TEMIC U2761B

U2761B
DECT RF / IF IC
Description
The U2761B is an integrated circuit manufactured in
TEMIC’s UHF5S technology, designed for DECT
application. It contains rejection mixer, IF amplifier,
FM demodulator, baseband filter, RSSI, TX preamplifier
and power-ramping generator for power amplifier.
Features
D Supply-voltage range 2.7 to 5.5 V
D Low current consumption
D Few external components
D On-chip baseband filter
D LO switch and TX preamplifier
D Ramp-signal generator for power amplifier
Block Diagram
QUAD_TANK2
IF_TANK1
IF_IN1
IF amp 1
IF_TANK2
QUAD_TANK1
DEMOD_OUT
VS1
VS2
Demodulator
IF amp 2
Bandgap
IF_IN2
MIXER_IN1
IR mixer
T/R switch
TX driver
TX_RF_OUT
MIXER_IN2
Ramp
generator
MIXER_OUT1
Control
logic
RAMP_SET
TX_ON
MIXER_OUT2
RAMP_OUT
+
–
OpAmp
OP_OUT
14657
LO_IN2
RX_ON
OP_N
LO_IN1
OP_P
Figure 1. Block diagram
Ordering Information
Extended Type Number
U2761B
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
Package
SSO28
Remarks
1 (11)
Preliminary Information
U2761B
Pin Description
RSSI
1
28 OP_OUT
PU
2
27 OP_P
IF_TANK1 3
26
IF_TANK2 4
25 DEMOD_OUT
5
24 QUAD_TANK2
MIXER_IN1 6
23 QUAD_TANK1
MIXER_IN2 7
22 GND3
GND1
21
GND2 8
OP_N
LO_IN2
20 LO_IN1
TX_RF_OUT 9
19
VS1 10
VS2
IF_IN1 11
18 MIXER_OUT2
IF_IN2 12
17
MIXER_OUT1
RAMP_OUT 13
16 TX_ON
RAMP_SET 14
15
14808
Figure 2. Pinning
RX_ON
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Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Symbol
RSSI
Function
Received signal strength
indicator output
PU
Hardware power-up input
IF_TANK1
IF tank circuit Pin 1
IF_TANK2
IF tank circuit Pin 2
GND1
Ground
MIXER_IN1
Mixer RF differential
input 1
MIXER_IN2
Mixer RF differential
input 2
GND2
Ground
TX_RF_OUT Output of TX driver
amplifier
VS1
Supply voltage input 1
IF_IN1
IF amplifier differential
input 1
IF_IN2
IF amplifier differential
input 2
RAMP_OUT Ramp-signal output for PA
RAMP_SET
Slew-rate setting of ramp
signal
RX_ON
RX control input
TX_ON
TX control input
MIXER_OUT1 Mixer IF differential
output 1
MIXER_OUT2 Mixer IF differential
output 2
VS2
Supply voltage input 2
LO_IN1
Local oscillator input 1
LO_IN2
Local oscillator input 2
GND3
Ground
QUAD_TANK1 Quadrature tank circuit 1
QUAD_TANK2 Quadrature tank circuit 2
DEMOD_OUT Output of demodulator
OP_N
OP – Input inverting
OP_P
OP – Input non-inverting
OP_OUT
OP – Output
2 (11)
Preliminary Information
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
U2761B
Absolute Maximum Ratings
All voltages are referred to GND (Pins 5, 8 and 22)
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Thermal Resistance
Supply voltage
Junction temperature
Storage temperature
Parameters
Pins 10 and 19
Symbol
VS
Tj
Tstg
Value
6
150
–40 to +125
Unit
V
°C
°C
Parameters
Symbol
RthJA
Value
130
Unit
K/W
Junction ambient
Operating Range
All voltages are referred to GND (Pins 5, 8 and 22)
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Electrical Characteristics
Supply voltage
Ambient temperature
Parameters
Pins 10 and 19
Symbol
VS
Tamb
Min.
2.7
–25
Typ.
3.0
+25
Max.
5.5
+85
Unit
V
°C
Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
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Parameters
Power supply
Total supply
pp y current
IR mixer
Image-rejection ratio
DSB noise figure
Conversion gain
Output interception point
Input impedance
Input matching
LO switch and TX driver
Power gain (high)
Input impedance
Input matching
Isolation LO-TX
Output impedance
Maximum output power
Gain compression
Output interception point
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
Test Conditions / Pins
TX
RX
RX (RSSI only)
Standby, PU = GND
Pins 6, 7, 17 and 18
Pins 17 and 18
Symbol
Min.
IS
IRR
NFDSB=
Pins 17 and 18
NFSSB
Rload = 200
Gconv
Pins 17 and 18
OIP3
Pins 6 and 7
Zin
Pins 6 and 7 VSWRin
Pin 9, 20 and 21
@ Pin = –40 dBm
Gp
Pin 20 or Pin 21 to GND
Zin
Pins 20 and 21 VSWRin
RX mode: LO Pin 20 or
Isol
Pin 21 to Pin 9
Pin 9
Zout
Pin 9
Pmax
@ TX_RF_OUT
Pin 9
P1dB
Pin 9
OIP3
Typ.
30
50
47
1
Max.
Unit
10
mA
mA
mA
A
20
dB
10
dB
12
10
50
<2:1
dB
dBm
30
50
<2:1
dB
37
dB
100
3
1
10
dBm
dBm
dBm
3 (11)
Preliminary Information
U2761B
Electrical Characteristics (continued)
Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
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Parameters
IF amplifier
Input impedance
Lower cut-off frequency
Upper cut-off frequency
Power gain
Bandwidth of external tank
circuit
Noise figure
RSSI
RSSI sensitivity
RSSI compression
RSSI dynamic range
RSSI resolution
RSSI rise time
RSSI fall time
Quiescent output current
Max. output current
FM demodulator
Co-channel rejection ratio
Sensitivity
Amplitude of recovered
signal
Output-voltage DC range
Output impedance
AM rejection ratio
OpAmp
Power gain bandwidth
Excess phase
Input offset voltage
Open loop gain
Output voltage range
Common mode input
voltage
Common mode rejection
ratio
Total harmonic distortion
Test Conditions / Pins
Pins 3, 4, 11 and 12
Pins 11 and 12
Pins 3 and 4
Pins 1, 6 and 7
At IF_IN1,
_
, IF_IN2
_
Pins 6 and 7
Symbol
Min.
Zin
fl3dB
fu3dB
Gp
200
Max.
Unit
400
90
130
85
MHz
MHz
dB
BW3dB
10
MHz
NF
9
dB
Pmin
Pmax
DR
20
100
80
dB V
dB V
dB
±2
dB
1
s
1
s
30
A
150
A
10
dB
0.5
V/MHz
288
mVss
Slope of the RSSI has to be
Acc
steady
Pin = 30 dB V to
tr
100 dB V
Pin 1
Pin = 100 dB V to
tf
30 dB V
Pin 1
@ Pin < 20 dB V at
Iout
IF_IN1, IF_IN2
Pin 1
@ Pin = 100 dB V at
Iout
IF_IN1, IF_IN2
Pin 1
Pins 23, 24 and 25
@ Pin = –75 dBm at
CCRR
IR-mixer input
Quality factor of external
S
tank circuit approx. 20
Nominal deviation of
A
signal ±288 kHz
Pin 25 FMoutDC
Pin 25
Zout
Pin 25 AMRR
Pins 26, 27 and 28
PGBW
Rload = 1 kW, Cload = 15 pF
d
Pins 26 and 27
Voffs
g
Pin 28
Vout
Pins 26 and 27
Typ.
Vin
0.4
VS – 0.4
13
tbd
10
80
±1
70
V
k
dB
0.3
VS – 0.3
MHz
°
mV
dB
V
0.3
VS – 0.3
V
Pin 28
CMRR
tbd
dB
Pin 28
THD
tbd
%
4 (11)
Preliminary Information
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
U2761B
Electrical Characteristics (continued)
Test conditions: VS = 3.0 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Test Conditions / Pins
Ramp generator
Pins 13 and 14
Min. output voltage
Accord. to PA RAMP input
Max. output voltage
Accord. to PA RAMP input
Rise time
CRAMP = 270 pF at Pin 14
Fall time
CRAMP = 270 pF at Pin 14
Logic input levels (RX_ON, TX_ON) Pins 15 and 16
High input level
= ‘1’
Low input level
= ‘0’
High input current
= ‘1’
Low input current
= ‘0’
Power / standby
Pin 2
Power-up high input level
PU = ‘1’
Standby low input level
PU = ‘0’
Power-up high input current PU = ‘1’
VPU = 3 V,
VPU = 5.5 V
Standby low input current
PU = ‘0’
VPU = 0 V,
VPU = 0.5 V
Settling time
Switched
VS = 0 –> active operation
VS = 0 to VS = 3 V
Settling time
Switched
standby –> active operation PU = 0 to PU = 1
Settling time
Switched
active operation –> standby VS = 3 V to VS = 0
Symbol
Min.
Typ.
Vmin
Vmax
tr
tf
Max.
0.2
1.95
5
5
ViH
ViL
IiH
IiL
1.5
VPU
VPU,OFF
2.0
20
60
IPU
V
V
µs
µs
0.5
5
5
–5
–5
0.7
40
100
0.1
1
30
80
IPU,OFF
Unit
V
V
µA
µA
V
V
µA
µA
tsoa
< 10
µs
tssa
< 10
µs
tsas
<2
µs
Active Blocks Corresponding to RX / TX
Logic
Active Parts
PU
RX_ON
TX_ON
OP
Demodulator
IF amplifiers
IR mixer
RSSI
RX switch
TX switch
TX driver
Ramp
generator
TX mode
1
0
1
off
off
off
off
off
off
on
on
on
RX mode
1
1
0
on
on
on
on
on
on
off
off
off
RSSI
1
1
1
off
off
on
on
on
on
off
off
off
Standby
0
X
X
off
off
off
off
off
off
off
off
off
1
0
0
off
off
off
off
off
off
on
off
off
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
5 (11)
Preliminary Information
U2761B
Typical Application Circuit
LO_IN
RX_ON
TX_ON
LC–tank
PCB
RX_DATA
28
27
26
+
–
25
24
23
22
21
20
RX
OP amp
19
18
17
16
15
Control–
logic LC
TX
Demodulator
Matching +
balun
SAW
Filter
TX
driver
IF
amp 2
IR
mixer
IF amp 1
Ramp
generator
RF/IF
U2761B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Matching +
balun
14
RSSI
VS
PU
LC–Tank
MIXER_IN
TX_RF_OUT
RAMP_OUT
14658
Figure 3. Typical application circuit
Recommended Baseband Filter (f3dB
14659
[ 570 kHz)
26
–
25
R1
R3
6.8k
28
+
27
13k
C1
18p
C2
5.6p
Figure 4. Recommended baseband filter
6 (11)
Preliminary Information
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
U2761B
Input / Output Interface Circuits
VS
VS
2
1
25k
25k
PU
RSSI
14660
14661
Figure 5.
Figure 8.
VS
VS
3
6
7
MIXER_IN1
MIXER_IN2
4
IF_TANK1
IF_TANK2
14663
14662
Figure 6.
Figure 9.
VS
VS
9
11
4.3k
12
TX_RF_OUT
IF_IN2
IF_IN1
14664
Figure 7.
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
14665
Figure 10.
7 (11)
Preliminary Information
U2761B
19
VS1 10
VS2
VS
13, 28
AB–
control
RAMP_OUT
OP_OUT
22
GND3
8
5
GND1
GND2
14667
14666
Figure 11.
Figure 14.
VS
VS
14
RAMP_SET
15, 16
5k
5k
TX_ON
RX_ON
14669
14668
Figure 12.
Figure 15.
VS
VS
10k
10k
23
24
QUAD_TANK1
QUAD_TANK2
20
21
LO_IN1
LO_IN2
200
200
14670
Figure 13.
14671
Figure 16.
8 (11)
Preliminary Information
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
U2761B
VS
17
18
MIXER_OUT1
MIXER_OUT2
25
DEMOD_OUT
14748
14672
Figure 17.
Figure 19.
VS
26
27
OP_N
OP_P
14673
Figure 18.
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
9 (11)
Preliminary Information
U2761B
Package Information
5.7
5.3
Package SSO28
Dimensions in mm
9.10
9.01
4.5
4.3
1.30
0.15
0.15
0.05
0.25
6.6
6.3
0.65
8.45
28
15
technical drawings
according to DIN
specifications
13018
1
14
10 (11)
Preliminary Information
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
U2761B
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of TEMIC Semiconductor GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances ( ODSs).
The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban
on these substances.
TEMIC Semiconductor GmbH semiconductor division has been able to use its policy of continuous improvements
to eliminate the use of ODSs listed in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency ( EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.
TEMIC Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting
substances and do not contain such substances.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized
application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of,
directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or
unauthorized use.
TEMIC Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
TEMIC Semiconductor
Rev. A4, 10-Mar-98
11 (11)
Preliminary Information
This datasheet has been download from:
www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.