NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 汕头华汕电子器件有限公司 BU406 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C270AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：2700×2700µm 2 焊位尺寸：B 极 550×900µm 2 ；E 极 550×1100µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：ＢＵ４０６，ＢＵ４０６Ｈ █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… －55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 60W VCBO ——集电极—基极电压……………………………… 400V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 200V V EBO——发射极—基极电压………………………………… 6V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 7A ICP ——集电极电流（脉冲）………………………………… 10A IB ——基极电流…………………………………………………4A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 符 号 说 明 BVCEO ICES IEBO hFE 集电极— 发射极击穿电压 集电极— 发射极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) 集电极— 发射极饱和电压 VBE(sat) 基极— 发射极饱和电压 fT tOFF 特征频率 下降时间 最小值 典型值 最大值 200 5 1 单 位 V mA mA 12 5 30 8 1 1 1.2 1.2 10 0.75 V V V V MHz ? s 测 试 条 件 IC=10mA，IB=0 VCE=400V，VBE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=1V，IC=1A VCE=1V，IC=5A VCE=5V，IC=2A VCE=5V，IC=5A IC=5A，IB =0.5A IC=5A，IB =0.8A IC=5A，IB =0.5A IC=5A，IB =0.8A VCE=10V，IC=0.5A IC=5A，IB =0.5A