Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung VRRM Tvj = - 40°C...Tvj max 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1300, 1500 V 1700, 1900 V IFRMSM 125 A Id 215 A repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM Tvj = + 25°C...Tvj max non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom TC = 110°C output current TA = 45°C, KM 11 93 A TA = 45°C, KM 33 127 A TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 215 A TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 215 A 2200 A 1950 A Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tS = 10ms surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tS = 10ms I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms IFSM I²t 24200 A²s 19000 A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iF = 300A vF Tvj = Tvj max V(TO) Tvj = Tvj max rT Tvj = Tvj max,vR = VRRM iR Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec Durchlaßspannung max. 1,61 V 0,75 V forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand 1,6 mΩ 10 mA 3,0 kV 3,6 kV forward slope resistance Sperrstrom max. reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect max. 0,082 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,490 °C/W pro Modul / per module, DC max. 0,065 °C/W pro Element / per chip, DC max. 0,390 °C/W max. 0,033 °C/W max. 0,200 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip RthJC RthCK Tvj max Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 150 °C Tc op - 40...+150 °C Tstg - 40...+150 °C max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(7) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al2O3 Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht G typ. 300 g 12,5 mm 50 m/s² weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz vibration resistance Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(7) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module MOD-E1; R. Jörke DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) 09. Feb 99 N Seite/page 3(7) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 R thn [° C / W ] 0,15200 τn [s] 2 3 4 5 6 7 0,21100 0,02960 0,31800 0,03870 0,00109 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-E1; R. Jörke Z thJC ∑ 09. Feb 99 Seite/page 4(7) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N B6 0,60 0,50 120° rect ZthJC [°C/W] 0,40 DC 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per armthJC Z = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(7) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N B6 160 150 140 130 120 110 TC [°C] 100 90 80 70 60 50 40 30 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 Id [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperaturCT= f(Id) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(7) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) N B6 300 290 280 270 260 250 240 Id [A] 230 220 210 200 190 180 170 160 150 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 t [s] Höchstzulässiger Ausgangsstrom in 24h / Maximum allowable output current at 24hd = I f(t) TC ≤ 100°C MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 7(7)