华晶分立器件 3DG3137 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DG3137 硅 NPN 型超高频小功率晶体管 主要用于 VHF/UHF 频段作高频小功率放大或振 荡 该产品特点如下 特征频率高 反向漏电流小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 B4(A3-02B) 8.64 9.39 2 电特性 单位 V V V mA 8.50 25.0 6.10 6.60 8.01 W 12.5 额定值 20 40 4 150 0.6 Tj Tstg 结温 贮存温度 2.2 电特性 除非另有规定 45 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 集电极-发射极电压 VCE0 集电极-基 极电压 VCB0 发射极-基 极电压 VEB0 集电极电流 IC Ta=25 耗散功率 Ptot 175 -55 175 E B C Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=20V IE=0 VEB=3V IC=0 hFE VCE=5V VCE sat 特征频率 fT 输出电容 Cob 测 试 条 件 IC=50mA IC=50mA IB=5mA VCE=5V IC=50mA f=100MHz IE=0 VCB=10V f=1MHz 最小 规 范 值 典型 最大 10 10 50 单位 μA μA 150 0.5 500 V MHz 4 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5803016 3DG3137 华晶分立器件 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) Ptot (mW) IC (A) Tamb=25 Tcase=25 0.1 600 400 0.01 200 0.001 0.1 hFE 1 0 VCE(V) 10 hFE - IC 关系曲线 0 VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V 50 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 hFE=10 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC(A) 第 2 页 0.01 0.01 共 2 页 0.1 IC(A)