桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. 2SC2411 ■FEATURES 特點 NPN Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 ■最大額定值(Ta=25℃) CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 32 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current 集電極電流 Ic 500 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 2SC2411 P Q R MARK CP CQ CR HFE 82~180 120~270 180~390 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. 2SC2411 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=20V,IE=0 — — 1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=4V,IC=0 — — 1 μA V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V V(BR)CEO IC=1mA 32 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V HFE VCE=3V, IC=100mA 82 — 390 — VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 0.4 V VBE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 1.2 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5V, IC=20mA — 250 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz — 6 — pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位