EUPEC D1031SH

Datenblatt / Data sheet
SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetiti ve peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
maxi mum RMS on-state current
Tvj = 0°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
VRRM
4500 V
IFRMSM
2300 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 60°C, f=50Hz
IFAVM
1140 A
1470 A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
IFSM
A
23000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
I²t
Max. Aussc haltverluste
max. turn-off loss es
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs,
VCL = 2800V,
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, DCL = 34DSH 65,
Wmax
failure rate λ < 100
VR(D)
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
vF
typ.
max.
3,85 V
4,2 V
Schleus ens pannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
1,63 V
1,78 V
Ersatzwi derstand
slope resistanc e
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,888 mΩ
0,968 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßkennlinie
on-state c haracteristic
1000A ≤ iF ≤ 2500A
10³ A²s
2645 10³ A²s
4 MW
estimate
value
Spitzenwert der Durchlass verzögerungsspannung
peak value of for ward recovery voltage
Tvj = Tvjmax , diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
0,55
-3,27E-5
-0,0692
0,0784
0,599
-3,69E-5
-0,0755
0,0853
typ.
350 V
Sperrstrom
reverse c urrent
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
100 mA
Qr
max.
3500 µAs
IRM
max.
1500 A
Eoff
max.
v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( iT + 1) + D ⋅
Sperrverz ögerungsladung
recover ed c harge
Rüc kstromspitz e
peak reverse r ecover y c urrent
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recover y softness fac tor
prepar ed by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
max.
iT
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs,
VCL = 2800V,
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, CCL = 3µF,
DCL = 34DSH65,
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
dirr /dt(i=0) = 1000A/µs, ∆t = 200ns
date of publication:
revision:
FRRS
A
B
C
D
A
B
C
D
2800 V
typ.
7 Ws
1,6
2005-04-15
5
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Datenblatt / Data sheet
SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
he / cooling surfac e
R
ThermischeKühlfläc
beids
Eigenschaften
eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
/ anode, DC
MechanischeAnode
Eigenschaften
Kathode / c athode, DC
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, cas e to heatsi nk
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
einseitig / single-sided
thJC
RthCH
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Tvj max
Betriebs temperatur
operating temperature
Tc op
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
max.
max.
max.
max.
0,0111
0,0100
0,0174
0,0236
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
max.
0,0030 °C/W
0,0060 °C/W
140 °C
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
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Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
65DSX45
Anpress kraft
clampi ng force
F
Gewic ht
weight
G
27...45
typ.
kN
850 g
Kriechstrec ke
creepage distance
30 mm
Lufts trec ke
air distanc e
17 mm
Feuchteklass e
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz
50 m/s²
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitg
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
D 1031SH
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,00354
0,00373
0,00155
0,00093
0,00025
τn [s]
0,9
0,118
0,0282
0,00422
0,00134
Rthn [°C/W]
0,0106
0,00039
0,00462
0,00116
0,00063
τn [s]
4,89
0,253
0,0883
0,00932
0,00185
Rthn [°C/W]
0,01687
0,00024
0,00426
0,0013
0,00093
τn [s]
4,52
0,745
0,113
0,0214
0,00359
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
n max
Σ
n=1
7
R thn 1 − e
-t
τn
0 ,03
c
0 ,025
a
d
0 ,015
Zth JC [K/W]
0 ,02
0 ,01
0 ,005
0,0 01
0,01
0,1
1
0
1 00
10
t [ s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
3000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
2000
iF [V]
typ .
m ax.
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
vF [V ]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF )
Tvj = Tvj max
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
40 00
Tc beidseitig
IF M =250 0A
35 00
30 00
Qr [µAs]
25 00
IF M= 1000A
20 00
IF M=5 00A
15 00
10 00
IF M =100A
5 00
0
0
200
40 0
600
80 0
1000
12 00
1400
- d i/d t [ A/µ s ]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68ΩCCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
18 00
IFM =25 00A
16 00
IFM =10 00A
14 00
IFM =50 0A
12 00
IRM [A]
10 00
IFM =10 0A
8 00
6 00
4 00
2 00
0
0
200
40 0
600
80 0
1000
12 00
1400
- d i/d t [ A/µ s ]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current I RM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68ΩCCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
8
IF M= 2500A
7
6
Eo ff [Ws]
5
IF M=1 000A
4
IF M=5 00A
3
2
IF M=1 00A
1
0
0
2 00
40 0
600
800
10 00
120 0
1400
- d i/d t [A /µs ]
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68ΩCCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
D 1031SH
40 0
35 0
typ
30 0
V F RM [V]
25 0
20 0
15 0
10 0
50
0
0
1 000
200 0
3 000
4000
5 000
6000
d iF /d t [ A/µ s]
Ta bei Sinus
Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung / peak forward recovery voltage VFRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, I FM = 4000A
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