U3501BM Cordless Telephone Signal Processor Description Cordless telephone signal processor reduces the need for many external components. Features RF Receiver Part coding, transmit and receive part adjustable and mutable by serial bus, compander, pre-/ de-emphasis, scrambler with bypass function IF converter, FM demodulator, RSSI-digital information LF Part Application: CT1, CT1P, 900 MHz USA standard Microphone amplifier, earpiece amplifier, compander, preemphasis, deemphasis, scrambler, descrambler, digital power management, data management by FSK Package: SO28 Block Diagram MIXO IFIN1 Á Á MIXIN MIXGND DACO IFAMP ÎÎÎ ÎÎÎ RDEMO Demodulator LOG RSSI OSCILATOR 11.15MHz LOIN IFIN2 RECDC LPF RGAIN ADJ DFIL LPF RXO ETC EXPANDER Scrambler frequency EXIN RECO2 DIVI Switched Cap. Divider. RECOUT LOEXT RECO1 D/A NC RXDAT FSK MODEM VBAT TXDAT MIC1 BATD Battery low detector C Scrambler frequency MIC2 INTBUS Serial D MIC LPF LPF Bus TGAIN ADJ.2 ÁÁÁ ÁÁÁ MICO TGAIN PFIL LIMITER Modem VCC GND TXO COMPRESSOR ADJ.1 COIN CTC 12386 Figure 1. TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 1 (20) Preliminary Information U3501BM Pin Description TXO 1 28 TXDAT CTC 2 27 RXDAT COIN 3 26 D MICO 4 25 C MIC2 5 24 DACO MIC1 6 23 VCC GND 7 22 LOIN RXO 8 21 VBAT RECO2 9 20 LOEXT 19 NC RECO1 10 EXIN 11 18 RECDC ETC 12 17 MIXGND IFIN2 13 IFIN1 16 MIXIN 14 15 MIXO 96 12 387 Figure 2. Pinning ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Pin 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 Symbol TXO CTC Function Transmit section analog output Compressor time constant control analog output COIN Compressor analog input MICO Microphone amplifier output MIC2 Non-inverting input of microphone amplifier MIC1 Inverting input of microphone amplifier GND LF analog/ digital ground RXO Intermediate receive analog output RECO2 Symmetrical output of receive amplifier RECO1 Symmetrical output of receive amplifier EXIN Expander analog input ETC Expander time constant control analog output IFIN2 Symmetrical IF amplifier input IFIN1 Symmetrical IF amplifier input MIXO Mixer output MIXIN Mixer input MIXGND IF amplifier and mixer ground RECDC Reference voltage generation for FSK demodulator NC Not connected LOEXT External LO input VBAT Battery supply LOIN Local oscillator input for TCO or SC filter oscillator: 11.15 MHz VCC Supply voltage output for peripherals and internal supply of digital part DACO D/A comparator output C Clock input of serial bus D Data input of serial bus RXDAT Receive data digital output TXDAT Transmit data digital input 2 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM Absolute Maximum Ratings ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters Symbol VBAT, VCC Tj Tamb Tstg PD Supply voltage Junction temperature Ambient temperature Storage temperature Power dissipation Min. Typ. –25 –50 Max. 5.5 +125 +75 +125 1 Unit V °C °C °C W Current Consumption ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Test conditions (unless otherwise specified): VBAT = VCC = 3.6 V, Tamb = +25°C ERX2 ELNA ERXHF ERX1 ERXO EEA EDEE ETX EPREE 0 0 0 Parameters Operating voltage range Inactive mode Standby mode RX waiting for RSSI RX demodulating MODEM-signal Operating current, RX and TX completely active TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 0 0 0 0 Test Conditions 0 Min. 3.1 VBAT = 2.9 V (or smaller) ERXHF = 1 ERXHF = ERX1 = 1 1 1.7 ERX2 = ELNA = ERXHF = ERX1 = ERXO = EEA = EDEE = GDEM = ETX = 1 0 Typ. 3.6 60 0.3 1.6 2.6 Max. 4.7 80 2.4 3.7 Unit V µA mA mA mA 7.0 11.5 mA 0.5 3 (20) Preliminary Information U3501BM Receiver IF Mixer Electrical Characteristics Test conditions (unless otherwise specified) VBAT = 3.6 V, ERXHF = 1, Tamb = 25°C, FMIXIN = 10.7 MHz, FMIXO = 450 kHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ Parameters Input resistance Input capacitance Output impedance Voltage gain GVMIX Input compression point Third order input intercept point Carrier breakthrough from internal LO (11.15 MHz) to IF output Carrier breakthrough from internal LO (11.15 MHz) to RF input Input frequency range Output frequency Test Conditions Pin MIXIN Pin MIXIN Pin MIXO Input level 7 mVRMS Min. 2000 Typ. 3000 3 1500 15 1200 13 –17 –9 10 Max. 4000 Unit Fig. pF 1800 17 300 dB dBm dBm µVrms 10 µV 60 MHz kHz 450 3 RF-Generator MIXO MIXIN 16 50 W FIF1 15 1.5 k W 10 nF 11.15 MHz 100 nF 96 11780 Figure 3. Test circuit 4 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM IF Amplifier: RSSI ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ Parameters Input resistance RSSI-sensitivity Test Conditions Min. 1.6 Typ. 2 Max. 2.5 Unit k Fig. VIF = 0 µVrms starting from 0 increase RSSIlevel until mean of sampled signal at DACO is < 0.2 RSSI-level = CON0 VIF = 6 µVrms, F = 450 kHz 4 increase RSSI-level again until mean of sampled signal at DACO is < 0.2. RSSI-level = CON1 RSSI-sensitivity = CON1-CON0 4 RSSI input voltage dynamic range RSSI-level number of step RSSI level step-size in the logarithmic region 65 dB 127 0.46 dB RSSI Level Programming (Typical Values) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Input Voltage VIF (µVrms) 0 6 10 100 1000 10000 RSSI-Level (Decimal) 8 15 23 67 114 D 26 IFIN2 13 100 nF Setup RSSI–level programming C 25 IFIN1 14 VIF 100 nF DACO 24 RSSI–level information 96 11781 Figure 4. TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 5 (20) Preliminary Information U3501BM RF Demodulator IF = 450 kHz, FMOD = 1 kHz, input level = 500 µVrms ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ BSCR EDEE GRX0 GRX1 GRX2 GRX3 ERX1 ERXO 1 0 1 Parameters Recovered audio Recovered audio output voltage drop AM rejection ratio 1 1 0 Test Conditions GDEM = 0, dFM = 2.5 kHz GDEM = 1, dFM = 5 kHz VBAT = 4.7 to 3.1 V 1 1 Min. 0.4 Typ. 0.8 –3 30% AM Max. 1.6 Unit Vpp Fig. 0 dB 5 35 dB RX Audio dFM = 1 kHz, GDEM = 0 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ Parameters Change of RX0 signal deemphasis bypass RX gain adjust range RX gain adjust step Output signal versus frequency relative to 1 kHz (0 dB) de-emphasis bypassed Output signal versus frequency relative to 1 kHz (0 dB) de-emphasis enable EDEE = 1 RX total harmonic distortion RX audio mute Test Conditions EDEE = 0; 1 FM0D = 1 kHz DRXGF (100 Hz) DRXGF (300 Hz) DRXGF (1800 Hz) DRXGF (3400 Hz) DRXGF (4350 Hz) DFIL (100 Hz) DFIL (300 Hz) DFIL (1800 Hz) DFIL (3400 Hz) DFIL (4350 Hz) dFM = 250 Hz dFM = 2.50 kHz dFM = 2.5 kHz ERX0 = 0 ERX1 = 0 ERX2 = 0 Min. –0.5 Typ. 0 0.8 –8 –2.2 –1.4 –0.8 –80 –1.6 3.2 –5.7 –10.5 –80 15 1 –7 –1.2 –0.4 0.2 –60 –0.6 4.2 –4.7 –9.5 –60 Max. 0.5 1.2 –6 –0.2 0.6 1.2 –55 0.4 5.2 –3.7 –8.5 –55 2.5 2.5 Unit dB Fig. dB dB dB 5 dB % 65 RX output impedance dB 100 6 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM IFIN2 13 470 nF 8 100 nF IFIN1 14 12.5 kW VIF 100 nF 12405 Figure 5. ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ³ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ³ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ Expander EEA GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 GEA4 1 0 0 0 Parameters Gain reference level G0REC Change of gain when expander is bypassed (relative to G0REC) Gain tracking (relative to G0REC) Input impedance Change of gain due to change of supply voltage Attack time Release time TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 1 1 Test Conditions VEXIN = –10 dBVrms Min. 11 BCOMP = 1 VEXIN = –20 dBV VEXIN = –30 dBV VEXIN = –35 dBV VEXIN = –40 dBV Supply voltage between 3.2 and 5.2 V VEXIN = step –20 dBVrms –14 dBVrms, measure time after step, when output voltage has 0.75 times the final value VEXIN = step 14 dBVrms –20 dBVrms, measure time after step, when output voltage has 1.5 times of final value Typ. 13 Max. 15 Unit dB –0.5 0.5 dB –21 –41 –53 –19 –39 –47 dB 14.5 0.5 k dB –50 –60 9.5 –0.5 Fig. 6 16 ms 16 ms 7 (20) Preliminary Information U3501BM Earpiece Amplifier ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ BCOMP = 1, EEA = 1, VEXIN = 100 mVrms Parameters Maximum gain Medium gain Minimum gain Change of gain due to change of supply voltage Gain adjust range Gain adjust step Output impedance Total harmonic distortion Output offset Output voltage swing Test Conditions GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 1 1 1 1 GEA4 = 1 GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 0 0 0 0 GEA4 = 1 GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 0 0 0 0 GEA4 = 0 Supply voltage varies between 3.2 and 4.7 V Min. 19 Typ. 20 Max. 21 Unit dB 4 5 6 dB –12 –11 –10 dB 0.2 dB –0.2 31 1 10 0.8 VEXIN = 0 mVRMS Increase VEXIN until THD at output (RECO1/ RECO2) is 5% –200 4.8 5.0 1.2 30 1 200 Fig. 6 dB dB % mV Vpp RECO2 9 26 D 1kOhm Setup 10 RECO1 25 C 11 EXIN 100 nF ETC VEXIN 12 470 nF 96 11783 Figure 6. 8 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM LF Transmitter ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ GMIC EPREE BXCR G1TX G2TX BCOMP ETX 1 1 1 1000 1000 1 1 Microphone Amplifier VMIC = 10 mVrms, FIN = 1 kHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ W ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ Parameters Test Conditions Gain High gain: GMIC = 1 Low gain: GMIC = 0 Change of gain due to change of supply voltage Supply voltage varies between 3.2 and 4.7 V Differential input impedance Min. Typ. Max. Unit 31 23 32 24 33 25 dB –0.2 0 0.2 dB 41 75 103 k 10 35 Output impedance Fig. 8 Total harmonic distortion VMIC = 10 mVRMS 1 % Output noise VMIC = 0 VRMS high gain (inputs closed across 200 ) output voltage psophmetrically weighted 50 µVrmsp 100 nF 4 MICO 26 20 k W 5 D MIC2 Setup 100 VMIC 25 6 C MIC1 100 96 11784 Figure 7. TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 9 (20) Preliminary Information U3501BM TX Audio ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ VCOIN = –20 dBVrms Parameters Change of gain TXO Gain between 3.2 and 4.7 V TX gain adjust range adj. 1 TX gain adjust step adj. 1 LIM gain adjust range adj. 2 LIM gain adjust range adj.2 TX gain versus frequency (pre-emphasis bypassed) relative to 1 kHz reference level 0 dB Gain versus frequency with preemphasis relative to 1 kHz reference level 0 dB Total band ripple TX gain Test Conditions EPREE = 0 Min. –0.5 –1 Typ. 0 0 15 1 15 1 –0.3 –0.2 0.2 –0.1 –24 –6.5 –5.5 4.3 7.9 –14 0.8 DTXGT (100 Hz) DTXGT (300 Hz) DTXGT (1800 Hz) DTXGT (3400 Hz) DTXGT (4350 Hz) PFIL (100 Hz) PFIL (300 Hz) PFIL (1800 Hz) PFIL (3400 Hz) PFIL (4350 Hz) VBAT = 3.6 V and 5.2 V VCOIN = –20 dBV GTX (TXO, COIN) 0.8 –1.3 –1.2 –0.8 –1.1 –20 –7.5 –6.5 3.3 6.9 –15 Max. 0.5 –1 Unit dB dB dB dB dB dB 1.2 1.2 0.7 0.8 1.2 0.7 –28 –5.5 –4.5 5.3 8.9 –13 2 Fig. dB 6 dB % 5.5 dB Limiter ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters TX limiter level TX audio mute TX output impedance Test conditions Increase VCOIN until THD at TX0 = 5% then measure VTX0 ETX = 0, VCOIN = –10 dBV attenuation at TX0 output Min. 1.2 Typ. 1.68 Max. 2.3 Unit Vpp 65 7 10 14 dB k 10 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM Compander / Compressor ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ W ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ³ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ³ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ BSCR EPREE G2TX0 G2TX1 G2TX2 G2TX3 ETX G1TX0 G1TX1 G1TX2 G1TX3 1 0 0 Parameters TX input impedance COIN Gain reference level G0TX Change of gain when compresser is bypassed (relative to G0TX) Gain tracking (relative to G0TX) Attack time Release time 1 0 1 1 0 Test conditions BCOMP = 1 VCOIN = –10 dBVrms VCOIN = –10 dBVrms BCOMP = 1 Min. 9 1 0,5 VCOIN = –30 dBVrms VCOIN = –50 dBVrms VCOIN = –60 dBVrms VCOIN = –70 dBVrms VCOIN = step –30 dBVrms –18 dBVrms measure time after step when output voltage has 1.5 times the final value VCOIN = step –18 dBVrms –30 dBVrms measure time after step when output voltage has 0.75 times the final value –11 –21 –22 2 0 Typ. 14 5.5 –30 1 0 Max. 22 10 0.5 Unit k dB dB Fig. –9 –19 –28 8 3.5 ms 14.4 ms 26 D CTC 470 nF Setup 25 TXO 100 nF 3 C 1 COIN 100 kW VCOIN 96 11785 Figure 8. TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 11 (20) Preliminary Information U3501BM Scrambler ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Descrambler ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ EPREE BSCR 0 0 Parameters Conversion gain versus frequency FIN (1 kHz) reference level 0 dB Carrier break through EDEE 0 BSCR 0 BCOMP 1 Test Conditions / Pins FIN = 100 Hz, FOUT = 4255 Hz FIN = 300 Hz, FOUT = 4055 Hz FIN = 700 Hz, FOUT = 3655 Hz FIN = 1800 Hz, FOUT = 2555 Hz FIN = 2600 Hz, FOUT = 1755 Hz FIN = 3400 Hz, FOUT = 955 Hz FIN = 3600 Hz, FOUT = 755 Hz FIN = 1000 Hz, FOUT = 3355 Hz Measure FOUT = 4355 Hz Min. –4.5 –2.3 –0.9 –1.1 –1.1 –2.5 –4.9 –1 Typ. –3.5 –1.3 0.1 –0.1 –0.1 –1.5 –3.9 0 Max. –2.5 –0.3 1.1 0.9 0.9 –0.5 –2.8 1 10 Unit dB mVRMS BCOMP 1 Parameters Conversion gain Versus frequency Carrier break through Test Conditions / Pins FIN = 4255 Hz, FOUT = 100 Hz FIN = 4055 Hz, FOUT = 300 Hz FIN = 3655 Hz, FOUT = 700 Hz FIN = 2555 Hz, FOUT = 1800 Hz FIN = 1755 Hz, FOUT = 2600 Hz FIN = 955 Hz, FOUT = 3400 Hz FIN = 755 Hz, FOUT = 3600 Hz FIN = 3355 Hz, FOUT = 1000 Hz Measure FOUT = 4355 kHz Min. –3.8 –1.6 –0.5 –1.7 –0.7 –1.4 –1.7 –1 Typ. –2.6 –0.6 0.5 –0.7 6.3 –0.4 –0.7 0 Max. –1.8 0.1 1.5 0.3 1.3 0.6 0.3 1 0.3 Unit dB mVRMS DATAS F –3dB = 4.2 kHz F –3dB = 3.55 kHz Gain Stage Output buffer Signal: State: Gain: 4.35 kHz / DC / OFF SCRON / SCROFF / DATA –4dB / 0 dB / OFF 1 kHz SCRON / SCROFF 5.9 dB / 1.9 dB DATAS F –3dB = 3.55 kHz F –3dB = 4.2 kHz Gain Stage Deemphasis Signal: State: Gain: 4.35 kHz / DC / OFF DESCRON / DESCROFF / DATA –4dB / 0 dB / OFF 1 kHz DESCRON / DESCROFF –0.5 dB / –4.5 dB 12406 Figure 9. 12 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM FSK Modem (1200 Bauds) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters FSK-demodulator Input signal discriminator IFIN1-IFIN2––––RXDAT 2100 Hz ––– = 0 1300 Hz ––– = 1 FSK – modulator TXDAT ––– TXO Output signal level TXDAT ––– TXOUT Signal distortion TXDAT ––– TXOUT Output signal frequency Output signal – Distortion – Offset level Signal level Test Conditions IFIN = 450 kHz VIFIN = 0.5 mVRMS df = 2.4 kHz ERX1 = 1 GDEM = 0 (high gain) GRX3 = 1 (+1dB) ETX = 1 EFSK = 1 TXDAT = 0 TXOUT = 2100 Hz TXDAT = 1 TXOUT = 1300 Hz TXDAT = 0 TXOUT = 2100 Hz TXDAT = 1 TXOUT = 1300 Hz TXDAT = 0 TXDAT = 1 Min. Typ. Max. Unit 1660 Hz Hz 1.54 Vpp 1.54 Vpp 2 % 2 % Hz 1720 0.87 2100 1300 2 1.5 0.93 1.4 BSCR = 1 BSCR = 0 1.12 1.61 1.35 2.1 % V Vpp Vpp Electrical Characteristic of Logical Part ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameters Inputs: C, D, TXDAT Low voltage input High voltage input Input leakage current (0 < VI < VCC) Input LOIN Input leakage current pin XCK (0 < VI < VCC) Outputs: DACO, RXDAT Output low Output high Serial bus (figure?) Data set-up time Data hold time Clock low time Clock high time Hold time before transfer condition Data low pulse on transfer condition Data high pulse on transfer condition TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 Test Conditions Min. Typ. Max. Unit 0.5 V V 1 mA 5 mA 2.5 –1 –5 lol = 4 µA loh = –4 µA tsud thd tcl tch teon teh teof 0.1*VCC 0.9*VCC 0.1 0 2 2 0.1 0.2 0.2 msec msec msec msec msec msec msec 13 (20) Preliminary Information U3501BM Serial Bus Interface The circuit is remoted by an external microcontroller trough the serial bus. The data is an 12 – bit word: Data B11 – B8: address of the destination register (0 to 15) Micro- B7 – B0: contents of register processor Clock D C The data line must be stable when the clock is high and data must be serially shifted. 96 11787 After 12 clock periods, the transfer to the destination register is (internally) generated by a low to high transition of the data line when the clock is high. Data (D) b0 b1 b2 Figure 10. b9 b10 b11 Clock (C) 1st word 2nd word Word transmission Transfer condition 96 11788 Figure 11. Serial bus transmission Data 8 4 Clock 0 Address 128 latches Decoder 15 Commands 96 11789 Figure 12. 14 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM Data b11 b10 b9 (D) b0 (C) Clock tsud thd tcl tch teon teh teoff 96 11790 Figure 13. Content of Internal Registers ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 0: Reference for D/A Converter DA0 DA [0:6]: MUXDA: DA1 DA2 DA3 DA4 DA5 DA6 MUXDA Refernce voltage D/A D/A multiplexing ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 1: Gain adjustment RECLF GRX0 GRX [0:3]: GEA [0:3]: GRX1 GRX2 GRX3 GEA0 GEA1 GEA2 GEA3 Gain adjustment RX Gain earpiece amplifier (see register 5) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 2: Gain adjustment TRANLF G1TX0 G1TX1 G1TX2 G1TX3 G2TX0 G2TX1 G2TX2 G2TX3 G1TX [0:3]: Gain adjustment TX G2TX [0:3]: Gain adjustment TX after limiter ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 3: Enable functions receive ERX2 ERX [1:2]: ERXHF: ERXO: EEA: EDEE: GDEM: Free ERXHF ERX1 ERXO EEA EDEE GDEM Enable parts of RXLF Enable RX mixer and IF-amplifier Enable RXO output Enable earpiece amplifier Enable demphasis (disable simultaneus bypass) Gain demodulator TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 15 (20) Preliminary Information U3501BM ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 4: Enable functions transmit ETX EPREE ETX: EPREE: EFSK: GMIC: BSCR: BCOMP: RBAT: SRSSI: EFSK GMIC BSCR BCOMP RBAT SRSSI Enable TX low frequency part Enable preemphasis (disable simultaneus bypass) Enable modulator of FSK-modem Gain of microphone preamplifier Bypass scrambler/ descrambler Bypass compressor expander Battery detection high/ low range RSSI sample hold ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 5: EXTLO EXTLO: GEA4: MTX: GEA4 free free free free MTX free Select input MIXER2 Gain earpiece amplifier MSB (see register 1) Mute transmit path Example of Mode Setting Using Enable Bits and Battery Switch (U3500B + U3550B) Active Mode (Transmission) EEA Active Mode (PLL Convergence Waiting) Receive Mode (Only Data) Receive Mode (RX Waiting) Standby Mode (ex: Battery Low) ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ X ETX, ERX2, ERXO X X ERX1 X X X X X X X X X X X X X X X X X ERXHF, RSSI/Battery Management (MUXDA) LOGIC PART (Enabled when VBAT > 3.2V) Inactive Mode (Switch Off) Switch Comparator (Always Enabled) 16 (20) Preliminary Information X TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM Battery Management ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Max batlow Min batlow over switch Max bathigh Min bathigh Adjust step (Max - Min) (MINBL - SWOFF) DA0 to 6 = 1, RBAT = 1 DA0 to 6 = 27 BIN, RBAT = 1 DA0 to 6 = 1, RBAT = 0 DA0 to 6 = 0, RBAT = 0 3.8 3.05 4.85 3.93 3.5 852.5 100 3.95 3.2 5.05 4.1 7.5 952.5 200 4.1 3.35 5.25 4.27 11.5 1052.5 300 V V V V mV mV mV Battery Switch ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Characteristic Off threshold On threshold Hysteresis Switch ron Max batlow Min batlow Max bathigh Min bathigh Adjust step (MAX - MIN) MINBL - SWOFF OFF threshold ON threshold Hysteresis Switch : : : : : : : : : : : Test Conditions DA0 to 6 = 1, RBAT = 1 DA0 to 6 = 27 BIN, RBAT = 1 Min. 2.9 3.15 220 DA0 to 6 = 0, RBAT = 0 Typ. 3.0 3.25 250 35 Max. 3.1 3.35 280 50 Unit V V mV MAXBL (battery voltage when all DAC bits are high, low range) MINBL (battery voltage when DAC bits are 0011011, low range) MAXBH (battery voltage when all DAC bits are high, high range) MINBH (battery voltage when all DAC bits are low, high range) Adjust step MAXBH - MINBH MINBL - SWOFF SWOFF (off threshold of the battery switch) SWON (on threshold of the battery switch) SWON - SWOFF Switch Ron (resistance of the switch transistor, when switch is “ON”) TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 17 (20) Preliminary Information TX RX D 18 (20) Preliminary Information D Double PLL Transmitter DUPLEX FILTER RX VCO TX VCO Supply Reference 20.95 MHz 11.15MHz MIXIN D C VBAT NC LOEXT LOIN MIXGND 1 IF 21.4 MHz XTAL –Filter Front–End First MIXER U2796B MIXO IFIN1 450KHz Ceramic Filter VCC INT– BUS Serial Bus mC Supply TXO LPF BATD Battery low detector DIVI Switched Cap. Divider. OSCILATOR 11.15MHz Á Á U2782B LNA RDEMO Demo– dulator DACO Modem LPF DACO LPF RECDC LIMITER ÁÁ TGAIN ADJ.2 GND PFIL MODEM FSK DFIL CTC COMPRESSOR MIC RECOUT EXPANDER TGAIN ADJ.1 LPF –Discreet Scrambler frequency RGAIN ADJ Scrambler frequency D/A LOG RSSI IFAMP IFIN2 U3501BM D COIN MICO MIC2 MIC1 TXDAT RXDAT RECO1 RECO2 EXIN ETC RXO mC U3501BM Application Circuit of CT1 TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 U3501BM Dimensions in mm Package SO28 95 9932 TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96 19 (20) Preliminary Information U3501BM Ozone Depleting Substances Policy Statement It is the policy of TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH to 1. Meet all present and future national and international statutory requirements. 2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on the environment. It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as ozone depleting substances ( ODSs). The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these substances. TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH semiconductor division has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents. 1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively 2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental Protection Agency ( EPA) in the USA 3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively. TEMIC can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain such substances. We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice. Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use. TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423 20 (20) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 29-Jul-96