华晶分立器件 3CD834A 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3CD834A 硅 PNP 型低频放大管壳额定双极型晶体管 主要用于功率放大电路中 其特点如下 有击穿电压高 饱和压降低 封装形式 TO-220AB 4.8max 10.7max 1.4max 3.84 额定值 60 60 7 3 2 50 150 -55~150 单位 V V V A W 16.5max 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC PTA PTC Tj Tstg 12.5min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 6.9max 2 电特性 1.27 1.2max 2.67 2.54 2.54 B 0.4max C E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 特征频率 a: 脉冲测试 tp 300 s, ICBO IEBO VCB=-60V, IE=0 VEB=-7V, IC=0 R VCE=-5V IC=0.5A O IC=3A, IB=0.3A VCE=-5V, IC=0.5A hFE VCE sat fT 2% 规 范 值 最小 典型 最大 20 20 60 120 100 200 1 5 单位 A A V MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3CD834A 3 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线 IC (A) Ptot (W) Tcase=25 16 Ptot - Tcase 1 12 8 0.1 4 Ptot - Tamb 0.01 0.1 hFE 0 1 10 0 VCE (V) hFE - IC 关系曲线 VCEsat (V) 50 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 VCE=-5V Tamb=25 IC/IB=10 100 1 10 0.1 1 0.01 100 0.01 0.1 1 IC (A) 第 2 页 1 共 2 页 10 IC (A)