桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好：hFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) Low Noise 低雜訊：NF=1dB(Typ.),10db(Max.). Complementary to GM9014 与 GM9014 互补 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -50 Vdc Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -45 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -150 mAdc Base Current 基極電流 IB -30 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GM90155=M6 GM901 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-50V,IE=0 — — -0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=-5V,IC=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC=-100μA -50 — — V V(BR)CEO IC=-1.0mA -45 — — V V(BR)EBO IE=-100μA -5 — — V hFE VCE=-6V,IC=-2mA 200 — 700 — — — -0.6 V Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 測試條件 VCE(sat) IC=-100mA, IB=-5mA Min Typ Max Unit 最小值 典型值 最大值 單位 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE=-5.0V,IC=-10mA — — -0.82 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=-5.0V,IC=-10mA 100 180 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=-10V,IE=0, f=1MHz — 4.0 7.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 ■DIMENSION 外形封裝尺寸