HVX护 1) -7: I~?-MOSFET HVX Series Power MOSFET l 离ìÆ叉l' γ 子二""l N-予乍本 JiI 、工 /1 、二"^兴 ν ←型 ·夕阳手寸法国 嘿扭5 .. OUT Ll NE DIMENSIONS 旨主辛苦i 棋路;魏京 [Unit: mm] 900V 3A ·λ力窑量 (Ciss) 。小芒l, ì , 特lζ 也口 I ~-17'又崎ωλ力窑量 1J~JJ 、芒 L飞。 .才 Y挺抗。小芒 L飞。 ·又 -1'Y7-:; 夕夕 -1 L 1J~速L飞。 E固 .AC240V来λ力①又 -1'Y7-:; 夕雹源 ( Gate ( ( Drain ( Source .又 -1'Y7-:; 夕万式。〉高压雹源 .-1 :;H-$' ·定格表 RATINGS .艳封最大定格 项 Absolute Maximum Ratings 自己号 目 Ilem 保存温度 件 条 Symbol Condilions 规格f宦 半位 Ralings Unit Tømperature Tstg -55-150 。C 于"1"阜)"温 T剧度唱,."础 Temoerature Tcb 150 。C VDSS 900 V VGSS 士 30 V ID 3 IDP 6 s1町'ag8 Ch四 nel Fv~ ν 'J-;J. ‘压 口,副n' Sour悼 VoUage ,. Gate' '1- 'J叉.臣 Sour.西 VoUage |配 Fν4ν 醺流 ωnti川s Orain Curr酬| Peak A 'J -À 电流(谊流) 3 A 50 w Continuous Source Current (OC) 全损失 二Total PT POw'erDisspatìon .雹氢的·熟的特性 项 Electrical Characteristics (Tc=25'C) 目 Sour曲 8reakdown Voha伊 1"1.-1 ν 遮断电流 件 Conditions Symbol Fν ~/' :J -À 降伏理匡 V(BR)DSS ID=1mA , VGS=OV Zero Gate Voltage Orain Current IDSS '1 ←描机电流 Gate'S。υ『悼 Leal也ge IGSS VGS= :t 30V , gfs ID= 1.5A , VDs=10V ID= 1.5A , VGs= lO V Vlll ID=1mA. VDs= lO V VSD Is= 1.5 A, VGS=ov Current 顺f孟造工J ';.I:Y夕夕 /À ransc町、du c1 ance Forward T ]'V1 ν 'j -À 闸才二/抵抗 Static DrairrSource On.state ResistanCEt RDS(ONJ 扩, l 色 U值..压 Gate Th reshold VoUage Y 回 条 吕己号 Item Orain. Tc=25'C 只 Sour悼. ,'V 千 Y 阔步'1 才 F 顺理压 Drain Diode Forwa时 VoUage ~挺抗 Thermal 扩 R剧时anc& F 子"1"-;)特性 Gate Ch田'98 Characteristícs λ 力容量 Input Capac~回回 帽遗容量 Reve目eTr副 st&r Capac~ance 出力容量 Q.utput Ca阳,ci1 an悼 夕 Y 才 Y 峙罔 Turn -o n Timø 夕二J 才 7 峙阔 Turn咱刊 Time 哗 院m w新.抑制 巧丘 EUnO 。 jc Qg VDs=900V , I typ. Ralings max. VDS=OV 1 2 VGS=OV , f=1MHz Unil μA :t 100 nA s 4 5 。 3 4 V 1.5 V 2.5 'C/w junction and case VDs=10V , 单位 250 1.8 按合部,少一又罔 VGs=10V , ID=3A , VDD=400V I V 900 VGS=ov Ciss Crss 规格f画 min. 23 nC 740 pF 60 pF COSS 130 ton 45 90 ns 110 220 ns ID= 1. 5A, toff • VGs= lOV , pF RL=1000 8219387 口口口 26 口 8 184 • SHINDENGEN ELECTRIC MFG. 00. , LTD. 2SK2005 (F3S90) .特性国 CHARACTERISTIC DIAGRAMS Static 20 Transfer Characteristics 6 伊 -H.. $rl.'值.庄 '"''''-'(ν.~-Ä IIa才二,据却t 信矗特性 Orain.S剧 rce On -state Resistance [vos= 10= 1严l Tc=-55'C 口 25'C 5 typtca ~ 言份。 10 ~ , 1000C- 卜→ 如主- 3 > 4蝠4\, ←一 、r 5 、 主 2 人 。 10 3 J 曲 2 •- •- ‘-卜『 j--j._ 」 4 2 <- … 、「 pulse test l…~Il typlcal 事 .l封~ 卜 v νv F7< II!J IW 、P,4。3、、、t吧 E '守 !回'C 4 G 区 -。 5,、 Gate Threshold VoltaÞ 5 ..:. pulse test l typlcal l =‘- -l6l0-40 20 40 。 80 120 -。6l040 160 。 'T一又温度 Tc("C) 于-扣 -γ-;>. l1li雹庄 VGS(V) 40 80 120 l创 'T-叉,且度 Tc('C) 安全勤作领域 遇渡 M锺抗 丰1""~争,夕二,又 Safe Operating Area Transient Thermal Impedance Capacitance 10' 111 z 号。 5 E E 三、 , K鉴 反跨载 [Tcml typlcal 3 巳 |龟 };t、飞严 lcwZ CZ2 103 解',飞 0.2 1L ~ ~ \ q。R5 ) -b 5 巳Z3 2 \ 串E斟卓串i lo2l 0.1 κ .\ 。、 ν '.、 0.05 J02 .coss s 、、、 、 非 0.02 [时5℃] single pul回 0.0 5 10 1j--z 忡 20 50 100 200 S 10-' Z 500 900 1()-3 l 5 IO'Z Z 5 10" 1 2 t (s) 全损失就少事 -?'-Ä温度 伊-~予吨.-~精性 Power Deratinll Gate Charge Characteristics ~400Ë1+→叫=4中V-J77~ I I I bh 12肌'- \IVosl D'V1 1 50 Fν4 二...γ-;>. 闸'压 VOS(v) 阻击玄' ll53 1l 主 , V 1'\ 。 -þ>. I m 田'EMnlh ~ 10 10 ~ 陪军; F 园'Eκ1、, -4 m 2 ,20 5回 则 [法〕幡也瑞似事啊 " 5 100 晴l1li 俨L--1'二...γ-;>. l1li.压 Vos(v) l∞ CISS L [ l 砰, b AX [ z3ι , 5 { 蓝蓝 回 0 3阳 i[ Z --nu--nv 工咽 zf 二 t n 荷 ] 8219387 口口 026 口 9 010 • SHINDENGEN ELECTAIC WG , CO" L1D, 摇辍罄磁般巍 • E 寸】S 知ee 少-;>.温度 Tc('C) 气。 z 100 二 切 工m呻 。 耐咆u 。 ndzung