NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBU406 █ APPLICATIONS High Voltage Swltching . █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220 T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………60W VCBO ——Collector-Base Voltage………………………………400V 1―Base，B 2―Collector，C 3―Emitter，E VCEO ——Collector-Emitter Voltage……………………………200V VEBO ——Emitter-Base Voltage………………………………………6V IC——Collector Current（DC）………………………………………7A ICP ——Collector Current（Pulse）……………………………………10A Ib——Base Current……………………………………………… 4A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Min Typ Max Unit Test Conditions ICES（1） Collector Cut-off Current ICES（2） ICES（3） １ １ １０ VCE=1V, IC=5A VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage １ Ｖ IC=5A, IB =0.5A VBE(on) １．２ Ｖ VCE=5V, IC=0.5A １０ ＭＨｚ VCE=10V,IC=0.5A ０．７５ μＳ IC=5A, IB =0.5A IEBO Emitter Cut-off Current HFE DC Current Gain fT tOFF Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product Turn OFF Time ５ ｍＡ VCE=400V, VEB=0 １００ μＡ VCE=250V, VEB=0 ｍＡ VCE=250V, VEB=0（Tc=125℃） ｍＡ VEB=6V, IC=0 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBU406