桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好：HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE 高 HFE：HFE=200〜700 Low Noise 低雜訊：NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 与 GM9015 互补 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 50 Vdc Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 45 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 150 mAdc Base Current 基極電流 IB 30 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GM9014=J6 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=50V,IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 50 — — V V(BR)CEO IC=1.0mA 45 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V hFE VCE=6V,IC=2mA 200 — 700 — — — 0.3 V Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 測試條件 VCE(sat) IC=100mA, IB=5mA Min Typ Max Unit 最小值 典型值 最大值 單位 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE=5.0V,IC=10mA — — 0.82 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5.0V,IC=10mA 100 180 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz — 4.0 7.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 ■DIMENSION 外形封裝尺寸