SL1A ... SL1M SL1A ... SL1M Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-12-06 Nominal current – Nennstrom 1.1 1.3 ±0.2 3.7 ±0.2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.8 1.1 Power SOD-123 Weight approx. – Gewicht ca. 0.02 g 1.7±0.2 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 0.8 Type Code 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ±0.3 2.7 1A Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Marking Kennzeichnung 1 ) SL1A 50 50 1A / SA1 SL1B 100 100 1B / SA2 SL1D 200 200 1D / SA3 SL1G 400 400 1G / SA4 SL1J 600 600 1J / SA5 SL1K 800 800 1K / SA6 SL1M 1000 1000 1M / SA7 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 1 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 22/25 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 2.4 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Alternatively – Alternativ Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SL1A ... SL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität f = 1 MHz VR = 4 V Typical reverse recovery time Typische Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Cj 8 pF trr 1.5 µs Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 85 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 30 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 0.4 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 30a-(1a-1.2v) -2 10 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG