Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 140 N 16...22 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Tvj = - 40°C...Tvj max VDRM, VRRM 1600, 1800 2000, 2200 V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 1600, 1800 2000, 2200 V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1700, 1900 2100, 2300 V V ITRMSM 250 A ITAVM 140 159 A A ITSM 4000 3200 A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tp = 10ms Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM TC = 77°C Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t 80000 51200 Tvj = Tvj max, tp = 10ms (diT/dt)cr A²s A²s 150 A/µs 1000 V/µs 1,84 V 0,9 V f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs (dvD/dt)cr 6. Kennbuchstabe / 6th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 500A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 6V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current max. 1,75 mΩ max. 150 mA VGT max. 2,0 V IGD max. max. 10 5 mA mA Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω IH max. 200 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω IL max. 800 mA iD, iR max. 30 mA tgd max. 3 µs iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tG = 20µs Tvj = Tvj max Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM Zündverzug gate controlled delay time MOD-E1; R. Jörke DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs 08. Dez 99 A /99 Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 140 N 16...22 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iTM = 150A Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tq vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs typ. 5. Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 300 µs 2,5 kV 3,0 kV RMS, f = 50Hz, t = 1sec Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per module, Θ = 180°sin Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case RthJC max. max. max. max. 0,095 0,190 0,092 0,183 RthCK max. max. 0,030 °C/W 0,060 °C/W pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 °C 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 310 g 15 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 08. Dez 99 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module MOD-E1; R. Jörke TT 140 N 16...22 08. Dez 99 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 140 N 16...22 N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 R thn [° C / W ] 0,0094 0,0224 0,0586 0,0924 τ n [s] 0,0014 0,0253 0,2670 1,6800 5 6 7 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-E1; R. Jörke Z thJC ∑ 08. Dez 99 Seite/page 4(4)