PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 KTN2907A H2907A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 放大、开关应用。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………625mW V CBO ——集电极—基极电压………………………………-60V 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C V CEO ——集电极—发射极电压……………………………-60V V EBO ——发射极—基极电压………………………………-5V I C ——集电极电流………………………………………-600mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE（1） HFE（2） HFE（3） VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) VBE(sat2) 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 fT 特征频率 Cob tON tD tR tOFF tSTG tF 最小值 最大值 -60 -60 -5 -10 75 100 50 集电极—发射极饱和电压 300 -0.4 -1.6 -1.3 -2.6 基极—发射极饱和电压 共基极输出电容 导通时间 延迟时间 上升时间 关闭时间 贮存时间 下降时间 典型值 200 8 45 10 40 100 80 30 单 位 V V V nA 测 试 条 件 IC=-10μA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-10μA，IC=0 VCB=-50V, IE=0 VCE=-10V, IC=-0.1mA VCE=-10V, IC=-150mA VCE=-10V, IC=-500mA V IC=-150mA, IB=-15mA V IC=-500mA, IB=-50mA V IC=-150mA, IB=-15mA V IC=-500mA, IB=-50mA MHz VCE=-20V,IC=-50mA ， pF ns ns ns ns ns ns f=100MHz VCB=-10V,IE=0，f=1MHz VCC=-30V, IC=-150mA， IB1=-15mA VCC=-6V, IC=-150mA， IB1=IB2=-15mA