ETC 3CG7092

华晶分立器件
3CG7092
高频放大环境额定双极型晶体管
1 概述与特点
3CG7092 硅 PNP 型高频高压小功率晶体管 主要用于无绳电话机及一般放大电路 其特点如
下
1.5
击穿电压高
饱和压降低
电流容量大
封装形式 TO-92
2 电特性
额定值
300
300
5
0.5
0.625
150
-55 150
单位
V
V
V
A
W
4.2max
标志
2max
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
Ptot
Tj
Tstg
12.7min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率(Ta=25 )
结温
贮存温度
5.3max
5.3max
0.45
0.45
2.54
C B E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
VCB=-300V IE=0
VEB=-7V IC=0
共发射极正向电流传输比
的静态值
hFE
VCE=-10V
IC=30mA
集电极-发射极饱和电压
VCE sat
特征频率
fT
共基极输出电容
Cob
R
O
Y
IC=20mA IB=2mA
VCE=-20V ,IC=10mA
f=10MHz
VCB=-20V IE=0
f=1MHz
规 范 值
最小 典型 最大
10
1
40
120
80
240
200
400
0.5
50
单位
A
A
V
MHz
6.5
pF
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3CG7092
3 特性曲线
Ptot – Tamb 关系曲线
IC-VCE 关系曲线
Ptot (W)
IC(mA)
Tamb=25
0.60
375
40
300
0.45
225
20
0.30
150
IB=75 A
0
0
4
8
0.15
VCE (V)
12
0
T( )
100
VCEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
hFE
50
Tamb=25
VCE=-10V
VCEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=10
1
100
0.1
10
0.001
0.01
0.1
IC (A)
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0.01
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0.1 IC (A)