NPN SILICON TRANSISTOR 9013 TO 92 FEATURES 特 1.EMITTER 征 发 射 极 Power dissipation 最大耗散功率 PCM : 0.625 W Collector current ICM : 基 极 Tamb=25 3.COLLECTOR 最大集电极电流 0.5 电 极 1 2 3 集电极--基极击穿电压 V(BR)CBO : 45 V Tamb=25 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 特 集 A Collector-base voltage 电 2.BASE unless otherwise specified 环境温度 性 Symbol 符 号 Parameter 参 数 除 非 另 有 MIN 最小值 Test conditions 测 试 条 件 规 定 TYP 典型值 MAX 最大值 UNIT 单位 Collector-base breakdown voltage 集 电 极 - - 基 极 击 穿 电 压 V(BR)CBO Ic= 100 A IE=0 45 V Collector-emitter breakdown voltage 集 电 极 - - 发 射 极 击 穿 电 压 V(BR)CEO Ic= 0. 1 mA IB=0 25 V Emitter-base breakdown voltage 发 射 极 - - 基 极 击 穿 电 压 V(BR)EBO IE= 100 A IC=0 5 V Collector cut-off current 集电极--基极截止电流 ICBO VCB= 40 V IE=0 0.1 A Collector cut-off current 集电极--发射极截止电流 ICEO VCE= 20 V IB=0 0.1 A Emitter cut-off current 发射极--基极截止电流 IEBO VEB= 5 V IC=0 0.1 A DC current gain(note) 直 流 电 流 增 益 HFE 1 VCE= 1 V, IC= 50 mA 64 HFE 2 VCE= 1V, IC =500 mA 40 300 Collector-emitter saturation voltage 集 电 极 - - 发 射 极 饱 和 压 降 VCE(sat) IC= 500 mA, IB=50 mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage 基极--发射极饱和压降 基极 发射极饱和压降 VBE(sat) IC= 500mA, IB= 50 mA 1.2 V Base-emitter voltage 基 极 - - 发 射 极 正向 电压 VBE IE=100mA 1.4 V Transition frequency 特 征 频 率 fT VCE= 6 V, IC= 20 mA 150 MHz f =30MHz 分类 CLASSIFICATION OF HFE(1) Rank 档次 D E F G H I Range 范围 64-91 78-112 96-135 112-166 144-220 190-300 Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Homepage: http://www.wingshing.com Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153 E-mail: [email protected]