桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. S8050A ■FEATURES 特點 Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動 Complementary to S8550A 与 S8550A 互补 ■最大額定值(Ta=25℃) CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 25 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current 集電極電流 Ic 500 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 S8050A=J3Y. 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. S8050A ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characterstic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=30V,IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V V(BR)CEO IC=10mA 25 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V HFE(1) VCE=1V, IC=50mA 85 — 400 HFE(2) VCE=1V, Ic=500mA 30 — — VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 0.6 V VBE(sat) IC=500mA, IB=50mA — — 1.2 V Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE=1V, IC=10mA — 0.8 1.0 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5V, IC=10mA 100 120 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz — 13 30 pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位 —