ETC 3DD8

、
硅 NPN 型功率晶体管
3008
用逸功率放大;低速开关;电源调整
外开三:
S J 139 - 81
F一 2
最大额定值 (Tc =2S 0 C)
定
额
名
符号
称
集电极-基极电压
VCBO
.'
集电极,发射极电压
VCBO
发射极-基极电压
VBBO
集电极电流
Ic
基极电流
IB
书
B
宫。
1
值
单位
|
F
E
D
v
110
1 宫。
200
v
当
V
15
A
A
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w
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PCM
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Tj
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贮存温度
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'
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0
名
称
符号|
集电极,基极截止电流
I cBo
集电极-发射极截止电流
ICEO
测
试
条
最小!典型|最大
件
.
V cs =20V
共发射极静态电流传输比
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集电极-发射植饱和电压
VCE(sa 叶
集电极-基极饱和电压
VBB(sa.)
V CE = 宫 V ,
A
2
mA
2
v
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Ic=5A
'
特征频率
fT
Ic= 雪 A , 1 , =0. 当A
Ic =
单位
A , IB =
B
v
MHz
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下降时间
μs
• 221 •
3008
最
称
名
号
测试条件
单位
A
集电极-基极击穿电压
V(BR )C BO
集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO
发射极-基极击穿电压
I
B
D
C
E
F
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v
Ic= 雪mA
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80
110
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V
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名
称
号
符
最
大
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v
200
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80
140 150
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• 224 •
硅 NPN 三重扩散型大功率晶体管
3DD8-T
用途·功率放大P 低速开关g 电源调整
外形: S J1 39
… 81
F- 2 钢〉
最大额定值 (Tc =>Z5 0 C)
名
称
集电极-基极电压
额
VCBO
集电极-发射极电压
VCBO
发射极-基极电压
VB80
集电极电流
定
符号
A
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c
B
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v
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PCM
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-5~-175
℃
,
℃
-55-17
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.
v
600
18
集电极挺散功率
单位
I
5
k
基极电流
值
.
-
'
电幡锥 (Tc....ZSOC)
名
称
符号
测
试
条
件
量,j、
典型
最六
单位
集电极,基极截止电流
Icao
'民电极-~射极幢止电流
Ic BO
共发射植静在电缸传输比
hPB
'民电极-~射植饱和电压
VC Ik帽"
EEOC田2,.AgA
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1.5
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v
,晨电棍-基极饱和电压
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Ic - S A, 1. -O.$A
1.8
v
A
VCB==30V(A), VCB回到V(B),
2
mA
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VCB嚣 5V ,Ic -5A
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Vc.-lOV ,1c: -2. 5-'(G-I)
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MHz
下降时间
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3DD8-T
件 |ι 山小|
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名称
集电极-基极击穿电臣
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
R(.h)ic
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大
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最
符号
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硅 NPN 大功率晶体管
极限值〈绝对最大额定值) ( Ta= 25 。 C )
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T a == 25 C )
参数
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V (BR)CEO V (BR) EBO
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( V )
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IE = 5mA
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( V )
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②
③
VCE==
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Ic ==
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外
形
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3D)D8B- T
3D)D8 C- T
咱'
3D
)-T
注 100
橙
;?: 150
黄
25--40
40--55
二三
5
ζ2
55--80
蓝
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二三 250
3D)D8 F - T
二三 300
3D)D8G- T
二三 400
棕
二三 500
7----15
红~蓝
3D
图 1
绿
二三 200
一一二二一一
F-2
~1.5
80--120
紫
G•
120--180
事·
,
3D
3DD81 一 Tj
注:①
图 2
三三 2.0
同上
二三 600
A 档 V CE = 30V , B档 VCE=50V , C--I 档 VCE==100V
②
A--F 档 V CE == 5 V , lc = 5A; G ---- 1 档 VCE= 10V , Ic 二 2.5A
(
A ---- F 档 Ic=5A , IB=O.5A; G---- 1 档 Ic=2.5A , IB==0.5A
57
4
酌-
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