TEMIC U3501BM

U3501BM
Cordless Telephone Signal Processor
Description
Cordless telephone signal processor reduces the need for
many external components.
Features
RF Receiver Part
coding, transmit and receive part adjustable and mutable
by serial bus, compander, pre-/ de-emphasis, scrambler
with bypass function
IF converter, FM demodulator, RSSI-digital information
LF Part
Application: CT1, CT1P, 900 MHz USA standard
Microphone amplifier, earpiece amplifier, compander,
preemphasis, deemphasis, scrambler, descrambler,
digital power management, data management by FSK
Package: SO28
Block Diagram
MIXO
IFIN1
Á
Á
MIXIN
MIXGND
DACO
IFAMP
ÎÎÎ
ÎÎÎ
RDEMO
Demodulator
LOG
RSSI
OSCILATOR
11.15MHz
LOIN
IFIN2
RECDC
LPF
RGAIN
ADJ
DFIL
LPF
RXO
ETC
EXPANDER
Scrambler frequency
EXIN
RECO2
DIVI
Switched Cap.
Divider.
RECOUT
LOEXT
RECO1
D/A
NC
RXDAT
FSK
MODEM
VBAT
TXDAT
MIC1
BATD
Battery low
detector
C
Scrambler frequency
MIC2
INTBUS
Serial
D
MIC
LPF
LPF
Bus
TGAIN
ADJ.2
ÁÁÁ
ÁÁÁ
MICO
TGAIN
PFIL
LIMITER
Modem
VCC
GND
TXO
COMPRESSOR
ADJ.1
COIN
CTC
12386
Figure 1.
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
1 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Pin Description
TXO
1
28 TXDAT
CTC
2
27 RXDAT
COIN
3
26 D
MICO
4
25 C
MIC2
5
24 DACO
MIC1
6
23 VCC
GND
7
22 LOIN
RXO
8
21 VBAT
RECO2
9
20 LOEXT
19 NC
RECO1 10
EXIN
11
18 RECDC
ETC
12
17 MIXGND
IFIN2 13
IFIN1
16 MIXIN
14
15 MIXO
96 12 387
Figure 2. Pinning
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Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Symbol
TXO
CTC
Function
Transmit section analog output
Compressor time constant control
analog output
COIN
Compressor analog input
MICO Microphone amplifier output
MIC2
Non-inverting input of microphone
amplifier
MIC1
Inverting input of microphone
amplifier
GND
LF analog/ digital ground
RXO
Intermediate receive analog output
RECO2 Symmetrical output of receive
amplifier
RECO1 Symmetrical output of receive
amplifier
EXIN
Expander analog input
ETC
Expander time constant control
analog output
IFIN2
Symmetrical IF amplifier input
IFIN1
Symmetrical IF amplifier input
MIXO Mixer output
MIXIN Mixer input
MIXGND IF amplifier and mixer ground
RECDC Reference voltage generation for
FSK demodulator
NC
Not connected
LOEXT External LO input
VBAT Battery supply
LOIN
Local oscillator input for TCO or
SC filter oscillator: 11.15 MHz
VCC
Supply voltage output for
peripherals and internal supply of
digital part
DACO D/A comparator output
C
Clock input of serial bus
D
Data input of serial bus
RXDAT Receive data digital output
TXDAT Transmit data digital input
2 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
Absolute Maximum Ratings
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Parameters
Symbol
VBAT, VCC
Tj
Tamb
Tstg
PD
Supply voltage
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Power dissipation
Min.
Typ.
–25
–50
Max.
5.5
+125
+75
+125
1
Unit
V
°C
°C
°C
W
Current Consumption
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Test conditions (unless otherwise specified): VBAT = VCC = 3.6 V, Tamb = +25°C
ERX2 ELNA ERXHF ERX1 ERXO EEA EDEE ETX EPREE
0
0
0
Parameters
Operating voltage range
Inactive mode
Standby mode
RX waiting for RSSI
RX demodulating
MODEM-signal
Operating current, RX and TX
completely active
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
0
0
0
0
Test Conditions
0
Min.
3.1
VBAT = 2.9 V (or smaller)
ERXHF = 1
ERXHF = ERX1 = 1
1
1.7
ERX2 = ELNA = ERXHF =
ERX1 = ERXO = EEA = EDEE =
GDEM = ETX = 1
0
Typ.
3.6
60
0.3
1.6
2.6
Max.
4.7
80
2.4
3.7
Unit
V
µA
mA
mA
mA
7.0
11.5
mA
0.5
3 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Receiver
IF Mixer
Electrical Characteristics
Test conditions (unless otherwise specified) VBAT = 3.6 V, ERXHF = 1, Tamb = 25°C, FMIXIN = 10.7 MHz,
FMIXO = 450 kHz
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W ÁÁÁ
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W ÁÁÁ
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Parameters
Input resistance
Input capacitance
Output impedance
Voltage gain GVMIX
Input compression point
Third order input intercept point
Carrier breakthrough from internal
LO (11.15 MHz) to IF output
Carrier breakthrough from internal
LO (11.15 MHz) to RF input
Input frequency range
Output frequency
Test Conditions
Pin MIXIN
Pin MIXIN
Pin MIXO
Input level 7 mVRMS
Min.
2000
Typ.
3000
3
1500
15
1200
13
–17
–9
10
Max.
4000
Unit
Fig.
pF
1800
17
300
dB
dBm
dBm
µVrms
10
µV
60
MHz
kHz
450
3
RF-Generator
MIXO
MIXIN
16
50 W
FIF1
15
1.5 k W
10 nF
11.15 MHz
100 nF
96 11780
Figure 3. Test circuit
4 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
IF Amplifier: RSSI
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W ÁÁÁ
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Parameters
Input resistance
RSSI-sensitivity
Test Conditions
Min.
1.6
Typ.
2
Max.
2.5
Unit
k
Fig.
VIF = 0 µVrms
starting from 0 increase RSSIlevel until mean of sampled
signal at DACO is < 0.2
RSSI-level = CON0
VIF = 6 µVrms, F = 450 kHz
4
increase RSSI-level again until
mean of sampled signal at
DACO is < 0.2.
RSSI-level = CON1
RSSI-sensitivity = CON1-CON0
4
RSSI input voltage dynamic
range
RSSI-level number of step
RSSI level step-size in the
logarithmic region
65
dB
127
0.46
dB
RSSI Level Programming (Typical Values)
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Input Voltage VIF (µVrms)
0
6
10
100
1000
10000
RSSI-Level (Decimal)
8
15
23
67
114
D 26
IFIN2
13
100 nF
Setup
RSSI–level programming
C 25
IFIN1
14
VIF
100 nF
DACO 24
RSSI–level information
96 11781
Figure 4.
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
5 (20)
Preliminary Information
U3501BM
RF Demodulator
IF = 450 kHz, FMOD = 1 kHz, input level = 500 µVrms
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BSCR EDEE GRX0 GRX1 GRX2 GRX3 ERX1 ERXO
1
0
1
Parameters
Recovered audio
Recovered audio output
voltage drop
AM rejection ratio
1
1
0
Test Conditions
GDEM = 0, dFM = 2.5 kHz
GDEM = 1, dFM = 5 kHz
VBAT = 4.7 to 3.1 V
1
1
Min.
0.4
Typ.
0.8
–3
30% AM
Max.
1.6
Unit
Vpp
Fig.
0
dB
5
35
dB
RX Audio
dFM = 1 kHz, GDEM = 0
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W ÁÁÁ
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ÁÁÁ
Parameters
Change of RX0 signal
deemphasis bypass
RX gain adjust range
RX gain adjust step
Output signal versus
frequency relative to 1 kHz
(0 dB) de-emphasis bypassed
Output signal versus
frequency relative to 1 kHz
(0 dB) de-emphasis enable
EDEE = 1
RX total harmonic distortion
RX audio mute
Test Conditions
EDEE = 0; 1
FM0D = 1 kHz
DRXGF (100 Hz)
DRXGF (300 Hz)
DRXGF (1800 Hz)
DRXGF (3400 Hz)
DRXGF (4350 Hz)
DFIL (100 Hz)
DFIL (300 Hz)
DFIL (1800 Hz)
DFIL (3400 Hz)
DFIL (4350 Hz)
dFM = 250 Hz
dFM = 2.50 kHz
dFM = 2.5 kHz
ERX0 = 0
ERX1 = 0
ERX2 = 0
Min.
–0.5
Typ.
0
0.8
–8
–2.2
–1.4
–0.8
–80
–1.6
3.2
–5.7
–10.5
–80
15
1
–7
–1.2
–0.4
0.2
–60
–0.6
4.2
–4.7
–9.5
–60
Max.
0.5
1.2
–6
–0.2
0.6
1.2
–55
0.4
5.2
–3.7
–8.5
–55
2.5
2.5
Unit
dB
Fig.
dB
dB
dB
5
dB
%
65
RX output impedance
dB
100
6 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
IFIN2
13
470 nF
8
100 nF
IFIN1
14
12.5 kW
VIF
100 nF
12405
Figure 5.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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³
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³
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Expander
EEA GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 GEA4
1
0
0
0
Parameters
Gain reference level
G0REC
Change of gain when expander
is bypassed (relative to G0REC)
Gain tracking (relative to
G0REC)
Input impedance
Change of gain due to change of
supply voltage
Attack time
Release time
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
1
1
Test Conditions
VEXIN = –10 dBVrms
Min.
11
BCOMP = 1
VEXIN = –20 dBV
VEXIN = –30 dBV
VEXIN = –35 dBV
VEXIN = –40 dBV
Supply voltage between
3.2 and 5.2 V
VEXIN = step
–20 dBVrms –14 dBVrms,
measure time after step, when
output voltage has 0.75 times
the final value
VEXIN = step
14 dBVrms –20 dBVrms,
measure time after step, when
output voltage has 1.5 times
of final value
Typ.
13
Max.
15
Unit
dB
–0.5
0.5
dB
–21
–41
–53
–19
–39
–47
dB
14.5
0.5
k
dB
–50
–60
9.5
–0.5
Fig.
6
16
ms
16
ms
7 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Earpiece Amplifier
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
W ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
BCOMP = 1, EEA = 1, VEXIN = 100 mVrms
Parameters
Maximum gain
Medium gain
Minimum gain
Change of gain due to change
of supply voltage
Gain adjust range
Gain adjust step
Output impedance
Total harmonic distortion
Output offset
Output voltage swing
Test Conditions
GEA0 GEA1 GEA2 GEA3
1
1
1
1
GEA4 = 1
GEA0 GEA1 GEA2 GEA3
0
0
0
0
GEA4 = 1
GEA0 GEA1 GEA2 GEA3
0
0
0
0
GEA4 = 0
Supply voltage varies between
3.2 and 4.7 V
Min.
19
Typ.
20
Max.
21
Unit
dB
4
5
6
dB
–12
–11
–10
dB
0.2
dB
–0.2
31
1
10
0.8
VEXIN = 0 mVRMS
Increase VEXIN until THD at
output (RECO1/ RECO2) is 5%
–200
4.8
5.0
1.2
30
1
200
Fig.
6
dB
dB
%
mV
Vpp
RECO2
9
26
D
1kOhm
Setup
10
RECO1
25
C
11
EXIN
100 nF
ETC
VEXIN
12
470 nF
96 11783
Figure 6.
8 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
LF Transmitter
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
GMIC EPREE BXCR G1TX G2TX BCOMP ETX
1
1
1
1000
1000
1
1
Microphone Amplifier
VMIC = 10 mVrms, FIN = 1 kHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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W ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
W ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Parameters
Test Conditions
Gain
High gain: GMIC = 1
Low gain: GMIC = 0
Change of gain due to
change of supply voltage
Supply voltage varies between
3.2 and 4.7 V
Differential input impedance
Min.
Typ.
Max.
Unit
31
23
32
24
33
25
dB
–0.2
0
0.2
dB
41
75
103
k
10
35
Output impedance
Fig.
8
Total harmonic distortion
VMIC = 10 mVRMS
1
%
Output noise
VMIC = 0 VRMS high gain
(inputs closed across 200 )
output voltage psophmetrically weighted
50
µVrmsp
100 nF
4
MICO
26
20 k W
5
D
MIC2
Setup
100
VMIC
25
6
C
MIC1
100
96 11784
Figure 7.
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
9 (20)
Preliminary Information
U3501BM
TX Audio
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
VCOIN = –20 dBVrms
Parameters
Change of gain TXO
Gain between 3.2 and 4.7 V
TX gain adjust range adj. 1
TX gain adjust step adj. 1
LIM gain adjust range adj. 2
LIM gain adjust range adj.2
TX gain versus frequency
(pre-emphasis bypassed)
relative to 1 kHz reference
level 0 dB
Gain versus frequency with
preemphasis relative to
1 kHz reference level 0 dB
Total band ripple
TX gain
Test Conditions
EPREE = 0
Min.
–0.5
–1
Typ.
0
0
15
1
15
1
–0.3
–0.2
0.2
–0.1
–24
–6.5
–5.5
4.3
7.9
–14
0.8
DTXGT (100 Hz)
DTXGT (300 Hz)
DTXGT (1800 Hz)
DTXGT (3400 Hz)
DTXGT (4350 Hz)
PFIL (100 Hz)
PFIL (300 Hz)
PFIL (1800 Hz)
PFIL (3400 Hz)
PFIL (4350 Hz)
VBAT = 3.6 V and 5.2 V
VCOIN = –20 dBV
GTX (TXO, COIN)
0.8
–1.3
–1.2
–0.8
–1.1
–20
–7.5
–6.5
3.3
6.9
–15
Max.
0.5
–1
Unit
dB
dB
dB
dB
dB
dB
1.2
1.2
0.7
0.8
1.2
0.7
–28
–5.5
–4.5
5.3
8.9
–13
2
Fig.
dB
6
dB
%
5.5
dB
Limiter
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
TX limiter level
TX audio mute
TX output impedance
Test conditions
Increase VCOIN until THD at
TX0 = 5% then measure VTX0
ETX = 0, VCOIN = –10 dBV
attenuation at TX0 output
Min.
1.2
Typ.
1.68
Max.
2.3
Unit
Vpp
65
7
10
14
dB
k
10 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
Compander / Compressor
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
W ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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³
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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³
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
BSCR EPREE G2TX0 G2TX1 G2TX2 G2TX3 ETX G1TX0 G1TX1 G1TX2 G1TX3
1
0
0
Parameters
TX input impedance COIN
Gain reference level G0TX
Change of gain when
compresser is bypassed
(relative to G0TX)
Gain tracking
(relative to G0TX)
Attack time
Release time
1
0
1
1
0
Test conditions
BCOMP = 1
VCOIN = –10 dBVrms
VCOIN = –10 dBVrms
BCOMP = 1
Min.
9
1
0,5
VCOIN = –30 dBVrms
VCOIN = –50 dBVrms
VCOIN = –60 dBVrms
VCOIN = –70 dBVrms
VCOIN = step
–30 dBVrms –18 dBVrms
measure time after step when
output voltage has 1.5 times the
final value
VCOIN = step
–18 dBVrms
–30 dBVrms
measure time after step when
output voltage has 0.75 times the
final value
–11
–21
–22
2
0
Typ.
14
5.5
–30
1
0
Max.
22
10
0.5
Unit
k
dB
dB
Fig.
–9
–19
–28
8
3.5
ms
14.4
ms
26 D
CTC
470 nF
Setup
25
TXO
100 nF
3
C
1
COIN
100 kW
VCOIN
96 11785
Figure 8.
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
11 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Scrambler
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Descrambler
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
EPREE
BSCR
0
0
Parameters
Conversion gain versus
frequency FIN (1 kHz)
reference level 0 dB
Carrier break through
EDEE
0
BSCR
0
BCOMP
1
Test Conditions / Pins
FIN = 100 Hz, FOUT = 4255 Hz
FIN = 300 Hz, FOUT = 4055 Hz
FIN = 700 Hz, FOUT = 3655 Hz
FIN = 1800 Hz, FOUT = 2555 Hz
FIN = 2600 Hz, FOUT = 1755 Hz
FIN = 3400 Hz, FOUT = 955 Hz
FIN = 3600 Hz, FOUT = 755 Hz
FIN = 1000 Hz, FOUT = 3355 Hz
Measure FOUT = 4355 Hz
Min.
–4.5
–2.3
–0.9
–1.1
–1.1
–2.5
–4.9
–1
Typ.
–3.5
–1.3
0.1
–0.1
–0.1
–1.5
–3.9
0
Max.
–2.5
–0.3
1.1
0.9
0.9
–0.5
–2.8
1
10
Unit
dB
mVRMS
BCOMP
1
Parameters
Conversion gain
Versus frequency
Carrier break through
Test Conditions / Pins
FIN = 4255 Hz, FOUT = 100 Hz
FIN = 4055 Hz, FOUT = 300 Hz
FIN = 3655 Hz, FOUT = 700 Hz
FIN = 2555 Hz, FOUT = 1800 Hz
FIN = 1755 Hz, FOUT = 2600 Hz
FIN = 955 Hz, FOUT = 3400 Hz
FIN = 755 Hz, FOUT = 3600 Hz
FIN = 3355 Hz, FOUT = 1000 Hz
Measure FOUT = 4355 kHz
Min.
–3.8
–1.6
–0.5
–1.7
–0.7
–1.4
–1.7
–1
Typ.
–2.6
–0.6
0.5
–0.7
6.3
–0.4
–0.7
0
Max.
–1.8
0.1
1.5
0.3
1.3
0.6
0.3
1
0.3
Unit
dB
mVRMS
DATAS
F –3dB = 4.2 kHz
F –3dB = 3.55 kHz
Gain
Stage
Output buffer
Signal:
State:
Gain:
4.35 kHz / DC / OFF
SCRON / SCROFF / DATA
–4dB / 0 dB / OFF
1 kHz
SCRON / SCROFF
5.9 dB / 1.9 dB
DATAS
F –3dB = 3.55 kHz
F –3dB = 4.2 kHz
Gain
Stage
Deemphasis
Signal:
State:
Gain:
4.35 kHz / DC / OFF
DESCRON / DESCROFF / DATA
–4dB / 0 dB / OFF
1 kHz
DESCRON / DESCROFF
–0.5 dB / –4.5 dB
12406
Figure 9.
12 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
FSK Modem (1200 Bauds)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
FSK-demodulator
Input signal discriminator
IFIN1-IFIN2––––RXDAT
2100 Hz ––– = 0
1300 Hz ––– = 1
FSK – modulator
TXDAT ––– TXO
Output signal level
TXDAT ––– TXOUT
Signal distortion
TXDAT ––– TXOUT
Output signal frequency
Output signal
– Distortion
– Offset level
Signal level
Test Conditions
IFIN = 450 kHz
VIFIN = 0.5 mVRMS
df = 2.4 kHz
ERX1 = 1
GDEM = 0 (high gain)
GRX3 = 1 (+1dB)
ETX = 1
EFSK = 1
TXDAT = 0
TXOUT = 2100 Hz
TXDAT = 1
TXOUT = 1300 Hz
TXDAT = 0
TXOUT = 2100 Hz
TXDAT = 1
TXOUT = 1300 Hz
TXDAT = 0
TXDAT = 1
Min.
Typ.
Max.
Unit
1660
Hz
Hz
1.54
Vpp
1.54
Vpp
2
%
2
%
Hz
1720
0.87
2100
1300
2
1.5
0.93
1.4
BSCR = 1
BSCR = 0
1.12
1.61
1.35
2.1
%
V
Vpp
Vpp
Electrical Characteristic of Logical Part
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Parameters
Inputs: C, D, TXDAT
Low voltage input
High voltage input
Input leakage current
(0 < VI < VCC)
Input LOIN
Input leakage current pin XCK
(0 < VI < VCC)
Outputs: DACO, RXDAT
Output low
Output high
Serial bus (figure?)
Data set-up time
Data hold time
Clock low time
Clock high time
Hold time before transfer condition
Data low pulse on transfer condition
Data high pulse on transfer condition
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
0.5
V
V
1
mA
5
mA
2.5
–1
–5
lol = 4 µA
loh = –4 µA
tsud
thd
tcl
tch
teon
teh
teof
0.1*VCC
0.9*VCC
0.1
0
2
2
0.1
0.2
0.2
msec
msec
msec
msec
msec
msec
msec
13 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Serial Bus Interface
The circuit is remoted by an external microcontroller
trough the serial bus.
The data is an 12 – bit word:
Data
B11 – B8: address of the destination register (0 to 15)
Micro-
B7 – B0: contents of register
processor
Clock
D
C
The data line must be stable when the clock is high and
data must be serially shifted.
96 11787
After 12 clock periods, the transfer to the destination register is (internally) generated by a low to high transition
of the data line when the clock is high.
Data
(D)
b0
b1
b2
Figure 10.
b9
b10
b11
Clock
(C)
1st word
2nd word
Word transmission
Transfer condition
96 11788
Figure 11. Serial bus transmission
Data
8
4
Clock
0
Address
128 latches
Decoder
15
Commands
96 11789
Figure 12.
14 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
Data
b11
b10
b9
(D)
b0
(C)
Clock
tsud
thd
tcl
tch
teon
teh
teoff
96 11790
Figure 13.
Content of Internal Registers
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0: Reference for D/A Converter
DA0
DA [0:6]:
MUXDA:
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
MUXDA
Refernce voltage D/A
D/A multiplexing
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1: Gain adjustment RECLF
GRX0
GRX [0:3]:
GEA [0:3]:
GRX1
GRX2
GRX3
GEA0
GEA1
GEA2
GEA3
Gain adjustment RX
Gain earpiece amplifier (see register 5)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2: Gain adjustment TRANLF
G1TX0
G1TX1
G1TX2
G1TX3
G2TX0
G2TX1
G2TX2
G2TX3
G1TX [0:3]: Gain adjustment TX
G2TX [0:3]: Gain adjustment TX after limiter
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
3: Enable functions receive
ERX2
ERX [1:2]:
ERXHF:
ERXO:
EEA:
EDEE:
GDEM:
Free
ERXHF
ERX1
ERXO
EEA
EDEE
GDEM
Enable parts of RXLF
Enable RX mixer and IF-amplifier
Enable RXO output
Enable earpiece amplifier
Enable demphasis (disable simultaneus bypass)
Gain demodulator
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
15 (20)
Preliminary Information
U3501BM
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
4: Enable functions transmit
ETX
EPREE
ETX:
EPREE:
EFSK:
GMIC:
BSCR:
BCOMP:
RBAT:
SRSSI:
EFSK
GMIC
BSCR
BCOMP
RBAT
SRSSI
Enable TX low frequency part
Enable preemphasis (disable simultaneus bypass)
Enable modulator of FSK-modem
Gain of microphone preamplifier
Bypass scrambler/ descrambler
Bypass compressor expander
Battery detection high/ low range
RSSI sample hold
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
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5:
EXTLO
EXTLO:
GEA4:
MTX:
GEA4
free
free
free
free
MTX
free
Select input MIXER2
Gain earpiece amplifier MSB (see register 1)
Mute transmit path
Example of Mode Setting Using Enable Bits and Battery Switch
(U3500B + U3550B)
Active Mode
(Transmission)
EEA
Active Mode
(PLL
Convergence
Waiting)
Receive Mode
(Only Data)
Receive Mode
(RX Waiting)
Standby Mode
(ex: Battery
Low)
ÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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X
ETX, ERX2, ERXO
X
X
ERX1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ERXHF,
RSSI/Battery
Management
(MUXDA)
LOGIC PART
(Enabled when
VBAT > 3.2V)
Inactive Mode
(Switch Off)
Switch Comparator
(Always Enabled)
16 (20)
Preliminary Information
X
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
Battery Management
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Max batlow
Min batlow over switch
Max bathigh
Min bathigh
Adjust step
(Max - Min)
(MINBL - SWOFF)
DA0 to 6 = 1, RBAT = 1
DA0 to 6 = 27 BIN, RBAT = 1
DA0 to 6 = 1, RBAT = 0
DA0 to 6 = 0, RBAT = 0
3.8
3.05
4.85
3.93
3.5
852.5
100
3.95
3.2
5.05
4.1
7.5
952.5
200
4.1
3.35
5.25
4.27
11.5
1052.5
300
V
V
V
V
mV
mV
mV
Battery Switch
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
W
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Characteristic
Off threshold
On threshold
Hysteresis
Switch ron
Max batlow
Min batlow
Max bathigh
Min bathigh
Adjust step
(MAX - MIN)
MINBL - SWOFF
OFF threshold
ON threshold
Hysteresis
Switch
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
Test Conditions
DA0 to 6 = 1, RBAT = 1
DA0 to 6 = 27 BIN, RBAT = 1
Min.
2.9
3.15
220
DA0 to 6 = 0, RBAT = 0
Typ.
3.0
3.25
250
35
Max.
3.1
3.35
280
50
Unit
V
V
mV
MAXBL (battery voltage when all DAC bits are high, low range)
MINBL (battery voltage when DAC bits are 0011011, low range)
MAXBH (battery voltage when all DAC bits are high, high range)
MINBH (battery voltage when all DAC bits are low, high range)
Adjust step
MAXBH - MINBH
MINBL - SWOFF
SWOFF (off threshold of the battery switch)
SWON (on threshold of the battery switch)
SWON - SWOFF
Switch Ron (resistance of the switch transistor, when switch is “ON”)
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
17 (20)
Preliminary Information
TX
RX
D
18 (20)
Preliminary Information
D
Double PLL
Transmitter
DUPLEX FILTER
RX
VCO
TX
VCO
Supply
Reference
20.95 MHz
11.15MHz
MIXIN
D
C
VBAT
NC
LOEXT
LOIN
MIXGND
1 IF 21.4 MHz
XTAL –Filter
Front–End
First MIXER
U2796B
MIXO
IFIN1
450KHz
Ceramic Filter
VCC
INT–
BUS
Serial
Bus
mC Supply
TXO
LPF
BATD
Battery low
detector
DIVI
Switched Cap.
Divider.
OSCILATOR
11.15MHz
Á
Á
U2782B
LNA
RDEMO
Demo–
dulator
DACO
Modem
LPF
DACO
LPF
RECDC
LIMITER
ÁÁ
TGAIN
ADJ.2
GND
PFIL
MODEM
FSK
DFIL
CTC
COMPRESSOR
MIC
RECOUT
EXPANDER
TGAIN
ADJ.1
LPF
–Discreet
Scrambler frequency
RGAIN
ADJ
Scrambler frequency
D/A
LOG
RSSI
IFAMP
IFIN2
U3501BM
D
COIN
MICO
MIC2
MIC1
TXDAT
RXDAT
RECO1
RECO2
EXIN
ETC
RXO
mC
U3501BM
Application Circuit of CT1
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
U3501BM
Dimensions in mm
Package SO28
95 9932
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
19 (20)
Preliminary Information
U3501BM
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances ( ODSs).
The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban
on these substances.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH semiconductor division has been able to use its policy of
continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency ( EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.
TEMIC can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain
such substances.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized
application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of,
directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or
unauthorized use.
TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
20 (20)
Preliminary Information
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96