Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung VDRM, VRRM 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1300, 1500 V 1700, 1900 V ITRMSM 120 A Id 205 A 208 A TA = 45°C, KM 11 55 A TA = 45°C, KM 33 82 A TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 153 A TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 186 A 1500 A 1300 A Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung VDSM Tvj = - 40°C...Tvj max non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung VRSM Tvj = + 25°C...Tvj max non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS on-state current (per chip) Ausgangsstrom TC = 85°C output current TC = 84°C Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms surge current Tvj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM I²t (di/dt)cr Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 11250 A²s 8450 A²s 120 A/µs 1000 V/µs 1,64 V 0,95 V (dv/dt)cr Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iT = 200A vT Tvj = Tvj max V(TO) Tvj =Tvj max rT Tvj = 25°C, vD = 6V IGT Tvj = 25°C, vD = 6V Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 6V gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Durchlaßspannung max. on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand 2,2 mΩ max. 150 mA VGT max. 2,5 V IGD max. 5,0 mA max. 2,5 mA VGD max. 0,2 V Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω IH max. 200 mA Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω IL max. 600 mA latching current iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 20 mA forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage gate non-trigger voltage Haltestrom holding current MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(6) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Zündverzug DIN IEC 747-6 gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = 50A circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM tgd max. 1,2 µs typ. 190 µs 3,0 kV 3,6 kV tq dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs 7. Kennbuchstabe / 7th letter O Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect max. 0,068 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,410 °C/W pro Modul / per module, DC max. 0,057 °C/W pro Element / per chip, DC max. 0,340 °C/W max. 0,033 °C/W max. 0,200 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip RthJC RthCK Tvj max Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 125 °C Tc op - 40...+125 °C Tstg - 40...+130 °C max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al2O3 Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht G typ. 300 g 12,5 mm 50 m/s² weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz vibration resistance Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(6) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module MOD-E1; R. Jörke TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) 09. Feb 99 N Seite/page 3(6) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 R thn [° C / W ] 0,15200 0,21100 0,02960 τn [s] 0,31800 0,03870 0,00109 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-E1; R. Jörke Z thJC ∑ 09. Feb 99 Seite/page 4(6) B6 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) N B6 0,45 120° rect 0,40 0,35 DC ZthJC [°C/W] 0,30 0,25 0,20 0,15 0,10 0,05 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per armthJC Z = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(6) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) N B6 140 130 120 110 100 TC [°C] 90 80 70 60 50 40 30 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Id [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperaturCT= f(Id) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(6)