LL4148, LL4150, LL4151, LL4448 LL4148, LL4150, LL4151, LL4448 Ultrafast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Ultraschnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-09-23 Nominal current Nennstrom 150...300 mA 0.3 Glass case MiniMELF Glasgehäuse MiniMELF 0.3 Type Typ 3.5 ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. Gewicht ca. Dimensions - Maße [mm] 50...100 V SOD-80C 0.04 g Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ Grenzwerte (TA = 25°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) LL4148 75 100 LL4150 50 50 LL4151 50 75 LL4448 75 100 Type Typ LL4148 LL4448 LL4150 LL4151 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last IFAV 150 mA 2) 300 mA 2) 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 500 mA 2) 600 mA 2) 500 mA 2) IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA Non-repetitive peak forward current Stoßstrom-Grenzwert tp = 1 µs Tj = 25°C Max. power dissipation Max. Verlustleistung Ptot 500 mW 2) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminals Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 LL4148, LL4150, LL4151, LL4448 Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at/bei IF [mA] Leakage current Sperrstrom Rev. recovery time 2) Sperrverzugszeit 2) IR [nA] at/bei VR [V] trr [ns] LL4148 <1 10 < 25 < 5.000 < 50.000 20 75 20 (Tj = 150°C) <4 LL4150 0.54...0.62 0.66...0.74 0.76...0.86 0.82...0.92 8.87...1.00 1 10 50 100 200 < 100 < 100.000 50 50 (Tj = 150°C) <4 LL4151 <1 50 < 50 < 50.000 50 50 (Tj = 150°C) <2 LL4448 0.62...0.72 <1 5 100 < 20 < 5.000 < 50.000 25 75 20 (Tj = 150°C) <4 RthA < 300 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 10-1 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 0 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1 ) 2 1 2 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA, VR = 6 V, RL = 100 Ω Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminals Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG