NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13001 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D083AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：830×830µm 2 焊位尺寸：B 极 140×144µm 2，E 极 180×140µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：KSE13001，HE13001 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度……………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………900mW VCBO——集电极—基极电压………………………………600V VCEO——集电极—发射极电压……………………………400V VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V IC——集电极电流（DC）…………………………………0.25A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 BVCEO BVCBO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat） fT 符 号 说 明 集电极—发射极击穿电压 集电极—基极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极饱和压降 特征频率 最小值 典型值 最大值 单 位 400 600 9 8 8 100 100 70 0.6 1.2 V V V µA µA V V MHz 测 试 条 件 IC=10mA，IB=0 IC=1mA，IE=0 IE=1mA，IC=0 VCB=500V，IE=0 VEB=9V，IC=0 VCE=10V，IC=20mA IC=100mA，IB=20mA IC=100mA，IB=20mA VCE=10V，IC=20mA