
12
14
Gc
PA Ctrl
PA Ctrl
PA Ctrl
30
33
2.7
1.5
0.0
Max.
5.25
30
5.5
952
Unit
V
mA
mA
MHz
dB
dBm
VDD
dB
V
V
V
ms
ms
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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h
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ÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
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ÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
Input matching
Output matching
Power added efficiency
Input impedance
Output impedance
ton
toff
IsolPA
VSWRin
VSWRout
– 20
20
1.9 : 1
PAE
Zin
Zout
6 (11)
Preliminary Information
2
5
– 25
25
1.4 : 1
2.0 : 1
35
50
50
dBc
dB
%
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
U7001BG
Electrical Characteristics Antenna Switch
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 3.6 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
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W
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W
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W
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Test Conditions / Pins
Pin 7
Frequency range
Insertion loss
Pins 1, 18 and 20
@ Pin = +16 dBm;
Pin 18 to Pin 20;
“TX Mode”
@ Pin = +16 dBm;
Pin 18 to Pin 1;
“TX Mode”
@ Pin = –26 dBm;
Pin 20 to Pin 1;
“RX Mode”
@ Pin = –26 dBm;
Pin 20 to Pin 18;
“RX Mode”
RX Mode; Pin 2
TX Mode
TX Mode; Pin 18
RX Mode; Pin 1
RX TX–Mode; Pin 20
Isolation
Insertion loss
Isolation
Switch control
Input impedance
”
Output impedance
Symbol
LNA/SW
VDD
f
ILTX
Min.
2.7
Typ.
3.6
Max.
5.0
Unit
V
839
866
1.0
952
1.3
MHz
dB
IsolTX
12
15
ILRX
dB
1.0
IsolTX
16
18
SW Ctrl
SW Ctrl
Zin
Zin
Zout
0
VDD –0.5
0
VDD
50
50
50
1.3
dB
dB
0.05
VDD +0.5
V
V
Test conditions (unless otherwise specified); VDD = 2.7 V, Tamb = 25°C, referred to test circuit.
System impedance Zo = 50 W; fRF = 866 MHz
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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Á
ÁÁÁÁ
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Á
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Supply voltage range
Test Conditions / Pins
Pin 7
Frequency range
Insertion loss
Pins 1, 18 and 20
@ Pin = +14 dBm;
Pin 18 to Pin 20;
“TX Mode”
@ Pin = +14 dBm;
Pin 18 to Pin 1;
“TX Mode”
@ Pin = –26 dBm;
Pin 20 to Pin 1;
“RX Mode”
@ Pin = –26 dBm;
Pin 20 to Pin 18;
“RX–Mode”
RX Mode; Pin 2
TX Mode; Pin 2
TX Mode; Pin 18
RX Mode; Pin 1
RX TX–Mode; Pin 20
Isolation
Insertion loss
Isolation
Switch control
Input impedance
Input impedance
Output impedance
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
Symbol
LNA/SW
VDD
f
ILTX
Min.
2.7
Typ.
3.6
Max.
5.0
Unit
V
839
866
1.0
952
1.3
MHz
dB
IsolTX
11
13
ILRX
1.0
IsolTX
15
SW Ctrl
SW Ctrl
Zin
Zin
Zout
0
VDD –0.5
dB
1.3
dB
dB
0
VDD
50
50
50
0.05
VDD +0.5
V
V
7 (11)
Preliminary Information
U7001BG
94 8838
Figure 2. Gain variation of power amplifier with switch and filter. @ VDD = 3.6 V (typical values)
TX
PA
Antenna
Switch
LNA
U7001 BG
RX
94 8837
Figure 3. Application 1
8 (11)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
U7001BG
TX
PA
Switch
Antenna
LNA
U 7001 BG
RX
94 8836
Figure 4. Application 2
+VDD
100 pF
100 pF
SWITCH Ctrl
12 nH
10 nH
PA Ctrl
PA In
12
8
14
16
17
18
2
PA
LNA/SWITCH
VDD
100 pF
Antenna
SW
Switch
7
LNA Ctrl
20
3
LNA Out
15 nH
6
LNA
4
5,9,10,11,13,15,19
1
GND
18 nH
1.5 pF
95 9946
Figure 5. Application for minimal component count
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
9 (11)
Preliminary Information
U7001BG
Dimensions in mm
Package:SSO20
10 (11)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
U7001BG
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances ( ODSs).
The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban
on these substances.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH semiconductor division has been able to use its policy of
continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency ( EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.
TEMIC can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain
such substances.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized
application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of,
directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or
unauthorized use.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A3, 05-Jul-96
11 (11)
Preliminary Information