BAV19WS...BAV21WS BAV19WS...BAV21WS Surface Mount Small Signal Diodes Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-09-27 ±0.1 Type Code 1.25 0.3 ±0.1 1±0.1 1.7±0.1 2.5±0.2 Dimensions - Maße [mm] Power dissipation – Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 120...250 V Plastic case – Kunststoffgehäuse ~ SOD-323 Weight approx. – Gewicht ca. 0.005 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25° C) Grenzwerte (TA = 25° C) BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 1) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs IFSM IFSM 0.5 A 2.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung BAV19WS BAV20WS BAV21WS VRRM VRRM VRRM 120 V 200 V 250 V Continuous reverse voltage Sperrspannung BAV19WS BAV20WS BAV21WS VR VR VR 100 V 150 V 200 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj +150° C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS - 55…+150° C 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com 1 BAV19WS...BAV21WS Characteristics (Tj = 25° C) Kennwerte (Tj = 25° C) Forward voltage ) Durchlass-Spannung IF = 100 mA IF = 200 mA VF VF <1V < 1.25 V VR = 100 V VR = 150 V VR = 200 V IR < 100 nA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 30 mA über/ through IR = 30 mA bis / to IR = 1 mA trr < 50 ns 1 Leakage current 1) Sperrstrom BAV19WS BAV20WS BAV21WS Tj = 25° C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Marking – Stempelung RthA < 625 K/W BAV19WS BAV20WS BAV21WS 2 WO 1 120 [%] [A] 100 10 -1 80 Tj = 125°C 10 -2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycles ≤ 2 % gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2 % Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com © Diotec Semiconductor AG