ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ ２００ Ａ，６００Ｖ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 重量：320ｇ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ２００ ４００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ７８０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ −４０∼＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ −４０∼＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ３（３０.６） ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase Ｉsolation Ｖoltage 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque ＡＣ,１ｍinute) Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime □フリーホイーリングダイオードの フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ − − ２.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V − − １.０ μＡ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ=200A,ＶＧＥ= 15V − ２.１ ２.６ Ｖ ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ=200mA ４.０ − ８.０ Ｖ Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V, ｆ=1MHＺ − 20,000 − ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 3Ω ＲＧ= 3.6Ω ＶＧＥ= ±15V − − − − ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ μｓ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｍｉｎ. ＩＣＥＳ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＦ=200A,ＶＧＥ= 0V − １.９ ２.４ Ｖ ＩＦ=200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt=200A/μs − ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. ０.１６ ０.３８ Ｕｎｉｔ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case ℃／Ｗ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 400 V GE =20V TC=25℃ 16 12V 400A 10V Collector Current I C (A) 300 200 9V 100 8V Collector to Emitter Voltage V CE (V) I C=80A 15V 14 200A 12 10 8 6 4 2 7V 0 0 2 4 6 8 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 200A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 RL=1.5Ω TC=25℃ 16 350 14 300 12 250 10 8 200 VCE=300V 150 6 200V 100 2 50 0 20 0 0 150 300 750 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ VCC=300V RG=3.6Ω VGE =±15V TC=25℃ 0.9 0.8 10000 5000 2000 1000 500 0.7 0.6 0.5 toff 0.4 0.3 ton tf 0.2 200 0.1 100 0 0.2 0.5 1 2 5 10 20 900 1 Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) Coes Cres 600 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 20000 450 Total Gate Charge Qg (nC) 100000 Cies 4 100V Gate to Emitter Voltage V GE (V) 50000 20 400 400A 14 0 16 50 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100 200 tr 0 50 100 Collector Current IC (A) 150 200 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) I C=80A 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 2 Switching Time t (μs) 400 V CC=300V I C=200A V G=±15V TC=25℃ TC=25℃ toff ton 300 tr 1 0.5 tf 0.2 0.1 0.05 250 200 150 100 50 1 10 0 100 0 1 2 3 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 500 IF=200A TC=25℃ R G=3.6Ω V GE =±15V TC≦125℃ 500 200 200 Collector Current I C (A) trr 100 50 20 4 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance R G (Ω) IRrM 100 50 20 10 5 2 1 0.5 10 0.2 200 400 600 800 1000 0.1 1200 0 200 400 Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 FRD 2x10 -1 IGBT 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) (℃/W) 0 (J-C) 5 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) TC=125℃ 350 Forward Current I F (A) 5 (Typical) 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 Time t (s) 10 -1 1 10 1 800