U2761B DECT RF / IF IC Description The U2761B is an integrated circuit manufactured in TEMIC’s UHF5S technology, designed for DECT application. It contains rejection mixer, IF amplifier, FM demodulator, baseband filter, RSSI, TX preamplifier and power-ramping generator for power amplifier. Features D Supply-voltage range 2.7 to 5.5 V D Low current consumption D Few external components D On-chip baseband filter D LO switch and TX preamplifier D Ramp-signal generator for power amplifier Block Diagram QUAD_TANK2 IF_TANK1 IF_IN1 IF amp 1 IF_TANK2 QUAD_TANK1 DEMOD_OUT VS1 VS2 Demodulator IF amp 2 Bandgap IF_IN2 MIXER_IN1 IR mixer T/R switch TX driver TX_RF_OUT MIXER_IN2 Ramp generator MIXER_OUT1 Control logic RAMP_SET TX_ON MIXER_OUT2 RAMP_OUT + – OpAmp OP_OUT 14657 LO_IN2 RX_ON OP_N LO_IN1 OP_P Figure 1. Block diagram Ordering Information Extended Type Number U2761B TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 Package SSO28 Remarks 1 (11) Preliminary Information U2761B Pin Description RSSI 1 28 OP_OUT PU 2 27 OP_P IF_TANK1 3 26 IF_TANK2 4 25 DEMOD_OUT 5 24 QUAD_TANK2 MIXER_IN1 6 23 QUAD_TANK1 MIXER_IN2 7 22 GND3 GND1 21 GND2 8 OP_N LO_IN2 20 LO_IN1 TX_RF_OUT 9 19 VS1 10 VS2 IF_IN1 11 18 MIXER_OUT2 IF_IN2 12 17 MIXER_OUT1 RAMP_OUT 13 16 TX_ON RAMP_SET 14 15 14808 Figure 2. Pinning RX_ON ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Pin 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 Symbol RSSI Function Received signal strength indicator output PU Hardware power-up input IF_TANK1 IF tank circuit Pin 1 IF_TANK2 IF tank circuit Pin 2 GND1 Ground MIXER_IN1 Mixer RF differential input 1 MIXER_IN2 Mixer RF differential input 2 GND2 Ground TX_RF_OUT Output of TX driver amplifier VS1 Supply voltage input 1 IF_IN1 IF amplifier differential input 1 IF_IN2 IF amplifier differential input 2 RAMP_OUT Ramp-signal output for PA RAMP_SET Slew-rate setting of ramp signal RX_ON RX control input TX_ON TX control input MIXER_OUT1 Mixer IF differential output 1 MIXER_OUT2 Mixer IF differential output 2 VS2 Supply voltage input 2 LO_IN1 Local oscillator input 1 LO_IN2 Local oscillator input 2 GND3 Ground QUAD_TANK1 Quadrature tank circuit 1 QUAD_TANK2 Quadrature tank circuit 2 DEMOD_OUT Output of demodulator OP_N OP – Input inverting OP_P OP – Input non-inverting OP_OUT OP – Output 2 (11) Preliminary Information TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 U2761B Absolute Maximum Ratings All voltages are referred to GND (Pins 5, 8 and 22) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Thermal Resistance Supply voltage Junction temperature Storage temperature Parameters Pins 10 and 19 Symbol VS Tj Tstg Value 6 150 –40 to +125 Unit V °C °C Parameters Symbol RthJA Value 130 Unit K/W Junction ambient Operating Range All voltages are referred to GND (Pins 5, 8 and 22) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Electrical Characteristics Supply voltage Ambient temperature Parameters Pins 10 and 19 Symbol VS Tamb Min. 2.7 –25 Typ. 3.0 +25 Max. 5.5 +85 Unit V °C Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W Á ÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters Power supply Total supply pp y current IR mixer Image-rejection ratio DSB noise figure Conversion gain Output interception point Input impedance Input matching LO switch and TX driver Power gain (high) Input impedance Input matching Isolation LO-TX Output impedance Maximum output power Gain compression Output interception point TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 Test Conditions / Pins TX RX RX (RSSI only) Standby, PU = GND Pins 6, 7, 17 and 18 Pins 17 and 18 Symbol Min. IS IRR NFDSB= Pins 17 and 18 NFSSB Rload = 200 Gconv Pins 17 and 18 OIP3 Pins 6 and 7 Zin Pins 6 and 7 VSWRin Pin 9, 20 and 21 @ Pin = –40 dBm Gp Pin 20 or Pin 21 to GND Zin Pins 20 and 21 VSWRin RX mode: LO Pin 20 or Isol Pin 21 to Pin 9 Pin 9 Zout Pin 9 Pmax @ TX_RF_OUT Pin 9 P1dB Pin 9 OIP3 Typ. 30 50 47 1 Max. Unit 10 mA mA mA A 20 dB 10 dB 12 10 50 <2:1 dB dBm 30 50 <2:1 dB 37 dB 100 3 1 10 dBm dBm dBm 3 (11) Preliminary Information U2761B Electrical Characteristics (continued) Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ m ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters IF amplifier Input impedance Lower cut-off frequency Upper cut-off frequency Power gain Bandwidth of external tank circuit Noise figure RSSI RSSI sensitivity RSSI compression RSSI dynamic range RSSI resolution RSSI rise time RSSI fall time Quiescent output current Max. output current FM demodulator Co-channel rejection ratio Sensitivity Amplitude of recovered signal Output-voltage DC range Output impedance AM rejection ratio OpAmp Power gain bandwidth Excess phase Input offset voltage Open loop gain Output voltage range Common mode input voltage Common mode rejection ratio Total harmonic distortion Test Conditions / Pins Pins 3, 4, 11 and 12 Pins 11 and 12 Pins 3 and 4 Pins 1, 6 and 7 At IF_IN1, _ , IF_IN2 _ Pins 6 and 7 Symbol Min. Zin fl3dB fu3dB Gp 200 Max. Unit 400 90 130 85 MHz MHz dB BW3dB 10 MHz NF 9 dB Pmin Pmax DR 20 100 80 dB V dB V dB ±2 dB 1 s 1 s 30 A 150 A 10 dB 0.5 V/MHz 288 mVss Slope of the RSSI has to be Acc steady Pin = 30 dB V to tr 100 dB V Pin 1 Pin = 100 dB V to tf 30 dB V Pin 1 @ Pin < 20 dB V at Iout IF_IN1, IF_IN2 Pin 1 @ Pin = 100 dB V at Iout IF_IN1, IF_IN2 Pin 1 Pins 23, 24 and 25 @ Pin = –75 dBm at CCRR IR-mixer input Quality factor of external S tank circuit approx. 20 Nominal deviation of A signal ±288 kHz Pin 25 FMoutDC Pin 25 Zout Pin 25 AMRR Pins 26, 27 and 28 PGBW Rload = 1 kW, Cload = 15 pF d Pins 26 and 27 Voffs g Pin 28 Vout Pins 26 and 27 Typ. Vin 0.4 VS – 0.4 13 tbd 10 80 ±1 70 V k dB 0.3 VS – 0.3 MHz ° mV dB V 0.3 VS – 0.3 V Pin 28 CMRR tbd dB Pin 28 THD tbd % 4 (11) Preliminary Information TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 U2761B Electrical Characteristics (continued) Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters Test Conditions / Pins Ramp generator Pins 13 and 14 Min. output voltage Accord. to PA RAMP input Max. output voltage Accord. to PA RAMP input Rise time CRAMP = 270 pF at Pin 14 Fall time CRAMP = 270 pF at Pin 14 Logic input levels (RX_ON, TX_ON) Pins 15 and 16 High input level = ‘1’ Low input level = ‘0’ High input current = ‘1’ Low input current = ‘0’ Power / standby Pin 2 Power-up high input level PU = ‘1’ Standby low input level PU = ‘0’ Power-up high input current PU = ‘1’ VPU = 3 V, VPU = 5.5 V Standby low input current PU = ‘0’ VPU = 0 V, VPU = 0.5 V Settling time Switched VS = 0 –> active operation VS = 0 to VS = 3 V Settling time Switched standby –> active operation PU = 0 to PU = 1 Settling time Switched active operation –> standby VS = 3 V to VS = 0 Symbol Min. Typ. Vmin Vmax tr tf Max. 0.2 1.95 5 5 ViH ViL IiH IiL 1.5 VPU VPU,OFF 2.0 20 60 IPU V V µs µs 0.5 5 5 –5 –5 0.7 40 100 0.1 1 30 80 IPU,OFF Unit V V µA µA V V µA µA tsoa < 10 µs tssa < 10 µs tsas <2 µs Active Blocks Corresponding to RX / TX Logic Active Parts PU RX_ON TX_ON OP Demodulator IF amplifiers IR mixer RSSI RX switch TX switch TX driver Ramp generator TX mode 1 0 1 off off off off off off on on on RX mode 1 1 0 on on on on on on off off off RSSI 1 1 1 off off on on on on off off off Standby 0 X X off off off off off off off off off 1 0 0 off off off off off off on off off TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 5 (11) Preliminary Information U2761B Typical Application Circuit LO_IN RX_ON TX_ON LC–tank PCB RX_DATA 28 27 26 + – 25 24 23 22 21 20 RX OP amp 19 18 17 16 15 Control– logic LC TX Demodulator Matching + balun SAW Filter TX driver IF amp 2 IR mixer IF amp 1 Ramp generator RF/IF U2761B 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Matching + balun 14 RSSI VS PU LC–Tank MIXER_IN TX_RF_OUT RAMP_OUT 14658 Figure 3. Typical application circuit Recommended Baseband Filter (f3dB 14659 [ 570 kHz) 26 – 25 R1 R3 6.8k 28 + 27 13k C1 18p C2 5.6p Figure 4. Recommended baseband filter 6 (11) Preliminary Information TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 U2761B Input / Output Interface Circuits VS VS 2 1 25k 25k PU RSSI 14660 14661 Figure 5. Figure 8. VS VS 3 6 7 MIXER_IN1 MIXER_IN2 4 IF_TANK1 IF_TANK2 14663 14662 Figure 6. Figure 9. VS VS 9 11 4.3k 12 TX_RF_OUT IF_IN2 IF_IN1 14664 Figure 7. TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 14665 Figure 10. 7 (11) Preliminary Information U2761B 19 VS1 10 VS2 VS 13, 28 AB– control RAMP_OUT OP_OUT 22 GND3 8 5 GND1 GND2 14667 14666 Figure 11. Figure 14. VS VS 14 RAMP_SET 15, 16 5k 5k TX_ON RX_ON 14669 14668 Figure 12. Figure 15. VS VS 10k 10k 23 24 QUAD_TANK1 QUAD_TANK2 20 21 LO_IN1 LO_IN2 200 200 14670 Figure 13. 14671 Figure 16. 8 (11) Preliminary Information TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 U2761B VS 17 18 MIXER_OUT1 MIXER_OUT2 25 DEMOD_OUT 14748 14672 Figure 17. Figure 19. VS 26 27 OP_N OP_P 14673 Figure 18. TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 9 (11) Preliminary Information U2761B Package Information 5.7 5.3 Package SSO28 Dimensions in mm 9.10 9.01 4.5 4.3 1.30 0.15 0.15 0.05 0.25 6.6 6.3 0.65 8.45 28 15 technical drawings according to DIN specifications 13018 1 14 10 (11) Preliminary Information TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 U2761B Ozone Depleting Substances Policy Statement It is the policy of TEMIC Semiconductor GmbH to 1. Meet all present and future national and international statutory requirements. 2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on the environment. It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as ozone depleting substances ( ODSs). The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these substances. TEMIC Semiconductor GmbH semiconductor division has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents. 1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively 2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental Protection Agency ( EPA) in the USA 3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively. TEMIC Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain such substances. We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice. Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use. TEMIC Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423 TEMIC Semiconductor Rev. A4, 10-Mar-98 11 (11) Preliminary Information This datasheet has been download from: www.datasheetcatalog.com Datasheets for electronics components.