Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung VRRM Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM Tvj = + 25°C...Tvj max non-repetitive peak reverse voltage 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1300, 1500 V 1700, 1900 V 60 A IFRMSM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom TC = 100°C output current TC = 84°C Id 85 A 104 A TA = 45°C, KM 11 58 A TA = 45°C, KM 33 75 A TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 104 A TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 104 A 650 A 550 A Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tS = 10ms surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tS = 10ms I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms IFSM I²t 2100 A²s 1500 A²s 1,44 V 0,75 V Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iF = 100A vF Tvj = Tvj max V(TO) Tvj = Tvj max rT Tvj = Tvj max,vR = VRRM iR Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec Durchlaßspannung max. forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand 5,5 mΩ 5 mA forward slope resistance Sperrstrom max. reverse current 3,0 kV 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect max. 0,241 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 1,450 °C/W pro Modul / per module, DC max. 0,183 °C/W pro Element / per chip, DC max. 1,100 °C/W max. 0,033 °C/W max. 0,200 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip RthJC RthCK Tvj max Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 150 °C Tc op - 40...+150 °C Tstg - 40...+150 °C max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(6) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al2O3 Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 4 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht G typ. 220 g 12,5 mm 50 m/s² weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz vibration resistance Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(6) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module MOD-E1; R. Jörke DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) 09. Feb 99 N Seite/page 3(6) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 R thn [° C / W ] 0,60300 τn [s] 0,30200 2 3 4 0,35000 0,06700 0,08400 0,03780 0,00400 0,00109 nmax Analytische Funktion: Z thJC = ∑R n= 1 MOD-E1; R. Jörke thn1 − e 09. Feb 99 − t τn 5 6 7 Seite/page 4(6) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) N B6 1,60 120° rect 1,40 1,20 DC ZthJC [°C/W] 1,00 0,80 0,60 0,40 0,20 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per armthJC Z = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(6) Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) N B6 160 150 140 130 120 110 TC [°C] 100 90 80 70 60 50 40 30 20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 Id [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperaturCT= f(Id) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(6)