ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｓｉｎｇｌｅ ＰＨＭ８００１ ８００ Ａ，１５０Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ 特長 * * * * 大容量（800ADC）です トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載 超低RDS(on)：１．４mΩ（＠800A）を実現 内臓ダイオードが高速 用途 * バッテリフォークリフト用チョッパ * ４８Ｖ級直流電源制御用 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｄuty=50％ ＤＣ 質量：約650ｇ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧（ＶＧＳ＝０Ｖ） Ｄrain-Ｓource Ｖoltage ゲート・ソース間電圧 Ｇate-Ｓource Ｖoltage ド レ イ ン 電 流 Ｄrain Ｃurrent 結 線 図 端子温度=80℃ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＤＳＳ １５０ Ｖ ＶＧＳＳ ±２０ Ｖ ８００ ＩＤ Ａ ６４０ パルスドレイン電流 Ｐulsed Ｄrain Ｃurrent ＩＤＭ １，６００ Ａ 全 損 失 Ｔotal Ｐower Ｄissipation ＰＤ ２，６５０ Ｗ 動 作 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ −４０∼＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ −４０∼＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２，５００ Ｖ（ＲＭＳ） 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase Ｉsolation Ｖoltage ＡＣ,１ｍinute) Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ８ ３（３０.６） １.４（１４.３） １０.５（１０７） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ドレイン遮断電流 Ｚero Ｇate Ｖoltage Ｄrain Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｓource Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＤＳＳ ＶＤＳ= 150V,ＶＧＳ= 0V − − ４.８ ｍＡ ＩＧＳＳ ＶＧＳ= ±20V,ＶＤＳ= 0V − − ４.８ μＡ １.０ ２.０ ３.２ Ｖ ゲートしきい値電圧 Ｇate-Ｓource Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧS（ｔｈ） ＶＤＳ=ＶＧＳ,ＩＤ=20mA ドレイン・ソース間オン抵抗（ＭＯＳＦＥＴ部） Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｒesistance ＲＤＳ（ｏｎ） ＶＧＳ=10V,ＩＤ=800A − １.１５ １.４ mΩ ドレイン・ソース間オン電圧 Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｖoltage ＶＤＳ（ｏｎ） ＶＧＳ=10V,ＩＤ=800A − １.１０ １.２５ Ｖ ｇfs ＶＤＳ=15V,ＩＤ=800A 順伝達コンダクタンス Ｆorward Ｔransconductance 入 力 容 量 出 帰 力 還 容 容 量 Ｏutput Ｃapacitance 量 Ｒeverse Ｔransfer Ｃapacitance 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｃｏｅｓ Ｃｒｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＧＳ=0V ＶＤＳ=10V ＶＤＤ=80V ＩＤ=400A ＲＧ=0.75Ω ＶＧＳ=-5V,+10V ｆ=1MHＺ − １６５ − ｎＦ − − − − − − ２０ ２０ ５００ ８８０ １８０ １３００ − − − − − − ｐＦ ｐＦ ｎｓ ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｓｉｎｇｌｅ □内部逆方向ダイオードの定格 内部逆方向ダイオードの定格と特性 Ｓｏｕｒｃｅ内部逆方向ダイオードの定格と特性： と特性 Ｓｏｕｒｃｅ-Ｄｒａｉｎ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ソ−ス電流 Ｃontinuous Ｓource Ｃurrent パルスソ−ス電流 Ｐulsed Ｓource Ｃurrent ダイオード順電圧 Ｄiode Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 ＰＨＭ８００１ ８００ Ａ，１５０Ｖ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＳ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｄuty=50％ ＤＣ 端子温度=80℃ ＩＳＭ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. ８００ ６５０ Ｕｎｉｔ Ａ Ａ − − １６００ Ａ ＶＳＤ ＩＳ=800A − ｔｒｒ ＩＳ=800A -ｄis/ｄt=1600A/μs − − １３０ ｎｓ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ − − ０．０４７ ℃／Ｗ − − ０．０３５ ℃／Ｗ １．１０ １．７６ Ｖ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 接合・ケ−ス間熱抵抗 Ｔhermal Ｉmpedance, Junction to Case ケ−ス・フイン間熱抵抗 Ｔhermal Ｉmpedance, Case to Heatsink Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｒth(j-c) Ｒth(c-f) サ−マルコンパウンド塗布 Mounting surface flat,smooth, and greased ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｓｉｎｇｌｅ ＰＨＭ８００１ ８００ Ａ，１５０Ｖ Fig.2- Drain to Source On Voltage vs. Gate to Source Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 1600 4V VGE =10V 3V 1400 1.8 Drain to Source Voltage V DS (V) 8V 1200 DrainCurrent I D (A) TC=25℃ 250μs PULSE TEST 2 250μs PULSE TEST 1000 800 600 400 200 1.6 1.4 1.2 ID=800A 1 0.8 I D=400A 0.6 0.4 ID=200A 0.2 2V 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 0 4 0 2 4 Drain to Source Voltage V DS (V) Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction Temperature (Typical) 10 12 200000 14 16 VGS=0V f=1MHZ TC=25℃ Ciss 175000 2 150000 Capacitance C (nF) Drain to Source Voltage V DS (V) 8 Fig.4- Capacitance vs. Drain to Source Voltage (Typical) VGS=10V 250μs PULSE TEST 2.5 6 Gate to Source Voltage V GS (V) ID=800A 1.5 1 ID=400A 125000 100000 75000 Coss 50000 0.5 ID=200A Crss 25000 0 -50 0 50 100 0 150 0.5 1 2 Fig.5- Gate Charge vs. Gate to Source Voltage (Typical) 100 VDD=20V 50 20 50 80 VDD=80V ID=400A TC=25℃ 20 Switching Time t (μs) Gate to Source Voltage V GS (V) VDD=40V VDD=80V 12 10 Fig.6- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) ID=800A 16 14 5 Drain to Source Voltage V DS (V) Junction Temperature Tj (℃) 10 8 6 4 10 5 2 td(off) 1 tr 0.5 td(on) 2 0.2 tf 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 Total Gate Charge Qg (nC) 6000 7000 0.1 0.5 1 2 5 10 20 50 Series Gate Impedance R G (Ω) 100 200 ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｓｉｎｇｌｅ ＰＨＭ８００１ ８００ Ａ，１５０Ｖ Fig.8- Source to Drain Diode Forward Characteristics (Typical) Fig.7- Drain Current vs. Switching Time (Typical) 1600 1.2 V DD=80V R G=0.75Ω TC=25℃ 1400 1200 td(off) Source Current I S (A) Switching Time t (μs) 1 0.8 0.6 0.4 td(on) 1000 800 600 400 tr 0.2 TJ=25℃ TJ=125℃ 200 tf 0 0 200 400 600 0 800 0 0.2 0.4 0.6 0.8 Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) -IS=800A TJ=125℃ trr 100 50 IRrM 20 10 500 1000 1500 2000 2500 -di/dt (A/μs) Fig.10- Maximun Transient Thermal Impedance (℃/W) 1x10 -1 (J-C) 0 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 200 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 1 1.2 Source to Drain Voltage V SD (V) Drain Current ID (A) 10 -3 10 -2 10 -1 SQUARE WAVE PULSE DURATION t (s) 1 10 1 1.4 1.6