桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MPSA13 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR ■FEATURES 特點 NPN Darlington Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Characteristic 特性參數 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO 30 Vdc VCEO 30 Vdc VEBO 10 Vdc Ic 500 mAdc PC 625 mW RΘJA 200 ℃/W Tj 150 ℃ Tstg -55〜150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MPSA13 ■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min 最小值 TYP 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB= 30V,IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB= 10V,IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC= 100μA 30 — — V V(BR)CEO IC= 1.0mA 30 — — V V(BR)EBO IE= 100μA 10 — — V DC Current Gain 直流電流增益 hFE VCE= 5V, IC=10mA 5000 — — — DC Current Gain 直流電流增益 hFE VCE= 5V, IC=100mA 10000 — — — VCE(sat) IC= 100mA, IB= 0.5mA — — 1.5 V VBE(on) VCE= 5V, IC=100mA — — 2 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE= 5V, IC= 10mA 125 — — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz — 4 — pF Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MPSA13 ■TYPICAL CHARACTERISTIC CURVE 典型特性曲线