DIOTEC BF599

BF 599
NPN
High Frequency Transistors
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
NPN
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25/C)
Grenzwerte (TA = 25/C)
BF 599
Collector-Emitter-voltage
B open
VCE0
25 V
Collector-Base-voltage
E open
VCB0
40 V
Emitter-Base-voltage
C open
VEB0
4V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
25 mA
Base current – Basisstrom (dc)
ICM
5 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
150/C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
- 65…+ 150/C
Characteristics (Tj = 25/C)
Kennwerte (Tj = 25/C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 20 V
ICB0
–
–
100 nA
IE = 0, VCB = 20 V, Tj = 100/C
ICB0
–
–
10 :A
–
150 mV
–
38
70
–
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
VCEsat
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 3)
VCE = 10 V, IC = 1 mA
1
hFE
) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
3
) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
4
01.11.2003
High Frequency Transistors
BF 599
Characteristics (Tj = 25/C)
Kennwerte (Tj = 25/C)
Min.
Typ.
Max.
VBEon
–
780 mV
–
fT
–
550 MHz
–
CCB0
–
0.35 pF
–
CCE0
–
0.68 pF
–
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)
VCE = 10 V, IC = 7 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter-Kapazität
VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Marking - Stempelung
RthA
420 K/W 2)
BF 599 = NB
) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
01.11.2003
1
2
5