QS043-401M0061 (2/4) ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ ２００ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 7(G2) 6(E2) 2-Ø6.5 5 4 5(E1) 4(G1) 2 1 5 4 3-M5 9 16 9 23.0 23.0 17.0 24 16 14 9 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 14 LABEL 7 7 23 LABEL 30 +1.0 - 0 .5 30 +1.0 - 0.5 8 16 25 21.2 7.5 25 7 6 3 4 6 4 18.0 7 3 2 48.0 16.0 14.0 1 15 6 48 ± 0 .2 5 (C1) 3 94.0 80 ±0.25 4-Ø 6.5 6 (E2) 2 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 62 11 13 20 (C2E1) 1 ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ２ PDMB200B12C PDMB200B12C2 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ２００ ４００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ９６０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ ２,５００ PDMB200B12C Ｖ（ＲＭＳ） ３（３０.６） Ｎ・ｍ ３（３０.６） PDMB200B12C2 ２（２０.４） (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ４.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 16,600 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3Ω ＲG= 2Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs － ０.２ ０.３ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case 日本インター株式会社 Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.１２５ ℃／Ｗ ０.２４ QS043-401M0061 (3/4) ＰＤＭＢ２００Ｂ１２ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 400 12V I C=100A 15V Collector Current I C (A) 300 9V 200 8V 100 7V 0 0 2 TC=25℃ 16 10V Collector to Emitter Voltage V CE (V) V GE =20V 4 6 8 14 200A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 8 12 16 RL=3Ω TC=25℃ 16 700 14 600 12 500 10 8 400 VCE =600V 6 300 400V 4 200 200V 2 100 0 20 0 300 600 900 1200 0 1500 Total Gate Charge Qg (nC) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ 20000 Cies 10000 5000 Coes 2000 1000 1.4 V CC=600V R G= 2.0 Ω V GE =±15V TC=25℃ 1.2 Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 20 1 tOFF 0.8 tf 0.6 0.4 500 Cres 200 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.2 0 tON tr 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 50 100 Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 150 200 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 200A 4 16 800 400A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) I C=100A 400A QS043-401M0061 (4/4) ＰＤＭＢ２００Ｂ１２ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 400 10 VCC=600V I C=200A VGE =±15V TC=25℃ TC=125℃ toff tr 2 Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 5 TC=25℃ ton 1 tf 0.5 0.2 300 200 100 0.1 0.05 1 2 5 10 20 50 100 0 200 0 1 3 4 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 1000 IF=200A TC=25℃ 500 R G=2Ω V GE=±15V TC≦125℃ 500 200 Collector Current I C (A) 200 trr 100 50 20 IRrM 100 50 20 10 5 2 1 0.5 10 0.2 200 400 600 800 1000 0.1 1200 0 400 800 Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 5x10 -1 FRD 2x10 -1 IGBT 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 TC=25℃ 1x10 -3 1 Shot Pulse 5x10 -4 10 -5 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) (℃/W) 0 (J-C) 5 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 2 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance R G (Ω) 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Time t (s) 日本インター株式会社 1 10 1 1600