GBI35A ... GBI35M GBI35A ... GBI35M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2015-04-15 ±0.2 ±0.2 3.6 2.7 1.0 10 Nominal current Nennstrom ±0.2 ±0.2 50...1000 V 30 x 3.6 x 18 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 7g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.8 2x7.5 35 A Plastic case Kunststoffgehäuse 17.5 ±0.2 11 ±0.5 2.2 4.6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 5 ±0.2 20 ±0.2 Type Typ 4 ±0.2 30 Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBI35A 35 50 GBI35B 70 100 GBI35D 140 200 GBI35G 280 400 GBI35J 420 600 GBI35K 560 800 GBI35M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 70 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 320/350 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 1 2 Tj TS M3 512 A2s -50...+150°C -50...+150°C 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 GBI35A ... GBI35M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 5.0 A 1) 4.0 A 1) Max. rectified current with forced cooling Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV IFAV 35.0 A 30.0 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthJA < 8 K/W 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthJC < 0.6 K/W Type Typ Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand RL [Ω] GBI35A 25000 0.2 GBI35B 16600 0.3 GBI35D 10000 0.5 GBI35G 5000 1.0 GBI35J 3300 1.5 GBI35K 2500 2.0 GBI35M 2000 2.5 10 3 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 2 450a-(17a-1,05v) -1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG