Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...T vj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM, V RRM 1200, 1400 1600, 1800 V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...T vj max VDSM 1200, 1400 1600, 1800 V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...T vj max VRSM 1300, 1500 1700, 1900 V V ITRMSM 120 A IRMS 145 170 40 59 108 131 A A A A A A ITSM 1250 1050 A A I²t 7800 5500 A²s A²s 120 A/µs 1000 V/µs 1,87 V 0,95 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS on-state current (per chip) Effektivstrom (pro Phase) RMS current (per arm) TC = 85°C TC = 75°C TA = 45°C, KM 11 TA = 45°C, KM 33 TA = 35°C, KM 14 (V L = 45l/s) TA = 35°C, KM 33 (V L = 90l/s) Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, t p = 10ms Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, t p = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM Tvj = Tvj max, t p = 10ms Tvj = Tvj max, t p = 10ms (di/dt)cr f = 50Hz, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs (dv/dt)cr 8. Kennbuchstabe / 8th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, i T = 200A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(T0) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj =Tvj max rT Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, v D = 6V IGT Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, v D = 6V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage max. 3,2 mΩ max. 150 mA VGT max. 2,5 V IGD max. max. 5,0 2,5 mA mA Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, v D = 6V, R A = 5Ω IH max. 200 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, v D = 6V, R GK ≥ 20Ω IL max. 600 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max iD, iR max. 10 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tgd max. 1,2 µs MOD-E1; R. Jörke Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs, t g = 10µs vD = VDRM, vR = VRRM Tvj = 25°C, i GM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs 29. Apr 99 A /99 Seite/page 1(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = 50A circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM tq dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs typ. 7. Kennbuchstabe / 7th letter O Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL 190 µs 3,0 kV 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 180°sin max. 0,070 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 180°sin max. 0,420 °C/W pro Modul / per module, DC max. 0,065 °C/W pro Element / per chip, DC max. 0,390 °C/W max. 0,033 °C/W max. 0,200 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip RthJC RthCK Tvj max Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 125 °C Tc op - 40...+125 °C Tstg - 40...+130 °C max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al2O3 Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht G typ. 300 g 12,5 mm 50 m/s² weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz vibration resistance Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand TC = 25°C rated resistance R100 = 493Ω ± 5% Verlustleistung TC = 25°C R25 P25 max. 5 kΩ 20 mW power dissipation Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 2(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N ϑ MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 3(9) W3 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 R thn [° C / W ] 0,15200 τ n [s] 2 3 4 5 6 7 0,21100 0,02960 0,31800 0,03870 0,00109 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-E1; R. Jörke Z thJC ∑ 29. Apr 99 Seite/page 4(9) W3 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 0,45 180° sin 0,40 DC 0,35 0,30 ZthJC [°C/W] 0,25 0,20 0,15 0,10 0,05 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm thJC Z = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 5(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 140 130 120 110 100 TC [°C] 90 80 70 60 50 40 30 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 IRMS [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur CT= f(IRMS) MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 6(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 100 90 80 70 (Tvj - TSensor) [°C] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 Ia / I RMS(Tc=85°C) Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and sensor temperature (Tvj - TSensor) = f(Ia / IRMS(Tc=85°C) ) Ia: Anlaufstrom / Starting current IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm) MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 7(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 RSensor [Ω] 10000 1000 100 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 TSensor [°C] Sensorwiderstand / Sensor resistance RSensor = f(TSensor) MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 8(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) N W3 800 700 600 Ptot [W] 500 400 300 200 100 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 IRMS [A] Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per module tot P = f(IRMS) IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm) MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 9(9)