HUASHAN A150AG-02

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
940L 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:A150AG-02
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1500×1500µm 2
焊位尺寸:B 极 290×450µm 2 ;E 极 285×450µm 2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:HA940
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj ——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………… 25W
PC——集电极功率耗散(Ta=25℃)………………………1.5W
VCBO ——集电极—基极电压…………………………- 150V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………-150V
VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V
IC——集电极电流(DC)…………………………………-1.5A
IB ——基极电流…………………………………………-0.5A
█
电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
参数符号
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
单 位
测
试
条
件
BVCBO
集电极— 基极击穿电压
-150
V
IC=-500µA ,IE=0
BVCEO
集电极— 发射极击穿电压
-150
V
IC=-10mA,IB=0
BVEBO
发射极— 基极击穿电压
-5
V
IE=-500µA ,IC=0
ICBO
集电极— 基极截止电流
-10
µA
VCB=-120V,IE=0
IEBO
发射极— 基极截止电流
-10
µA
VEB=-5V,IC=0
hFE
直流电流增益
VCE(sat)
集电极— 发射极饱和电压
VBE(on)
基极— 发射极导通电压
fT
Cob
特征频率
共基极输出电容
40
-0.65
75
-0.75
4
55
140
VCE=-10V,IC=-500mA
-1
V
IC=-500mA,IB=-50mA
-0.85
V
VCE=-10V,IC=-500mA
MHz
VCE=-10V,IC=-500mA
pF
VCB=-10V,IE=0,
f=1.0MHz