NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 汕头华汕电子器件有限公司 BC848 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C035BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350×350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2 ，E 极 16180µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：BC848 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：SOT-23） Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………250mW VCBO ——集电极—基极电压……………………………30V VCEO——集电极—发射极电压…………………………30V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC ——集电极电流……………………………………100mA █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：SOT-23） 参数符号 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 特征频率 最小值 典型值 最大值 100 30 30 5 100 0.1 0.1 1000 0.5 1.0 单位 µA µA V V V V V MHz 测 试 条 件 VCB=30V，IE=0 VEB=5V，IC=0 VCE=5V，IC=2mA IC=100mA ，IB=5mA IC=100mA ，IB=5mA IC=100µA ，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100µA ，IC=0 VCE=5V，IC=10mA