ETC DBTTW3C145N

Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...T vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM, V RRM
1200, 1400
1600, 1800
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = - 40°C...T vj max
VDSM
1200, 1400
1600, 1800
V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = + 25°C...T vj max
VRSM
1300, 1500
1700, 1900
V
V
ITRMSM
120
A
IRMS
145
170
40
59
108
131
A
A
A
A
A
A
ITSM
1250
1050
A
A
I²t
7800
5500
A²s
A²s
120
A/µs
1000
V/µs
1,87
V
0,95
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Effektivstrom (pro Phase)
RMS current (per arm)
TC = 85°C
TC = 75°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (V L = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (V L = 90l/s)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, t p = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, t p = 10ms
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM
Tvj = Tvj max, t p = 10ms
Tvj = Tvj max, t p = 10ms
(di/dt)cr
f = 50Hz, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs
(dv/dt)cr
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, i T = 200A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(T0)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj =Tvj max
rT
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, v D = 6V
IGT
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, v D = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
3,2
mΩ
max.
150
mA
VGT
max.
2,5
V
IGD
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM
VGD
max.
0,2
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, v D = 6V, R A = 5Ω
IH
max.
200
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, v D = 6V, R GK ≥ 20Ω
IL
max.
600
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = Tvj max
iD, iR
max.
10
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
tgd
max.
1,2
µs
MOD-E1; R. Jörke
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM
iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs, t g = 10µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Tvj = 25°C, i GM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs
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A /99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = 50A
circuit commutated turn-off time
vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
tq
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
typ.
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
190
µs
3,0
kV
3,6
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
max. 0,070
°C/W
thermal resistance, junction to case
pro Element / per chip, Θ = 180°sin
max. 0,420
°C/W
pro Modul / per module, DC
max. 0,065
°C/W
pro Element / per chip, DC
max. 0,390
°C/W
max. 0,033
°C/W
max. 0,200
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
thermal resistance, case to heatsink
pro Element / per chip
RthJC
RthCK
Tvj max
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
125
°C
Tc op
- 40...+125
°C
Tstg
- 40...+130
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
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Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1
6
Nm
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
6
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
G
typ.
300
g
12,5
mm
50
m/s²
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
TC = 25°C
rated resistance
R100 = 493Ω ± 5%
Verlustleistung
TC = 25°C
R25
P25
max.
5
kΩ
20
mW
power dissipation
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-E1; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
ϑ
MOD-E1; R. Jörke
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W3
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
R thn [° C / W ] 0,15200
τ n [s]
2
3
4
5
6
7
0,21100 0,02960
0,31800 0,03870 0,00109
t

− 
τn 

=
R thn 1 − e


n= 1


nmax
Analytische Funktion:
MOD-E1; R. Jörke
Z thJC
∑
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W3
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
0,45
180° sin
0,40
DC
0,35
0,30
ZthJC [°C/W]
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm thJC
Z = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
140
130
120
110
100
TC [°C]
90
80
70
60
50
40
30
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
IRMS [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur CT= f(IRMS)
MOD-E1; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
100
90
80
70
(Tvj - TSensor) [°C]
60
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Ia / I RMS(Tc=85°C)
Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and
sensor temperature (Tvj - TSensor) = f(Ia / IRMS(Tc=85°C) )
Ia: Anlaufstrom / Starting current
IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
MOD-E1; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
RSensor [Ω]
10000
1000
100
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
TSensor [°C]
Sensorwiderstand / Sensor resistance RSensor = f(TSensor)
MOD-E1; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
800
700
600
Ptot [W]
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
IRMS [A]
Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per module tot
P = f(IRMS)
IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
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