BFN 22 NPN High Voltage Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage Power dissipation – Verlustleistung NPN 250 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions / Maße in mm 1=B 2=E 3=C Maximum ratings (TA = 25/C) Grenzwerte (TA = 25/C) BFN 22 Collector-Emitter-voltage B open VCE0 250 V Collector-Base-voltage E open VCB0 250 V Collector-Emitter-voltage RBE = 2.7 kS VCER 250 V Emitter-Base-voltage C open VEB0 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 50 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj 150/C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS - 65…+ 150/C Characteristics (Tj = 25/C) Kennwerte (Tj = 25/C) Min. Typ. Max. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 200 V ICB0 – – 100 nA IE = 0, VCB = 200 V, Tj = 150/C ICB0 – – 20 :A IEB0 – – 100 nA – – 500 mV Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, VEB = 5 V Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2) IC = 10 mA, IB = 1 mA 1 VCEsat ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2 ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2% 6 01.11.2003 High Voltage Transistors BFN 22 Characteristics (Tj = 25/C) Kennwerte (Tj = 25/C) Min. Typ. Max. – – 1V hFE 50 – – fT – 100 MHz – – 0.8 pF – Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 1 mA VBEsat DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1) VCE = 20 V, IC = 25 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 10 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 30 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren Marking - Stempelung CCB0 420 K/W 2) RthA BFN 23 BFN 22 = HB ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2% ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 01.11.2003 1 2 7