BF 599 NPN High Frequency Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage Power dissipation – Verlustleistung NPN 250 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 1=B 2=E 3=C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25/C) Grenzwerte (TA = 25/C) BF 599 Collector-Emitter-voltage B open VCE0 25 V Collector-Base-voltage E open VCB0 40 V Emitter-Base-voltage C open VEB0 4V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 25 mA Base current – Basisstrom (dc) ICM 5 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj 150/C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS - 65…+ 150/C Characteristics (Tj = 25/C) Kennwerte (Tj = 25/C) Min. Typ. Max. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 20 V ICB0 – – 100 nA IE = 0, VCB = 20 V, Tj = 100/C ICB0 – – 10 :A – 150 mV – 38 70 – Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2) IC = 10 mA, IB = 1 mA VCEsat DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 3) VCE = 10 V, IC = 1 mA 1 hFE ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2 ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2% 3 ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2% 4 01.11.2003 High Frequency Transistors BF 599 Characteristics (Tj = 25/C) Kennwerte (Tj = 25/C) Min. Typ. Max. VBEon – 780 mV – fT – 550 MHz – CCB0 – 0.35 pF – CCE0 – 0.68 pF – Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 10 V, IC = 7 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter-Kapazität VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Marking - Stempelung RthA 420 K/W 2) BF 599 = NB ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2% ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 01.11.2003 1 2 5