NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR M28S 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C060AJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：600×600µm 2 焊位尺寸：B 极 130×150µm 2；E 极 140×130µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：M28S，HM28S █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度……………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………850mW VCBO——集电极—基极电压………………………………40V VCEO——集电极—发射极电压……………………………20V VEBO——发射极—基极电压…………………………………6V IC——集电极电流…………………………………………1.25A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) ICBO ICES IEBO fT 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 发射极—基极电流 特征频率 最小值 典型值 最大值 单 位 40 20 6 300 300 300 300 V V V 1000 0.55 1.2 100 100 100 100 V V nA nA nA MHz 测 试 条 件 IC=100µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 VCE=1V，IC=1mA VCE=1V，IC=100mA VCE=1V，IC=300mA VCE=1V，IC=500mA IC=600mA，IB=20mA IC=600mA，IB=20mA VCB=35V，IE=0 VCE=20V，VBE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=5V，IC=50mA