NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR H13001 A1 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压快速开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………… 150℃ P C — — 集 电极 耗 散 功 率( Tc=25℃ )… … … … …… … 1 0 W VCBO ——集电极—基极电压………………………… 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E 600V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V IC——集电极电流（DC）……………………………… 0.25A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 400 V IC=10mA, IB=0 BVCBO 集电极—基极击穿电压 600 V IC=1mA, IE=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 9 V IE=1mA，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 100 μA VCB=500V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 100 μA VEB=9V, IC=0 HFE 直流电流增益 40 10 件 VCE=10V, IC=20mA VCE（sat） 集电极—发射极饱和压降 0.6 V IC=100mA, IB=20mA VBE（sat） 基极—发射极饱和压降 1.2 V IC=100mA, IB=20mA fT MHz 8 特征频率 █ 分档及其标志 H1 H2 H3 H4 H5 10-16 14-21 19-26 24-31 29-40 VCE=10V，IC=20mA