ETC 3CD834A

华晶分立器件
3CD834A
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3CD834A 硅 PNP 型低频放大管壳额定双极型晶体管 主要用于功率放大电路中 其特点如下
有击穿电压高
饱和压降低
封装形式 TO-220AB
4.8max
10.7max
1.4max
3.84
额定值
60
60
7
3
2
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
16.5max
符号
VCB0
VCE0
VEB0
IC
PTA
PTC
Tj
Tstg
12.5min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
6.9max
2 电特性
1.27
1.2max
2.67
2.54
2.54
B
0.4max
C E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
特征频率
a: 脉冲测试 tp 300 s,
ICBO
IEBO
VCB=-60V, IE=0
VEB=-7V, IC=0
R
VCE=-5V
IC=0.5A
O
IC=3A, IB=0.3A
VCE=-5V, IC=0.5A
hFE
VCE sat
fT
2%
规 范 值
最小 典型 最大
20
20
60
120
100
200
1
5
单位
A
A
V
MHz
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3CD834A
3 特性曲线
安全工作区(直流)
Ptot - T 关系曲线
IC (A)
Ptot (W)
Tcase=25
16
Ptot - Tcase
1
12
8
0.1
4
Ptot - Tamb
0.01
0.1
hFE
0
1
10
0
VCE (V)
hFE - IC 关系曲线
VCEsat (V)
50
T( )
VCEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
VCE=-5V
Tamb=25
IC/IB=10
100
1
10
0.1
1
0.01
100
0.01
0.1
1
IC (A)
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10 IC (A)