QS043-401M0055 (2/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ６００ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0 .2 5 Dimension:［mm］ 4 - Ø6.5 2 -M8 4 108 93 4 - Ø6.5 2 -M6 9 2 4 62 1 14 16 48 (E) 4 (C) 1 80 (E) 2 20 20 20 62 ± 0 .2 5 1 2 3 3 (G) 3 13 21 24 2 -M4 29 29 20 11 25.5 23 LABEL 7 7 LABEL 23 - 0.5 36 +1.0 - 0.5 25.5 +1.0 13 2 -M4 PH MB600B12C PH MB600B12 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ６００ １，２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２，８００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ３（３０．６） Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ６ Ｍ８ Ｎ・ｍ (kgf･cm) １．４（１４．３） ３（３０．６） １０．５（１０７） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １２ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ４ － ８ Ｖ Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 50,000 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ １，２００ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs － ０.２５ ０.３５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case 日本インター株式会社 Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０４４ ℃／Ｗ ０.０８５ QS043-401M0055 (3/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 1200 VGE=20V Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) I C=300A 15V 1000 800 9V 600 400 8V 200 7V 0 0 2 TC=25℃ 16 10V 12V 4 6 8 14 600A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 8 12 16 RL=1Ω TC=25℃ 16 700 14 600 12 500 10 8 400 VCE =600V 6 300 400V 200 4 200V 2 100 0 20 0 800 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 1600 2400 3200 0 4800 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.6 200000 VGE=0V f=1MHZ TC =25℃ 100000 Cies VCC=600V RG=0.82Ω VGE=±15V TC=25℃ 1.4 50000 Switching Time t (μs) 1.2 Capacitance C (pF) 4000 Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 20000 Coes 10000 5000 2000 Cres 0.8 500 0.2 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 tf 0.6 0.4 0.1 tOFF 1 1000 200 20 0 tON tr 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100 200 300 400 Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 500 600 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 600A 4 16 800 1200A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) I C=300A 1200A QS043-401M0055 (4/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 1200 VCC=600V IC=600A VGE=±15V TC=25℃ Switching Time t (μs) 5 ton 1 tr 0.5 tf 0.2 800 600 400 200 0.1 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0 20 0 1 2 3 Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 5000 I F=600A TC=25℃ R G=0.82Ω VGE=±15V TC≦125℃ 2000 500 1000 trr 500 Collector Current I C (A) 300 4 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance RG (Ω) 200 100 I RrM 50 200 100 50 20 10 5 2 1 20 0.5 10 0 600 1200 1800 2400 3000 0.2 3600 0 400 800 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) fig11-Tansient Thermal Impedance -1 2x10 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) TC=125℃ 1000 2 0.05 TC=25℃ toff Forward Current I F (A) 10 -1 FRD -2 IGBT 1x10 5x10 2x10 -2 -2 1x10 5x10 -3 2x10 -3 -3 1x10 Tc=25℃ -4 5x10 1 Shot -4 2x10 10 -5 10 -4 10 -3 -2 10 10 Time t （s） 日本インター株式会社 -1 1 10 1 1600