BAS16DW BAS16DW Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes – Three Single Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage – Drei Einzeldioden Version 2015-02-23 2 x 0.65 5 4 ±0.1 6 0.9±0.1 1 2 2.1 Type Code 1.25±0.1 2 ±0.1 3 2.4 Dimensions - Maße [mm] Power dissipation – Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse SOT-363 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BAS16DW Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 1) IFSM IFSM 1A 2A VRRM 100 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage 2) Durchlass-Spannung 2) Leakage current Sperrstrom IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25°C VR = 75 V IR < 1 µA Tj = 150°C Tj = 150°C VR = 25 V VR = 75 V IR IR < 30 µA < 50 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 620 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS16DW Pinning – Anschlussbelegung 6 5 Marking – Stempelung 4 Fast Switching Diodes Schnelle Dioden 1 2 BAS16DW = KW 1, 2, 3 = A 4, 5, 6 = C 3 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10 -2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG