PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 1013 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A080BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SA1013 █ 极限值（Ta=25℃）（TO-92L） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）…………………900mW VCBO——集电极—基极电压…………………………-160V VCEO——集电极—发射极电压………………………-160V V EBO ——发射极—基极电压……………………………-6V I C ——集电极电流………………………………………-1A IB——基极电流…………………………………………-0.5A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-92L） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 -160 -160 -6 -1 -1 320 -1.5 -0.75 60 -0.45 15 50 35 单位 V V V µA µA 测 试 条 件 IC=-100µA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-100µA，IC=0 VCB=-150V，IE=0 VEB=-6V，IC=0 VCE=-5V，IC=-200mA V IC=-500mA，IB=-50mA V VCE=-5V，IC=-5mA MHz VCE=-5V，IC=-200mA pF VCB=-10V,IE=0，f=1MHz