硅 NPN 大功率晶体管 BU103T * 主要用途 ： 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 TO-92 * 主要特点： 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 * 封装形式： TO-92 1. 基极 B 2. 集电极 C 3. 发射极 E 极限值：( Tc=25 ℃ ) 参 数 名 称 符 号 额定值 单 位 集电极－发射极击穿电压 BVCEO ≥ 400 V 集电极－基极击穿电压 BVCBO ≥ 600 V 发射极－基极击穿电压 BVEBO ≥9 V 最大集电极直流电流 Icm 1.5 A 最大耗散功率 Pcm 25 W 最高结温 Tjm 150 ℃ 贮存温度 Tstg － 55 ～ 150 ℃ 电特性： ( Tc=25 ℃ ) 参数名称 符号 测 试 条 件 规范值 最小值 最大值 单位 集电极－发射极击穿电压 BVCEO IC=1mA； IB=0 400 V 集电极－基极击穿电压 BVCBO IC=1mA； IE=0 600 V 发射极－基极击穿电压 BVEBO IE=1mA； IC=0 9 V 集电极－发射极反向漏电流 ICEO VCE=350V； IB=0 20 uA 集电极－基极反向漏电流 ICBO VCB=550V； IE=0 10 uA 发射极－基极反向漏电流 IEBO VEB=7V； IC=0 10 uA 共发射极直流电流增益 HFE VCE=5V； IC=0.2A VCE (sat) IC=1A； IB=0.5A 集电极－发射极饱和压降 10 35 0.6 V 下降时间 tf IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=300V 0.3 uS 特征频率 fT VCE=10V；I C=0.1A； f =1MHz 8 MHz 深圳市晶导电子有限公司 硅 NPN 大功率晶体管 BU103T 静态输出特性 HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流 50 0.5 50mA 40 0.4 0.3 HFE 直流电流增益 Ic （A ）集电极电流 40mA 30mA 20mA 0.2 10mA 0.1 2 4 6 8 Vce（V）集电极－发射极电压 20 10 Ib=0 0 Vce=5V 30 1 0.001 10 0.01 0.1 Ic（A）集电极电流 Vce（sat ）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 125 100 1 Pc （W ％）耗散功率 （V ）集电极－发射极饱和压降 Vce （sat ） 1.5 Pc 耗散功率－ Tj 结温 2 Ic=2Ib 75 50 25 0.1 0 0.1 1 Ic（A）集电极电流 1.5 SOA（DC）安全工作区 5 1 Ic （A ）集电极电流 1 0.5 0.05 0.01 1 10 100 Vce（V）集电极－发射极电压 深圳市晶导电子有限公司 1000 0 40 80 120 Tj（℃）结温 160 200 TO － 92 外形尺寸图 单位：mm 符 号 最小值 典型值 最大值 A 4.52 4.56 4.60 B 4.55 4.58 4.61 D 0.54 0.57 0.60 G 1.22 H 12.89 12.92 12.95 J 0.35 0.37 0.39 L 0.42 0.45 0.48 N 2.44 R 1.25 1.30 1.35 S 4.26 4.29 4.32 Z 2.3 2.34 2..36 深圳市晶导电子有限公司